单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
IXYSLittelfuse Inc.
包装
卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Tc）34A（Tc）60A（Tc）80A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
38 毫欧 @ 500mA，10V52 毫欧 @ 30A，10V100 毫欧 @ 17A，10V100 毫欧 @ 500mA，10V450 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 1.5mA5V @ 2.5mA5V @ 250µA5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 10 V56 nC @ 10 V108 nC @ 10 V140 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
790 pF @ 25 V3230 pF @ 25 V6300 pF @ 25 V8300 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
40W（Tc）150W（Tc）540W（Tc）780W（Tc）890W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-220 隔离的标片TO-247-4LTO-247（IXFH）TO-252AATO-263（D2PAK）TO-268HV（IXFT）
封装/外壳
TO-220-3 全封装，隔离接片TO-247-3TO-247-4TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
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环境选项
媒体
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IXFP30N25X3M
IXFP34N65X2M
MOSFET N-CH 650V 34A TO220
IXYS
275
现货
1 : ¥59.93000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
34A（Tc）
10V
100 毫欧 @ 17A，10V
5V @ 1.5mA
56 nC @ 10 V
±30V
3230 pF @ 25 V
-
40W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220 隔离的标片
TO-220-3 全封装，隔离接片
Littelfuse_Power_Semi_TO-247_4L
IXFH80N65X2-4
MOSFET N-CH 650V 80A TO247-4L
Littelfuse Inc.
120
现货
48,720
工厂
1 : ¥128.57000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
80A（Tc）
10V
38 毫欧 @ 500mA，10V
5V @ 4mA
140 nC @ 10 V
±30V
8300 pF @ 25 V
-
890W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-252-3
IXFY8N65X2
MOSFET N-CH 650V 8A TO252AA
IXYS
50
现货
1 : ¥26.19000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
8A（Tc）
10V
450 毫欧 @ 4A，10V
5V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±30V
790 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-268HV
IXFT60N65X2HV
MOSFET N-CH 650V 60A TO268HV
IXYS
3
现货
600
工厂
1 : ¥101.15000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
60A（Tc）
10V
52 毫欧 @ 30A，10V
5V @ 4mA
108 nC @ 10 V
±30V
6300 pF @ 25 V
-
780W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-268HV（IXFT）
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
TO-263AB
IXFA34N65X2-TRL
MOSFET N-CH 650V 34A TO263
IXYS
0
现货
查看交期
800 : ¥32.55893
卷带（TR）
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
34A（Tc）
10V
100 毫欧 @ 17A，10V
5V @ 2.5mA
56 nC @ 10 V
±30V
3230 pF @ 25 V
-
540W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
IXFP30N25X3M
IXFP8N65X2M
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
IXYS
0
现货
在售
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
8A（Tc）
10V
450 毫欧 @ 4A，10V
5V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±30V
790 pF @ 25 V
-
150W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220 隔离的标片
TO-220-3 全封装，隔离接片
MOSFET N-CH 22A TO247
IXFH34N60X2A
MOSFET N-CH 22A TO247
IXYS
0
现货
在售
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
34A（Tc）
10V
100 毫欧 @ 500mA，10V
5V @ 2.5mA
56 nC @ 10 V
±30V
3230 pF @ 25 V
-
540W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247（IXFH）
TO-247-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。