FF200R17KE3S4HOSA1

DigiKey 零件编号
FF200R17KE3S4HOSA1-ND
制造商
制造商产品编号
FF200R17KE3S4HOSA1
描述
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
原厂标准交货期
16 周
客户内部零件编号
详细描述
IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥逆变器 1700 V 310 A 1250 W 底座安装 模块
规格书
 规格书
产品属性
类型
描述
全选
类别
制造商
Infineon Technologies
系列
包装
托盘
零件状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
半桥逆变器
电压 - 集射极击穿(最大值)
1700 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
310 A
功率 - 最大值
1250 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.45V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值)
3 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
18 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
工作温度
-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
所有价格均以 CNY 计算
托盘
数量 单价
(含13%增值税)
总价
(含13%增值税)
1¥1,312.42000¥1,312.42
10¥1,229.20500¥12,292.05
30¥1,182.99467¥35,489.84
制造商标准包装
注意:由于 DigiKey 的增值服务,当产品采购数量低于标准包装时,包装类型可能有变。

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