FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）2 个 N 通道（半桥）
FET 功能
-逻辑电平门
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A40A98A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.2 毫欧 @ 20A，10V6 毫欧 @ 25A，10V8.5 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 1mA3.6V @ 1mA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21.8nC @ 10V35.4nC @ 10V37nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1439pF @ 25V2590pF @ 25V3281pF @ 25V
功率 - 最大值
53W68W85W（Ta）
资质
AEC-Q100AEC-Q101
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
LFPAK56D
BUK7K8R7-40EX
MOSFET 2N-CH 40V 30A LFPAK56D
Nexperia USA Inc.
300
现货
1 : ¥11.33000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.40861
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
40V
30A
8.5 毫欧 @ 15A，10V
4V @ 1mA
21.8nC @ 10V
1439pF @ 25V
53W
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
SOT-1205，8-LFPAK56
LFPAK56D
LFPAK56D
BUK9K6R2-40E,115
MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
Nexperia USA Inc.
5,527
现货
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
1,500 : ¥6.24875
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
40V
40A
6 毫欧 @ 25A，10V
2.1V @ 1mA
35.4nC @ 10V
3281pF @ 25V
68W
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-1205，8-LFPAK56
LFPAK56D
LFPAK56D
BUK7V4R2-40HX
MOSFET 2N-CH 40V 98A LFPAK56D
Nexperia USA Inc.
5,235
现货
1 : ¥23.56000
剪切带（CT）
1,500 : ¥10.19554
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 N 通道（半桥）
-
40V
98A（Ta）
4.2 毫欧 @ 20A，10V
3.6V @ 1mA
37nC @ 10V
2590pF @ 25V
85W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-1205，8-LFPAK56
LFPAK56D
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。