FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Texas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）2 个 N 通道（半桥）
漏源电压（Vdss）
30V40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A42A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
13.6 毫欧 @ 10A，10V-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA2.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.8nC @ 4.5V19.4nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
900pF @ 15V1160pF @ 25V
功率 - 最大值
6W46W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
封装/外壳
8-PowerLDFNSOT-1205，8-LFPAK56
供应商器件封装
8-LSON（3.3x3.3）LFPAK56D
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8SON
CSD87330Q3D
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON
Texas Instruments
28,644
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.28508
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 N 通道（半桥）
逻辑电平门
30V
20A
-
2.1V @ 250µA
5.8nC @ 4.5V
900pF @ 15V
6W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PowerLDFN
8-LSON（3.3x3.3）
MFG_PSMN011-60HLX
PSMN014-40HLDX
MOSFET 2N-CH 40V 42A LFPAK56D
Nexperia USA Inc.
3,071
现货
1 : ¥9.28000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.09390
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
40V
42A（Ta）
13.6 毫欧 @ 10A，10V
2.2V @ 1mA
19.4nC @ 10V
1160pF @ 25V
46W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
SOT-1205，8-LFPAK56
LFPAK56D
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。