FET、MOSFET 阵列

结果 : 8
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Goford SemiconductorGood-Ark SemiconductoronsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计停产在售
技术
-MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）N 和 P 沟道N 和 P 沟道，共漏N 和 P 沟道互补型
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V40V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A8A（Tc），12A（Tc）9A，18.5A9A，6.5A19A（Tc），17A（Tc）30A（Tc）50A（Tc），60A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.2 毫欧 @ 9.8A，10V，27 毫欧 @ 6A，10V17 毫欧 @ 20A，10V，23 毫欧 @ 10A，10V24 毫欧 @ 9A，10V25 毫欧 @ 8A，10V，27 毫欧 @ 12A，10V27 毫欧 @ 6A，10V30 毫欧 @ 15A，10V30 毫欧 @ 6A，10V50 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA，4V @ 250µA2.3V @ 250µA2.3V @ 250µA，2.5V @ 250µA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA，2.4V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7nC @ 4.5V，12nC @ 4.5V10nC @ 10V10.8nC @ 10V20nC @ 10V24nC @ 10V38.1nC @ 10V38.3nC @ 10V，45nC @ 10V39nC @ 4.5V，62nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
170pF @ 15V395pF @ 15V，730pF @ 15V650pF @ 20V1000pF @ 20V1720pF @ 30V，1810pF @ 30V1843pF @ 20V，1628pF @ 20V1850pF @ 20V2429pF @ 30V，4471pF @ 30V
功率 - 最大值
1.3W1.5W2W19W（Tc），30W（Tc）20.1W（Tc）48W48W（Tc）69W（Tc），115W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
封装/外壳
8-PowerVDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8 双TO-252-5，DPAK（4 引线 + 耳片），TO-252AD
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）8-SOICPowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8 双TO-252-4TO-252-4LTO-252（DPAK）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
46,439
现货
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.12681
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
40V
6A
30 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
10.8nC @ 10V
650pF @ 20V
2W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
8-DFN
AON7611
MOSFET N/P-CH 30V 9A/18.5A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
53,803
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.33405
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道，共漏
逻辑电平门
30V
9A，18.5A
50 毫欧 @ 4A，10V
2.5V @ 250µA
10nC @ 10V
170pF @ 15V
1.5W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PowerVDFN
8-DFN-EP（3x3）
PowerPAK® SO-8 Dual
SQJ500AEP-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
Vishay Siliconix
7,529
现货
1 : ¥12.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.25836
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
N 和 P 沟道
-
40V
30A（Tc）
27 毫欧 @ 6A，10V
2.3V @ 250µA
38.1nC @ 10V
1850pF @ 20V
48W
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
PowerPak® SO-8
SQJ500AEP-T1_BE3
MOSFET N/P-CH 40V 30A PPAK SO8
Vishay Siliconix
5,891
现货
1 : ¥12.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.25836
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
-
40V
30A（Tc）
9.2 毫欧 @ 9.8A，10V，27 毫欧 @ 6A，10V
2.3V @ 250µA，2.5V @ 250µA
38.3nC @ 10V，45nC @ 10V
1843pF @ 20V，1628pF @ 20V
48W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
G180C06Y
G180C06Y
MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
Goford Semiconductor
1,738
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.76114
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道，共漏
-
60V
50A（Tc），60A（Tc）
17 毫欧 @ 20A，10V，23 毫欧 @ 10A，10V
2V @ 250µA，4V @ 250µA
39nC @ 4.5V，62nC @ 4.5V
2429pF @ 30V，4471pF @ 30V
69W（Tc），115W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252-5，DPAK（4 引线 + 耳片），TO-252AD
TO-252-4
GSFD06C20
GSFD06C20
MOSFET N/P-CH 60V 19A TO252-4
Good-Ark Semiconductor
4,518
现货
1 : ¥10.67000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.89241
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道互补型
-
60V
19A（Tc），17A（Tc）
30 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
24nC @ 10V
1720pF @ 30V，1810pF @ 30V
20.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252-5，DPAK（4 引线 + 耳片），TO-252AD
TO-252-4
TO-252-5
FDD8424H
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A TO252
onsemi
0
现货
停产
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
逻辑电平门
40V
9A，6.5A
24 毫欧 @ 9A，10V
3V @ 250µA
20nC @ 10V
1000pF @ 20V
1.3W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252-5，DPAK（4 引线 + 耳片），TO-252AD
TO-252（DPAK）
TO-252-4L
AOD607A
MOSFET N/P-CH 30V 8A TO252-4L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
查看交期
2,500 : ¥3.28223
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道互补型
-
30V
8A（Tc），12A（Tc）
25 毫欧 @ 8A，10V，27 毫欧 @ 12A，10V
2.6V @ 250µA，2.4V @ 250µA
7nC @ 4.5V，12nC @ 4.5V
395pF @ 15V，730pF @ 15V
19W（Tc），30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252-5，DPAK（4 引线 + 耳片），TO-252AD
TO-252-4L
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。