13A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 107
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesInternational RectifieronsemiPanjit International Inc.Renesas Electronics CorporationRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-AlphaSGT™CoolMOS™ CEDTMOSIIHEXFET®OptiMOS™OptiMOS™ 3PowerTrench®SRFET™TrenchFET®U-MOSIXU-MOSVI-HU-MOSVII-HU-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V34 V40 V60 V100 V200 V250 V450 V500 V600 V650 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,4.5V4V,10V4.5V4.5V,10V6.5V,10V10V13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.5 毫欧 @ 20A,10V5.25 毫欧 @ 20A,10V5.5 毫欧 @ 17A,4.5V5.5 毫欧 @ 20A,10V5.7 毫欧 @ 20A,4.5V6 毫欧 @ 13A,10V6.5 毫欧 @ 10A,10V6.5 毫欧 @ 16A,10V6.5 毫欧 @ 21A,4.5V6.6 毫欧 @ 6.5A,10V6.8 毫欧 @ 22A,10V7 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
850mV @ 250µA900mV @ 1mA1V @ 250µA(最小)1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA1.8V @ 250µA2V @ 250µA2V @ 80µA2.2V @ 250µA2.25V @ 250µA2.25V @ 25µA2.3V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6 nC @ 4.5 V7 nC @ 4.5 V7.9 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V11 nC @ 5 V11.2 nC @ 10 V12 nC @ 10 V14 nC @ 4.5 V14 nC @ 5 V14 nC @ 10 V15 nC @ 10 V17 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±16V+20V,-25V±20V20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
420 pF @ 15 V550 pF @ 25 V750 pF @ 12 V755 pF @ 30 V773 pF @ 100 V840 pF @ 15 V890 pF @ 15 V910 pF @ 15 V950 pF @ 10 V1100 pF @ 100 V1108 pF @ 15 V1180 pF @ 10 V
FET 功能
-肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值)
700mW(Ta),18W(Tc)700mW(Ta),22W(Tc)700mW(Ta),30W(Tc)1W(Ta)1.4W(Ta)1.5W(Ta)1.56W(Ta)1.6W(Ta)1.6W(Ta),57W(Tc)1.7W(Ta)1.8W(Ta)1.9W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DFN-EP(3x3)8-DFN3333(3.3x3.3)8-HSMT(3.2x3)8-HSOP8-PQFN(3.3x3.3),Power338-PSOP8-SO8-SO FLMP8-SOIC8-SOP8-SOP Advance(5x5)8-SOP(5.5x6.0)
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)8-VDFN 裸露焊盘30-WFBGAPowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8TO-220-3TO-220-3 整包TO-220-3(SMT)标片TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
107结果
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/ 107
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IRF7413ZTRPBF
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Infineon Technologies
2,119
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.84055
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Ta)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 13A,10V
2.25V @ 25µA
14 nC @ 4.5 V
±20V
1210 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS6679AZ
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
onsemi
26,804
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.19181
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Ta)
4.5V,10V
9.3 毫欧 @ 13A,10V
3V @ 250µA
96 nC @ 10 V
±25V
3845 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
22,350
现货
1 : ¥13.22000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.74650
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
13A(Ta)
10V
64 毫欧 @ 6.5A,10V
4V @ 300µA
11.2 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 100 V
-
1.6W(Ta),57W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
TK13P25D,RQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Toshiba Semiconductor and Storage
2,046
现货
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.86637
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
13A(Ta)
10V
250 毫欧 @ 6.5A,10V
3.5V @ 1mA
25 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 100 V
-
96W(Tc)
150°C
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-SOIC
FDS6670A
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC
onsemi
8,113
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.85948
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Ta)
4.5V,10V
8 毫欧 @ 13A,10V
3V @ 250µA
30 nC @ 5 V
±20V
2220 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO252-3
IPD50R280CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO252
Infineon Technologies
5,000
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.65088
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
13A(Ta)
13V
280 毫欧 @ 4.2A,13V
3.5V @ 350µA
32.6 nC @ 10 V
±20V
773 pF @ 100 V
-
119W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
RB098BM-40FNSTL
RD3P130SPTL1
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Rohm Semiconductor
4,391
现货
1 : ¥14.86000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.71618
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
13A(Ta)
4V,10V
200 毫欧 @ 6.5A,10V
2.5V @ 1mA
40 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
20W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
RB098BM-40FNSTL
RD3P130SPFRATL
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
Rohm Semiconductor
4,684
现货
1 : ¥14.94000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.72721
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
13A(Ta)
4V,10V
200 毫欧 @ 6.5A,10V
2.5V @ 1mA
40 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 25 V
-
20W(Tc)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
HSOP8
RS1E130GNTB
MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP
Rohm Semiconductor
1,045
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.67559
