FET、MOSFET 阵列

结果 : 13
制造商
Diodes IncorporatedMicro Commercial CoNexperia USA Inc.NXP SemiconductorsPanjit International Inc.
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
不适用于新设计在售
配置
2 个 P 沟道2 个 P 沟道(双)N 和 P 沟道N 和 P 沟道互补型
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
360mA(Ta)410mA500mA500mA(Ta),360mA(Ta)570mA(Ta),2.3A(Tc)590mA(Ta),410mA(Ta)600mA600mA,500mA600mA(Ta)930mA(Ta),3.5A(Tc),570mA(Ta),2.3A(Tc)6A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
25毫欧 @ 5A,4.5V,42毫欧 @ 5A,4.5V320 毫欧 @ 1.2A,4.5V,770 毫欧 @ 1.2A,4.5V600 毫欧 @ 300mA,4.5V620 毫欧 @ 600mA,4.5V670 毫欧 @ 590mA,4.5V,1.4 欧姆 @ 410mA,4.5V770 毫欧 @ 1.2A,4.5V990 毫欧 @ 100mA,4.5V,1.9 欧姆 @ 100mA,4.5V1.4 欧姆 @ 410mA,4.5V1.4 欧姆 @ 500mA,4.5V1.9 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250µA1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.28nC @ 4.5V,0.3nC @ 4.5V0.3nC @ 4.5V0.7nC @ 4.5V0.8nC @ 4.5V0.9nC @ 4.5V,0.8nC @ 4.5V1.05nC @ 4.5V,1.2nC @ 4.5V1.1nC @ 4.5V1.2nC @ 4.5V2.1nC @ 4.5V6.05nC @ 4.5V,10.98nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
14.6pF @ 16V,17pF @ 16V17pF @ 16V21.3pF @ 10V30.3pF @ 15V,43.2pF @ 15V43pF @ 10V43.2pF @ 15V43.6pF @ 10V,53.5pF @ 10V51pF @ 10V53.5pF @ 10V418pF @ 10V,1010pF @ 10V
功率 - 最大值
265mW280mW(Ta),6W(Tc)285mW285mW(Ta)370mW(Ta)380mW380mW(Ta)400mW(Ta)2.2W,1.8W
封装/外壳
6-UFDFN6-VDFN 裸露焊盘6-XFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
DFN1010-6LDFN1010B-6DFN2020-6LX2-DFN1010-6(UXC 型)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
搜索条目

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/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
6DFN
PMCXB900UEZ
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
104,634
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.78325
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道互补型
逻辑电平门
20V
600mA,500mA
620 毫欧 @ 600mA,4.5V
950mV @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
21.3pF @ 10V
265mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-XFDFN 裸露焊盘
DFN1010B-6
6DFN
PMCXB900UELZ
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
9,348
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.82426
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道互补型
-
20V
600mA
620 毫欧 @ 600mA,4.5V
950mV @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
21.3pF @ 10V
380mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-XFDFN 裸露焊盘
DFN1010B-6
6DFN
PMDXB950UPELZ
MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Nexperia USA Inc.
33,903
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.70092
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
20V
500mA
1.4 欧姆 @ 500mA,4.5V
950mV @ 250µA
2.1nC @ 4.5V
43pF @ 10V
380mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-XFDFN 裸露焊盘
DFN1010B-6
6DFN
PMDXB950UPEZ
MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Nexperia USA Inc.
11,750
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.62508
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
20V
500mA
1.4 欧姆 @ 500mA,4.5V
950mV @ 250µA
2.1nC @ 4.5V
43pF @ 10V
265mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-XFDFN 裸露焊盘
DFN1010B-6
6DFN
PMCXB1000UEZ
MOSFET N/P-CH 30V 0.59A 6DFN
Nexperia USA Inc.
3,095
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.95099
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道互补型
-
30V
590mA(Ta),410mA(Ta)
670 毫欧 @ 590mA,4.5V,1.4 欧姆 @ 410mA,4.5V
950mV @ 250µA
1.05nC @ 4.5V,1.2nC @ 4.5V
30.3pF @ 15V,43.2pF @ 15V
285mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-XFDFN 裸露焊盘
DFN1010B-6
X2-DFN1010-6
DMP22D5UDR4-7
MOSFET 2P-CH 20V 0.36A 6DFN
Diodes Incorporated
4,659
现货
115,000
工厂
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.25810
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
20V
360mA(Ta)
1.9 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.3nC @ 4.5V
17pF @ 16V
380mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-XFDFN 裸露焊盘
X2-DFN1010-6(UXC 型)
X2-DFN1010-6
DMC2991UDR4-7
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A 6DFN
Diodes Incorporated
3,335
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.35626
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
20V
500mA(Ta),360mA(Ta)
990 毫欧 @ 100mA,4.5V,1.9 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.28nC @ 4.5V,0.3nC @ 4.5V
14.6pF @ 16V,17pF @ 16V
370mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-XFDFN 裸露焊盘
X2-DFN1010-6(UXC 型)
6DFN
PMDXB590UPEZ
MOSFET 2P-CH 20V 0.57A 6DFN
Nexperia USA Inc.
4,965
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.66598
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道
-
20V
570mA(Ta),2.3A(Tc)
770 毫欧 @ 1.2A,4.5V
1V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
53.5pF @ 10V
280mW(Ta),6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-XFDFN 裸露焊盘
DFN1010B-6
6DFN
PMCXB290UEZ
MOSFET N/P-CH 20V 0.93A 6DFN
Nexperia USA Inc.
2,067
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.68568
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道互补型
-
20V
930mA(Ta),3.5A(Tc),570mA(Ta),2.3A(Tc)
320 毫欧 @ 1.2A,4.5V,770 毫欧 @ 1.2A,4.5V
1V @ 250µA
0.9nC @ 4.5V,0.8nC @ 4.5V
43.6pF @ 10V,53.5pF @ 10V
280mW(Ta),6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-XFDFN 裸露焊盘
DFN1010B-6
TEXTISLM3671TLX-1.2/NOPB
PMCXB900UEZ
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
NXP Semiconductors
1,684,401
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道互补型
逻辑电平门
20V
600mA,500mA
620 毫欧 @ 600mA,4.5V
950mV @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
21.3pF @ 10V
265mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-XFDFN 裸露焊盘
DFN1010B-6
6DFN
PMDXB1200UPEZ
MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN
Nexperia USA Inc.
947
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.84338
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
30V
410mA
1.4 欧姆 @ 410mA,4.5V
950mV @ 250µA
1.2nC @ 4.5V
43.2pF @ 15V
285mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-XFDFN 裸露焊盘
DFN1010B-6
MCM2301-TP
MCMNP2065-TP
MOSFET N/P-CH 20V 6A 6DFN
Micro Commercial Co
0
现货
查看交期
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.04073
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
20V
6A(Ta)
25毫欧 @ 5A,4.5V,42毫欧 @ 5A,4.5V
1V @ 250µA
6.05nC @ 4.5V,10.98nC @ 4.5V
418pF @ 10V,1010pF @ 10V
2.2W,1.8W
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-VDFN 裸露焊盘
DFN2020-6L
0
现货
5,000 : ¥0.75386
卷带(TR)
-
卷带(TR)
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
20V
600mA(Ta)
600 毫欧 @ 300mA,4.5V
1V @ 250µA
1.1nC @ 4.5V
51pF @ 10V
400mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
6-UFDFN
DFN1010-6L
显示
/ 13

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。