FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Diodes Incorporatedonsemi
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N 和 2 P 沟道（全桥）N 和 P 沟道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.6A，1.9A6A，4.2A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V90 毫欧 @ 2.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.5nC @ 4.5V11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
295pF @ 15V590pF @ 15V, 631pF @ 15V
功率 - 最大值
900mW1.5W（Ta）
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSOP8-SO
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
6-TSOP
NTGD4167CT1G
MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP
onsemi
918,115
现货
15,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.48493
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
2.6A，1.9A
90 毫欧 @ 2.6A，4.5V
1.5V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
295pF @ 15V
900mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
6-TSOP
8 SO
DMHC3025LSD-13
MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO
Diodes Incorporated
73,260
现货
1,020,000
工厂
1 : ¥6.98000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.64842
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N 和 2 P 沟道（全桥）
逻辑电平门
30V
6A，4.2A
25mOhm @ 5A, 10V, 50mOhm @ 5A, 10V
2V @ 250µA
11.7nC @ 10V, 11.4nC @ 10V
590pF @ 15V, 631pF @ 15V
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SO
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。