FET、MOSFET 阵列
结果 : 13
制造商
系列
包装
产品状态
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
封装/外壳
供应商器件封装
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | 技术 | 配置 | FET 功能 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 功率 - 最大值 | 工作温度 | 安装类型 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 |
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104,634 现货 | 1 : ¥3.04000 剪切带(CT) 5,000 : ¥0.78325 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | N 和 P 沟道互补型 | 逻辑电平门 | 20V | 600mA,500mA | 620 毫欧 @ 600mA,4.5V | 950mV @ 250µA | 0.7nC @ 4.5V | 21.3pF @ 10V | 265mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 6-XFDFN 裸露焊盘 | DFN1010B-6 | |||
9,348 现货 | 1 : ¥3.20000 剪切带(CT) 5,000 : ¥0.82426 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | N 和 P 沟道互补型 | - | 20V | 600mA | 620 毫欧 @ 600mA,4.5V | 950mV @ 250µA | 0.7nC @ 4.5V | 21.3pF @ 10V | 380mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 6-XFDFN 裸露焊盘 | DFN1010B-6 | ||
33,903 现货 | 1 : ¥2.30000 剪切带(CT) 5,000 : ¥0.70092 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 个 P 沟道(双) | - | 20V | 500mA | 1.4 欧姆 @ 500mA,4.5V | 950mV @ 250µA | 2.1nC @ 4.5V | 43pF @ 10V | 380mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 6-XFDFN 裸露焊盘 | DFN1010B-6 | ||
11,750 现货 | 1 : ¥2.87000 剪切带(CT) 5,000 : ¥0.62508 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 个 P 沟道(双) | 逻辑电平门 | 20V | 500mA | 1.4 欧姆 @ 500mA,4.5V | 950mV @ 250µA | 2.1nC @ 4.5V | 43pF @ 10V | 265mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 6-XFDFN 裸露焊盘 | DFN1010B-6 | ||
3,095 现货 | 1 : ¥3.69000 剪切带(CT) 5,000 : ¥0.95099 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | N 和 P 沟道互补型 | - | 30V | 590mA(Ta),410mA(Ta) | 670 毫欧 @ 590mA,4.5V,1.4 欧姆 @ 410mA,4.5V | 950mV @ 250µA | 1.05nC @ 4.5V,1.2nC @ 4.5V | 30.3pF @ 15V,43.2pF @ 15V | 285mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 6-XFDFN 裸露焊盘 | DFN1010B-6 | ||
4,659 现货 115,000 工厂 | 1 : ¥2.30000 剪切带(CT) 5,000 : ¥0.25810 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 个 P 沟道(双) | - | 20V | 360mA(Ta) | 1.9 欧姆 @ 100mA,4.5V | 1V @ 250µA | 0.3nC @ 4.5V | 17pF @ 16V | 380mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 6-XFDFN 裸露焊盘 | X2-DFN1010-6(UXC 型) | ||
3,335 现货 | 1 : ¥2.30000 剪切带(CT) 5,000 : ¥0.35626 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | N 和 P 沟道 | - | 20V | 500mA(Ta),360mA(Ta) | 990 毫欧 @ 100mA,4.5V,1.9 欧姆 @ 100mA,4.5V | 1V @ 250µA | 0.28nC @ 4.5V,0.3nC @ 4.5V | 14.6pF @ 16V,17pF @ 16V | 370mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 6-XFDFN 裸露焊盘 | X2-DFN1010-6(UXC 型) | ||
4,965 现货 | 1 : ¥3.12000 剪切带(CT) 5,000 : ¥0.66598 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 个 P 沟道 | - | 20V | 570mA(Ta),2.3A(Tc) | 770 毫欧 @ 1.2A,4.5V | 1V @ 250µA | 0.8nC @ 4.5V | 53.5pF @ 10V | 280mW(Ta),6W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 6-XFDFN 裸露焊盘 | DFN1010B-6 | ||
2,067 现货 | 1 : ¥3.20000 剪切带(CT) 5,000 : ¥0.68568 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | N 和 P 沟道互补型 | - | 20V | 930mA(Ta),3.5A(Tc),570mA(Ta),2.3A(Tc) | 320 毫欧 @ 1.2A,4.5V,770 毫欧 @ 1.2A,4.5V | 1V @ 250µA | 0.9nC @ 4.5V,0.8nC @ 4.5V | 43.6pF @ 10V,53.5pF @ 10V | 280mW(Ta),6W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 6-XFDFN 裸露焊盘 | DFN1010B-6 | ||
1,684,401 市场 | 不可用 | 散装 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | N 和 P 沟道互补型 | 逻辑电平门 | 20V | 600mA,500mA | 620 毫欧 @ 600mA,4.5V | 950mV @ 250µA | 0.7nC @ 4.5V | 21.3pF @ 10V | 265mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 6-XFDFN 裸露焊盘 | DFN1010B-6 | |||
947 现货 | 1 : ¥3.04000 剪切带(CT) 5,000 : ¥0.84338 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | 2 个 P 沟道(双) | - | 30V | 410mA | 1.4 欧姆 @ 410mA,4.5V | 950mV @ 250µA | 1.2nC @ 4.5V | 43.2pF @ 15V | 285mW | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 6-XFDFN 裸露焊盘 | DFN1010B-6 | ||
0 现货 查看交期 | 1 : ¥3.86000 剪切带(CT) 3,000 : ¥1.04073 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | MOSFET(金属氧化物) | N 和 P 沟道 | - | 20V | 6A(Ta) | 25毫欧 @ 5A,4.5V,42毫欧 @ 5A,4.5V | 1V @ 250µA | 6.05nC @ 4.5V,10.98nC @ 4.5V | 418pF @ 10V,1010pF @ 10V | 2.2W,1.8W | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 6-VDFN 裸露焊盘 | DFN2020-6L | ||
0 现货 | 5,000 : ¥0.75386 卷带(TR) | - | 卷带(TR) | 不适用于新设计 | MOSFET(金属氧化物) | 2 个 P 沟道(双) | - | 20V | 600mA(Ta) | 600 毫欧 @ 300mA,4.5V | 1V @ 250µA | 1.1nC @ 4.5V | 51pF @ 10V | 400mW(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 6-UFDFN | DFN1010-6L |
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