FET、MOSFET 阵列

结果 : 10
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-OptiMOS™OptiMOS™ 2TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
配置
2 N-通道(双)2 个 P 沟道(双)
FET 功能
-逻辑电平栅极,1.5V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA(Ta)295mA300mA300mA(Ta)540mA860mA870mA(Ta)880mA950mA3.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
70 毫欧 @ 5.3A,10V252 毫欧 @ 900mA,4.5V350 毫欧 @ 200mA,4.5V350 毫欧 @ 950mA,4.5V400 毫欧 @ 880mA,2.5V550 毫欧 @ 540mA,4.5V1.5 欧姆 @ 100mA,10V1.6 欧姆 @ 500mA,10V2.2 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
750mV @ 1.6µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.2V @ 1.6µA1.25V @ 250µA1.5V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.26nC @ 2.5V0.32nC @ 4.5V0.6nC @ 4.5V0.72nC @ 4.5V0.9nC @ 4.5V1.65nC @ 4.5V11nC @ 10V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
12pF @ 10V26pF @ 20V34pF @ 20V40pF @ 10V50pF @ 10V63pF @ 10V78pF @ 10V81pF @ 15V150pF @ 16V563pF @ 25V
功率 - 最大值
200mW250mW260mW(Ta)285mW295mW300mW410mW500mW1.1W
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-VSSOP,SC-88,SOT-3638-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
6-TSSOP8-SOPG-SOT363-POSC-88/SC70-6/SOT-363SOT-363US6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果

显示
/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
416,851
现货
1 : ¥1.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.33908
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
300mA
1.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V
40pF @ 10V
285mW
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
US6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
241,855
现货
412,500
工厂
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
2,500 : ¥0.64652
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
30V
3.9A
70 毫欧 @ 5.3A,10V
3V @ 250µA
11nC @ 10V
563pF @ 25V
1.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
212,469
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.55811
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平栅极,1.5V 驱动
20V
250mA(Ta)
2.2 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 1mA
-
12pF @ 10V
300mW
150°C
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
US6
SOT-363 PKG
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
38,268
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80585
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
950mA
350 毫欧 @ 950mA,4.5V
1.2V @ 1.6µA
0.32nC @ 4.5V
63pF @ 10V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-VSSOP,SC-88,SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
71,830
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.74165
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
860mA
350 毫欧 @ 200mA,4.5V
1.5V @ 250µA
0.72nC @ 4.5V
34pF @ 20V
410mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
SOT-363 PKG
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
143,857
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.82224
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
880mA
400 毫欧 @ 880mA,2.5V
750mV @ 1.6µA
0.26nC @ 2.5V
78pF @ 10V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-VSSOP,SC-88,SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT-363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
123,851
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.49293
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
295mA
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.9nC @ 4.5V
26pF @ 20V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
251,233
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60791
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
300mA(Ta)
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V
50pF @ 10V
295mW
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
SOT363
PMGD175XNEX
MOSFET 2N-CH 30V 870MA 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
8,524
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.90907
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
30V
870mA(Ta)
252 毫欧 @ 900mA,4.5V
1.25V @ 250µA
1.65nC @ 4.5V
81pF @ 15V
260mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
SOT 363
DMN2004DWK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT363
Diodes Incorporated
25,979
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.05763
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
540mA
550 毫欧 @ 540mA,4.5V
1V @ 250µA
-
150pF @ 16V
200mW
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。