IGBT 模块

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	IGBT 类型	配置	电压 - 集射极击穿（最大值）	电流 - 集电极 (Ic)（最大值）	功率 - 最大值	不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）	电流 - 集电极截止（最大值）	不同 Vce 时输入电容 (Cies)	输入	NTC 热敏电阻	工作温度	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装

FF200R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 240A 1100W Infineon Technologies	68 现货	1 : ¥777.22000 托盘	C	托盘	在售	沟槽型场截止	半桥	1200 V	240 A	1100 W	2.15V @ 15V，200A	5 mA	14 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	模块
FF200R06KE3HOSA1 IGBT MOD 600V 260A 680W Infineon Technologies	12 现货 164 市场	1 : ¥903.65000 托盘	C	散装托盘	在售	沟槽型场截止	半桥	600 V	260 A	680 W	1.9V @ 15V，200A	5 mA	-	标准	无	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	模块
FZ600R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 600A 3000W Infineon Technologies	31 现货	1 : ¥937.40000 托盘	C	托盘	在售	-	单路	1200 V	600 A	3000 W	2.1V @ 15V，600A	5 mA	1.7 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 125°C	底座安装	模块	模块
FF300R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 460A 1600W Infineon Technologies	27 现货	1 : ¥943.96000 托盘	C	托盘	在售	沟槽型场截止	2 个独立式	1200 V	460 A	1600 W	2.15V @ 15V，300A	5 mA	19 nF @ 25 V	标准	是	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
FF400R06KE3HOSA1 IGBT MOD 600V 500A 1250W Infineon Technologies	71 现货	1 : ¥1,181.23000 托盘	C	托盘	在售	沟槽型场截止	半桥	600 V	500 A	1250 W	1.9V @ 15V，400A	5 mA	-	标准	无	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	模块
FF450R12KT4HOSA1 IGBT MOD 1200V 580A 2400W Infineon Technologies	110 现货	1 : ¥1,196.17000 托盘	C	托盘	在售	沟槽型场截止	半桥	1200 V	450 A	2400 W	2.15V @ 15V，450A	5 mA	28 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	模块
FZ900R12KE4HOSA1 IGBT MOD 1200V 900A 4300W Infineon Technologies	137 现货	1 : ¥1,235.33000 托盘	C	托盘	在售	沟槽型场截止	单路	1200 V	900 A	4300 W	2.1V @ 15V，900A	5 mA	56 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	模块
FF600R12KE4BOSA1 IGBT MODULE 1200V 600A Infineon Technologies	32 现货	1 : ¥1,469.31000 托盘	C	托盘	在售	沟槽型场截止	半桥	1200 V	600 A	-	2.2V @ 15V，600A	5 mA	38 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
FF400R12KE3HOSA1 IGBT MOD 1200V 580A 2000W Infineon Technologies	33 现货	1 : ¥1,514.71000 托盘	C	托盘	在售	沟槽型场截止	半桥	1200 V	580 A	2000 W	2.15V @ 15V，400A	5 mA	28 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 125°C（TJ）	底座安装	模块	模块
FF300R12KT3HOSA1 IGBT MOD 1200V 480A 1450W Infineon Technologies	10 现货 207 市场	1 : ¥1,143.79000 托盘	C	散装托盘	不适用于新设计	沟槽型场截止	2 个独立式	1200 V	480 A	1450 W	2.15V @ 15V，300A	5 mA	21 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 125°C	底座安装	模块	模块
FF150R12KE3GB2HOSA1 IGBT MODULE VCES 1200V 150A Infineon Technologies	6 现货 190 市场	1 : ¥925.82000 托盘	C	散装托盘	在售	沟槽型场截止	半桥逆变器	1200 V	225 A	780 W	2.15V @ 15V，150A	5 mA	11 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 125°C（TJ）	底座安装	模块	模块
FZ400R17KE3S4HOSA1 IGBT MOD 1700V 620A 2250W Infineon Technologies	10 现货 363 市场	1 : ¥1,312.42000 托盘	C	散装托盘	在售	沟槽型场截止	单路	1700 V	620 A	2250 W	2.45V @ 15V，400A	3 mA	36 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 125°C	底座安装	模块	模块
