FET、MOSFET 阵列

结果 : 10
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-HEXFET®OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 N-通道(双)2 P 沟道(双)共漏2 个 P 沟道(双)N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V50V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
160mA190mA300mA1.9A2A2.3A2.5A3A(Tc)3.9A6.04A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
35 毫欧 @ 4A,4.5V70 毫欧 @ 5.3A,10V105 毫欧 @ 2.5A,10V133 毫欧 @ 1.5A,10V150 毫欧 @ 2A,4.5V170 毫欧 @ 1.9A,4.5V170 毫欧 @ 3.1A,10V3 欧姆 @ 500mA,10V4 欧姆 @ 500mA,10V7.5 欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.5V @ 250µA2.1V @ 250µA2.4V @ 10µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.35nC @ 5V0.6nC @ 10V1.7nC @ 15V3.2nC @ 5V3.7nC @ 10V4.2nC @ 4.5V11nC @ 10V12.2nC @ 10V15.4nC @ 4.5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
20pF @ 25V23pF @ 25V36pF @ 25V160pF @ 25V320pF @ 16V441pF @ 10V563pF @ 25V570pF @ 15V1610pF @ 10V-
功率 - 最大值
250mW445mW500mW600mW700mW890mW1.1W1.15W1.4W1.67W
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳
6-PowerVDFN6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-VSSOP,SC-88,SOT-3638-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)SOT-23-6SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
6-PQFN 双通道(2x2)6-TSOP6-TSSOP8-SO8-TSSOPPG-SOT363-POSC-89(SOT-563F)SOT-26SuperSOT™-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果

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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
241,855
现货
407,500
工厂
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
2,500 : ¥0.64654
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
30V
3.9A
70 毫欧 @ 5.3A,10V
3V @ 250µA
11nC @ 10V
563pF @ 25V
1.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
88,412
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60649
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
300mA
3 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.6nC @ 10V
20pF @ 25V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-VSSOP,SC-88,SOT-363
PG-SOT363-PO
Pkg 5880
SI1025X-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Vishay Siliconix
30,275
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34537
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
60V
190mA
4 欧姆 @ 500mA,10V
3V @ 250µA
1.7nC @ 15V
23pF @ 25V
250mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SC-89(SOT-563F)
SOT 26
DMP2240UDM-7
MOSFET 2P-CH 20V 2A SOT26
Diodes Incorporated
189,753
现货
87,000
工厂
1 : ¥2.38000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.96980
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
20V
2A
150 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 250µA
-
320pF @ 16V
600mW
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-26
SOT363
BSS84AKS,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
53,080
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.58303
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
50V
160mA
7.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.35nC @ 5V
36pF @ 25V
445mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
8-TSSOP
DMP2035UTS-13
MOSFET 2P-CH 20V 6.04A 8TSSOP
Diodes Incorporated
4,209
现货
17,500
工厂
1 : ¥4.84000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.61989
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 P 沟道(双)共漏
逻辑电平门
20V
6.04A
35 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 250µA
15.4nC @ 4.5V
1610pF @ 10V
890mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
8-TSSOP
Pkg 5540
SQ3987EV-T1_GE3
MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Vishay Siliconix
6,623
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.87164
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
-
30V
3A(Tc)
133 毫欧 @ 1.5A,10V
2.5V @ 250µA
12.2nC @ 10V
570pF @ 15V
1.67W
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
6-TSOP
SG6858TZ
FDC6306P
MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6
onsemi
6,544
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.71229
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
20V
1.9A
170 毫欧 @ 1.9A,4.5V
1.5V @ 250µA
4.2nC @ 4.5V
441pF @ 10V
700mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SuperSOT™-6
Pkg 5540
SI3552DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Vishay Siliconix
9,103
现货
1 : ¥5.50000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.10207
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
2.5A
105 毫欧 @ 2.5A,10V
1V @ 250µA(最小)
3.2nC @ 5V
-
1.15W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
6-TSOP
6-VDFN
IRFHS9351TRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
Infineon Technologies
13,297
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.07017
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
30V
2.3A
170 毫欧 @ 3.1A,10V
2.4V @ 10µA
3.7nC @ 10V
160pF @ 25V
1.4W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-PowerVDFN
6-PQFN 双通道(2x2)
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。