FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.Texas Instruments
系列
NexFET™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
配置
2 N 沟道(双)共漏2 P 沟道(双)共源2 个 P 沟道(双)
漏源电压(Vdss)
20V50V-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
160mA1.6A-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
68 毫欧 @ 1A,4.5V7.5 欧姆 @ 100mA,10V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250µA2.1V @ 250µA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.35nC @ 5V2.5nC @ 4.5V40nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
36pF @ 25V410pF @ 10V-
功率 - 最大值
445mW750mW2.5W
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-UFBGA,DSBGA10-XFLGA
供应商器件封装
6-DSBGA(1x1.5)6-TSSOP10-Picostar(3.37x1.47)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT363
BSS84AKS,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
53,080
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.58303
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
50V
160mA
7.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.35nC @ 5V
36pF @ 25V
445mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
10 Picostar
CSD87501L
MOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR
Texas Instruments
7,509
现货
164,229
市场
1 : ¥8.05000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.42456
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N 沟道(双)共漏
逻辑电平门
-
-
-
2.3V @ 250µA
40nC @ 10V
-
2.5W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
10-XFLGA
10-Picostar(3.37x1.47)
YZC-6-BGA Pkg
CSD75208W1015T
MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6DSBGA
Texas Instruments
4,742
现货
1 : ¥9.11000
剪切带(CT)
250 : ¥5.74324
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 P 沟道(双)共源
逻辑电平门
20V
1.6A
68 毫欧 @ 1A,4.5V
1.1V @ 250µA
2.5nC @ 4.5V
410pF @ 10V
750mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-UFBGA,DSBGA
6-DSBGA(1x1.5)
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。