FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）2 个 P 沟道（双）N 和 P 沟道互补型
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）600mA，500mA1.03A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
620 毫欧 @ 600mA，4.5V750 毫欧 @ 430mA，4.5V2.7 欧姆 @ 300mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.62nC @ 4.5V0.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21.3pF @ 10V27pF @ 30V59.76pF @ 16V
功率 - 最大值
260mW（Ta），1.3W（Tc）265mW530mW
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-3636-XFDFN 裸露焊盘SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
6-TSSOPDFN1010B-6SOT-563
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
6DFN
PMCXB900UEZ
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
105,484
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
5,000 : ¥0.78325
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道互补型
逻辑电平门
20V
600mA，500mA
620 毫欧 @ 600mA，4.5V
950mV @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
21.3pF @ 10V
265mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-XFDFN 裸露焊盘
DFN1010B-6
SOT 563
DMG1023UV-7
MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
Diodes Incorporated
756,432
现货
906,000
工厂
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.63626
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
20V
1.03A
750 毫欧 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
0.62nC @ 4.5V
59.76pF @ 16V
530mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
SOT-563
SOT363
NX6008NBKSX
MOSFET 2N-CH 60V 0.22A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
39,455
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.48542
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
60V
220mA（Ta）
2.7 欧姆 @ 300mA，4.5V
900mV @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
27pF @ 30V
260mW（Ta），1.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
6-TSSOP
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。