FET、MOSFET 阵列

结果 : 2
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
配置
2 N-通道（双）N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V60V，50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
330mA，170mA3.1A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
72 毫欧 @ 3.1A，4.5V7.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.25V @ 250µA2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35nC @ 5V5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
36pF @ 25V256pF @ 15V
功率 - 最大值
485mW（Ta）500mW
资质
AEC-Q100AEC-Q101
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
DFN2020D-6SOT-666
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
PMDPB56XNEAX
PMDPB56XNEAX
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 6DFN
Nexperia USA Inc.
18,625
现货
1 : ¥2.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.03444
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
30V
3.1A（Ta）
72 毫欧 @ 3.1A，4.5V
1.25V @ 250µA
5nC @ 4.5V
256pF @ 15V
485mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
6-UDFN 裸露焊盘
DFN2020D-6
SOT666
NX1029X,115
MOSFET N/P-CH 60V 0.33A SOT666
Nexperia USA Inc.
6,758
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
4,000 : ¥0.72008
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET（金属氧化物）
N 和 P 沟道
逻辑电平门
60V，50V
330mA，170mA
7.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.35nC @ 5V
36pF @ 25V
500mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-563，SOT-666
SOT-666
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。