FET、MOSFET 阵列

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 N-通道(双)N 和 P 沟道
漏源电压(Vdss)
20V25V30V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA300mA(Ta)500mA,410mA700mA,500mA700mA,600mA725mA,500mA1.07A,845mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
300 毫欧 @ 700mA,4.5V380 毫欧 @ 500mA,4.5V388 毫欧 @ 600mA,10V450 毫欧 @ 500mA,4.5V450 毫欧 @ 600mA,4.5V1.6 欧姆 @ 500mA,10V7.5 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.3V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.6nC @ 4.5V0.68nC @ 4.5V0.74nC @ 4.5V1.5nC @ 10V1.5nC @ 4.5V2.3nC @ 4.5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
28pF @ 15V50pF @ 10V50pF @ 25V60.67pF @ 10V83pF @ 10V113pF @ 10V
功率 - 最大值
200mW280mW295mW300mW330mW340mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
资质
AEC-Q100AEC-Q101
供应商器件封装
6-TSSOPSC-70-6SC-88(SC-70-6)SOT-363
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果

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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
250,279
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60794
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
300mA(Ta)
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6nC @ 4.5V
50pF @ 10V
295mW
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
SOT 363
SI1539CDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Vishay Siliconix
13,532
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.90839
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
700mA,500mA
388 毫欧 @ 600mA,10V
2.5V @ 250µA
1.5nC @ 10V
28pF @ 15V
340mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-70-6
SOT 363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
61,507
现货
411,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.65386
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
1.07A,845mA
450 毫欧 @ 600mA,4.5V
1V @ 250µA
0.74nC @ 4.5V
60.67pF @ 10V
330mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
SOT 363
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
79,549
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.83562
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
115mA
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
200mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88(SC-70-6)
SOT 363
FDG6332C
MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
onsemi
7,863
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.32824
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
700mA,600mA
300 毫欧 @ 700mA,4.5V
1.5V @ 250µA
1.5nC @ 4.5V
113pF @ 10V
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88(SC-70-6)
SOT 363
FDG6321C
MOSFET N/P-CH 25V 0.5A SC88
onsemi
1,250
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.47133
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
25V
500mA,410mA
450 毫欧 @ 500mA,4.5V
1.5V @ 250µA
2.3nC @ 4.5V
50pF @ 10V
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88(SC-70-6)
SOT363
PMGD290UCEAX
MOSFET N/P-CH 20V 0.725A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
12,214
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.80976
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
725mA,500mA
380 毫欧 @ 500mA,4.5V
1.3V @ 250µA
0.68nC @ 4.5V
83pF @ 10V
280mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。