FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Rohm Semiconductor
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA1.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180 毫欧 @ 1.5A，4.5V1.6 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8nC @ 4.5V2.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50pF @ 10V110pF @ 10V
功率 - 最大值
420mW1W
封装/外壳
6-SMD，扁平引线6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装
6-TSSOPTUMT6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
334,015
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59797
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
60V
320mA
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
50pF @ 10V
420mW
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
6-TSSOP
TUMT6_TUMT6 Pkg
US6K4TR
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
Rohm Semiconductor
7,192
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.86691
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
20V
1.5A
180 毫欧 @ 1.5A，4.5V
1V @ 1mA
2.5nC @ 4.5V
110pF @ 10V
1W
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-SMD，扁平引线
TUMT6
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。