FF200R17KE3S4HOSA1 IGBT MODULE VCES 1200V 200A Infineon Technologies	10 现货 328 市场	1 : ¥1,312.42000 托盘	C	散装托盘	在售	沟槽型场截止	半桥逆变器	1700 V	310 A	1250 W	2.45V @ 15V，200A	3 mA	18 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 125°C（TJ）	底座安装	模块	模块
FD400R12KE3B5HOSA1 IGBT MOD 1200V 580A 2000W Infineon Technologies	0 现货 100 市场查看交期	1 : ¥1,368.90000 托盘	C	散装托盘	在售	沟槽型场截止	单斩波器	1200 V	580 A	2000 W	2.15V @ 15V，400A	5 mA	28 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 125°C	底座安装	模块	模块
FF200R12KT3EHOSA1 IGBT MODULE 1200V 1050W Infineon Technologies	0 现货 391 市场	10 : ¥993.19800 托盘	C	散装托盘	不适用于新设计	-	2 个独立式	1200 V	-	1050 W	2.15V @ 15V，200A	5 mA	14 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 125°C	底座安装	模块	模块
FF450R12KT4PHOSA1 IGBT MODULE 1200V 450A Infineon Technologies	0 现货 38 市场查看交期	8 : ¥1,238.67500 托盘	C	散装托盘	在售	沟槽型场截止	半桥	1200 V	450 A	-	2.15V @ 15V，450A	5 mA	28 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 150°C	底座安装	模块	模块
FD300R12KS4B5HOSA1 IGBT MOD 1200V 370A 1950W Infineon Technologies	0 现货 536 市场	10 : ¥1,261.63400 托盘	C	散装托盘	不适用于新设计	-	单斩波器	1200 V	370 A	1950 W	3.75V @ 15V，300A	5 mA	20 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 125°C	底座安装	模块	模块
FD300R12KS4HOSA1 IGBT MOD 1200V 370A 1950W Infineon Technologies	0 现货 276 市场	10 : ¥1,174.00200 托盘	C	散装托盘	不适用于新设计	-	单斩波器	1200 V	370 A	1950 W	3.75V @ 15V，300A	5 mA	20 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 125°C	底座安装	模块	模块
FF300R12KT3PEHOSA1 IGBT MODULE 1200V 300A Infineon Technologies	0 现货 61 市场	8 : ¥1,365.84500 托盘	C	散装托盘	不适用于新设计	沟槽型场截止	半桥逆变器	1200 V	300 A	-	2.15V @ 15V，300A	5 mA	21 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 125°C	底座安装	模块	模块
DF400R12KE3HOSA1 IGBT MOD 1200V 580A 2000W Infineon Technologies	0 现货 332 市场查看交期	10 : ¥1,282.14200 托盘	C	散装托盘	在售	沟槽型场截止	单路	1200 V	580 A	2000 W	2.15V @ 15V，400A	5 mA	28 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 125°C	底座安装	模块	模块
FF400R12KT3EHOSA1 IGBT MOD 1200V 580A 2000W Infineon Technologies	0 现货 393 市场	10 : ¥1,493.99600 托盘	C	散装托盘	不适用于新设计	-	2 个独立式	1200 V	580 A	2000 W	2.15V @ 15V，400A	5 mA	28 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 125°C	底座安装	模块	模块
FF400R12KT3PEHOSA1 IGBT MODULE 1200V 400A Infineon Technologies	0 现货 84 市场	8 : ¥1,648.42625 托盘	C	散装托盘	不适用于新设计	沟槽型场截止	半桥	1200 V	400 A	-	2.15V @ 15V，400A	5 mA	28 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 125°C	底座安装	模块	模块
FF600R12KE3NOSA1 IGBT MODULE 1200V 600A Infineon Technologies	0 现货 28 市场	停产	C	散装托盘	停产	-	2 个独立式	1200 V	850 A	2800 W	2.15V @ 15V，600A	5 mA	-	标准	无	-40°C ~ 125°C（TJ）	底座安装	模块	模块
FF200R12KT4HOSA1 IGBT MOD 1200V 320A 1100W Infineon Technologies	19 现货	1 : ¥777.22000 托盘	C	托盘	在售	沟槽型场截止	半桥	1200 V	320 A	1100 W	2.15V @ 15V，200A	5 mA	14 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	模块
FF300R12KT4HOSA1 IGBT MOD 1200V 450A 1600W Infineon Technologies	15 现货	1 : ¥943.96000 托盘	C	托盘	在售	沟槽型场截止	半桥	1200 V	450 A	1600 W	2.15V @ 15V，300A	5 mA	19 nF @ 25 V	标准	无	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	模块

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绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥；升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

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