FET、MOSFET 阵列

结果 : 6
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
HEXFET®PowerTrench®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 N-通道(双)2 个 P 沟道(双)N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
50V55V60V80V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA3A3.4A3.6A4.5A,3.5A4.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
50 毫欧 @ 4.7A,10V55 毫欧 @ 4.5A,10V73 毫欧 @ 2.2A,10V105 毫欧 @ 3.4A,10V130 毫欧 @ 3A,10V1.6 欧姆 @ 300mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.8nC @ 4.5V18nC @ 10V23nC @ 10V30nC @ 10V36nC @ 10V38nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50pF @ 10V290pF @ 25V650pF @ 25V,759pF @ 25V660pF @ 25V690pF @ 25V740pF @ 25V
功率 - 最大值
420mW1W2W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-3638-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
6-TSSOP8-SO8-SOIC
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果

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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
334,005
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.59795
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
320mA
1.6 欧姆 @ 300mA,10V
1.5V @ 250µA
0.8nC @ 4.5V
50pF @ 10V
420mW
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
8-SOIC
FDS4559
MOSFET N/P-CH 60V 8SOIC
onsemi
19,220
现货
1 : ¥7.31000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.76483
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
60V
4.5A,3.5A
55 毫欧 @ 4.5A,10V
3V @ 250µA
18nC @ 10V
650pF @ 25V,759pF @ 25V
1W
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
IRF7103TRPBF
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Infineon Technologies
6,383
现货
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.91608
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
50V
3A
130 毫欧 @ 3A,10V
3V @ 250µA
30nC @ 10V
290pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7380TRPBF
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8SO
Infineon Technologies
3,818
现货
1 : ¥9.28000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.82549
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
80V
3.6A
73 毫欧 @ 2.2A,10V
4V @ 250µA
23nC @ 10V
660pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7342TRPBF
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
Infineon Technologies
16,707
现货
1 : ¥10.02000
剪切带(CT)
4,000 : ¥4.15032
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
55V
3.4A
105 毫欧 @ 3.4A,10V
1V @ 250µA
38nC @ 10V
690pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
IRF7341TRPBF
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥8.70000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.60593
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
55V
4.7A
50 毫欧 @ 4.7A,10V
1V @ 250µA
36nC @ 10V
740pF @ 25V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。