FET、MOSFET 阵列

结果 : 3
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
配置
2 N-通道（双）2 个 P 沟道（双）
FET 功能
-逻辑电平门
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA600mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
620 毫欧 @ 600mA，4.5V1.4 欧姆 @ 500mA，4.5V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7nC @ 4.5V2.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
21.3pF @ 10V43pF @ 10V
功率 - 最大值
265mW380mW
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
功率 - 最大值
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
6DFN
PMDXB600UNEZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
32,735
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
5,000 : ¥0.49118
卷带（TR）
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
卷带（TR）
剪切带（CT）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
逻辑电平门
20V
600mA
620 毫欧 @ 600mA，4.5V
950mV @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
21.3pF @ 10V
265mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-XFDFN 裸露焊盘
DFN1010B-6
6DFN
PMDXB600UNELZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
6,776
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
5,000 : ¥0.56561
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 N-通道（双）
-
20V
600mA
620 毫欧 @ 600mA，4.5V
950mV @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
21.3pF @ 10V
380mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-XFDFN 裸露焊盘
DFN1010B-6
6DFN
PMDXB950UPELZ
MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Nexperia USA Inc.
33,903
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
5,000 : ¥0.70092
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET（金属氧化物）
2 个 P 沟道（双）
-
20V
500mA
1.4 欧姆 @ 500mA，4.5V
950mV @ 250µA
2.1nC @ 4.5V
43pF @ 10V
380mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-XFDFN 裸露焊盘
DFN1010B-6
显示
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FET、MOSFET 阵列

场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。