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Ta)
4.5V,10V
11.7 毫欧 @ 13A,10V
2.5V @ 1mA
7.9 nC @ 10 V
±20V
420 pF @ 15 V
-
3W(Ta),22.2W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
8 SO
DMP3015LSS-13
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOP
Diodes Incorporated
1,099
现货
15,000
工厂
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.88286
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Ta)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 13A,10V
2V @ 250µA
60.4 nC @ 10 V
±20V
2748 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
RS3E130ATTB1
PCH -30V -13A POWER MOSFET : RS3
Rohm Semiconductor
7,261
现货
1 : ¥16.17000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.30068
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Ta)
4.5V,10V
8.5 毫欧 @ 13A,10V
2.5V @ 2mA
83 nC @ 10 V
±20V
3730 pF @ 15 V
-
1.4W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-HSMT
RQ3E130BNTB
MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
Rohm Semiconductor
2,850
现货
1 : ¥4.60000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.54106
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Ta)
4.5V,10V
6 毫欧 @ 13A,10V
2.5V @ 1mA
36 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSMT(3.2x3)
8-PowerVDFN
8-SOIC
RSS130N03HZGTB
NCH 30V 13A AUTOMOTIVE POWER MOS
Rohm Semiconductor
2,200
现货
1 : ¥16.75000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.03991
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Ta)
4V,10V
8.3 毫欧 @ 13A,10V
2.5V @ 1mA
35 nC @ 5 V
±20V
2000 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
4,000
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.84055
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Ta)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 13A,10V
2.25V @ 250µA
14 nC @ 4.5 V
±20V
1210 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-DSO-8-902
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
BSZ0994NSATMA1
BSZ0994NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSDSON-25
Infineon Technologies
5,000
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.78396
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Ta)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 5A,10V
2V @ 250µA
7 nC @ 4.5 V
±20V
890 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-25
8-PowerTDFN
8 SO
DMP3015LSSQ-13
MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Diodes Incorporated
2,497
现货
57,500
工厂
1 : ¥8.95000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.44812
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Ta)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 13A,10V
2V @ 250µA
60.4 nC @ 10 V
±20V
2748 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
119
现货
1 : ¥23.23000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
13A(Ta)
10V
400 毫欧 @ 6.5A,10V
4V @ 1mA
38 nC @ 10 V
±30V
1800 pF @ 25 V
-
45W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220SIS
TO-220-3 整包
TEXTISLM3671TLX-1.2/NOPB
BSO065N03MSG
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Infineon Technologies
2,500
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Ta)
4.5V,10V
6.5 毫欧 @ 16A,10V
2V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 15 V
-
1.56W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-DSO-8
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TLC4502QDG4
FDS6294
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Fairchild Semiconductor
24,838
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Ta)
4.5V,10V
11.3 毫欧 @ 13A,10V
3V @ 250µA
14 nC @ 5 V
±20V
1205 pF @ 15 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
2
现货
12,500
市场
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Ta)
4.5V,10V
6.5 毫欧 @ 16A,10V
2V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
3100 pF @ 15 V
-
1.56W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-DSO-8
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
ADM709TARZ
IRF7805TRPBF
PFET, 30V, 0.011OHM, 1OXIDE SEMI
International Rectifier
1,900
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Ta)
4.5V
11 毫欧 @ 7A,4.5V
3V @ 250µA
31 nC @ 5 V
±12V
-
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TEXTISTAS2553YFFR
FDZ206P
MOSFET P-CH 20V 13A 30BGA
Fairchild Semiconductor
369,292
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
13A(Ta)
2.5V,4.5V
9.5 毫欧 @ 13A,4.5V
1.5V @ 250µA
53 nC @ 4.5 V
±12V
4280 pF @ 10 V
-
2.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
30-BGA(4x3.5)
30-WFBGA
8-SOP
PJL9422_R2_00001
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
7,500
现货
1 : ¥4.84000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.84330
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
13A(Ta)
4.5V,10V
6.5 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±20V
1759 pF @ 25 V
-
2.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
5,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Ta)
-
10.5 毫欧 @ 7A,10V
2.5V @ 1mA
11 nC @ 5 V
-
1270 pF @ 10 V
-
-
-
-
-
表面贴装型
8-PSOP
8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
2,925
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
13A(Ta)
4.5V,10V
11.5 毫欧 @ 12A,10V
2.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
910 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
/ 107

13A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。