FET、MOSFET 阵列

结果 : 15
制造商
Diodes IncorporatedMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 N 沟道(双)共漏2 N-通道(双)2 个 N 沟道2 个 P 沟道(双)N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平栅极,0.9V 驱动逻辑电平栅极,1.8V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V50V60V100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA280mA320mA590mA700mA2.9A3.3A3.8A,2.5A3.9A4A5A7.5A9A12.1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.4 毫欧 @ 5.5A,4.5V13 毫欧 @ 4A,4.5V20.2 毫欧 @ 4.5A,4.5V32 毫欧 @ 5.8A,10V45 毫欧 @ 5A,4.5V55 毫欧 @ 3.4A,10V70 毫欧 @ 5.3A,10V84毫欧 @ 2A,4.5V85 毫欧 @ 8A,10V123 毫欧 @ 2.9A,4.5V300 毫欧 @ 700mA,4.5V670 毫欧 @ 590mA,4.5V1.6 欧姆 @ 300mA,10V2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 1mA950mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.5V @ 250A1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.8nC @ 4.5V1.05nC @ 4.5V1.4nC @ 4.5V1.8nC @ 4.5V3nC @ 4.5V8nC @ 10V11nC @ 10V12nC @ 10V12.3nC @ 10V16nC @ 4.5V18.4nC @ 8V42.3nC @ 10V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
26pF @ 10V30.3pF @ 15V50pF @ 10V50pF @ 25V113pF @ 10V129pF @ 15V220pF @ 15V250pF @ 50V389pF @ 10V422pF @ 15V563pF @ 25V887pF @ 10V1155pF @ 15V1418pF @ 10V
功率 - 最大值
120mW150mW285mW300mW420mW650mW730mW800mW850mW900mW1W1.1W1.4W25W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-UDFN 裸露焊盘6-UFDFN 裸露焊盘6-VDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘6-XFDFN 裸露焊盘8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)PowerPAK® 1212-8 双SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
6-MicroFET(2x2)6-TSSOP6-UDFN(2x2)8-SODFN1010B-6DFN2020-6LPowerPAK® 1212-8 双SC-88(SC-70-6)SOT-563TSOT-26U-DFN2020-6(B 类)U-DFN2030-6(B 类)UMT6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果

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/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
346,187
现货
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.47995
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平栅极,0.9V 驱动
50V
200mA
2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
800mV @ 1mA
-
26pF @ 10V
120mW
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
UMT6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
241,855
现货
412,500
工厂
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
2,500 : ¥0.64654
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
30V
3.9A
70 毫欧 @ 5.3A,10V
3V @ 250µA
11nC @ 10V
563pF @ 25V
1.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
59,874
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.86000
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
280mA
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
150mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
6DFN
PMDXB550UNEZ
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Nexperia USA Inc.
31,256
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.82440
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
30V
590mA
670 毫欧 @ 590mA,4.5V
950mV @ 250µA
1.05nC @ 4.5V
30.3pF @ 15V
285mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-XFDFN 裸露焊盘
DFN1010B-6
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
334,015
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.59797
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
320mA
1.6 欧姆 @ 300mA,10V
1.5V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
50pF @ 10V
420mW
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
MCMNP2065A-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
17,929
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88502
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 N 沟道
-
30V
5A
32 毫欧 @ 5.8A,10V
1.5V @ 250µA
-
1155pF @ 15V
1.4W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-VDFN 裸露焊盘
DFN2020-6L
145,595
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.06399
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平栅极,1.8V 驱动
30V
4A
84毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 1mA
1.8nC @ 4.5V
129pF @ 15V
1W
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-WDFN 裸露焊盘
6-UDFN(2x2)
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
45,807
现货
2,769,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68119
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
3.8A,2.5A
55 毫欧 @ 3.4A,10V
1.5V @ 250µA
12.3nC @ 10V
422pF @ 15V
850mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
U-DFN2020-6
DMN2050LFDB-13
MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 6UDFN
Diodes Incorporated
23,264
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.94310
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
3.3A
45 毫欧 @ 5A,4.5V
1V @ 250µA
12nC @ 10V
389pF @ 10V
730mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-UDFN 裸露焊盘
U-DFN2020-6(B 类)
U-DFN2030-6 Type B
DMN2008LFU-7
MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN
Diodes Incorporated
9,467
现货
147,000
工厂
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.88256
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双)共漏
-
20V
14.5A
5.4 毫欧 @ 5.5A,4.5V
1.5V @ 250A
42.3nC @ 10V
1418pF @ 10V
1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-UFDFN 裸露焊盘
U-DFN2030-6(B 类)
SOT 363
FDG6335N
MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC88
onsemi
8,574
现货
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.74653
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
700mA
300 毫欧 @ 700mA,4.5V
1.5V @ 250µA
1.4nC @ 4.5V
113pF @ 10V
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88(SC-70-6)
FDMAxxxxxZ
FDMA2002NZ
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
onsemi
24,456
现货
1 : ¥6.24000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.37263
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
2.9A
123 毫欧 @ 2.9A,4.5V
1.5V @ 250µA
3nC @ 4.5V
220pF @ 15V
650mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-VDFN 裸露焊盘
6-MicroFET(2x2)
PowerPAK® 1212-8 Dual
SIS990DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212
Vishay Siliconix
13,139
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.01070
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
100V
12.1A
85 毫欧 @ 8A,10V
4V @ 250µA
8nC @ 10V
250pF @ 50V
25W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8 双
PowerPAK® 1212-8 双
U-DFN2030-6 Type B
DMN2028UFU-7
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
Diodes Incorporated
5,988
现货
12,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.18435
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双)共漏
-
20V
7.5A
20.2 毫欧 @ 4.5A,4.5V
1V @ 250µA
18.4nC @ 8V
887pF @ 10V
900mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-UFDFN 裸露焊盘
U-DFN2030-6(B 类)
U-DFN2030-6 Type B
DMN2014LHAB-7
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
Diodes Incorporated
2,732
现货
108,000
工厂
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.39914
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双)共漏
逻辑电平门
20V
9A
13 毫欧 @ 4A,4.5V
1.1V @ 250µA
16nC @ 4.5V
1550pF @ 10V
800mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-UFDFN 裸露焊盘
U-DFN2030-6(B 类)
显示
/ 15

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。