FET、MOSFET 阵列

结果 : 10
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiVishay SiliconixYAGEO XSEMI
系列
-HEXFET®PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
配置
2 N-通道(双)N 和 P 沟道N 和 P 沟道互补型
FET 功能
-逻辑电平栅极,4.5V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA,200mA510mA,340mA2.5A,2A3.3A(Ta),2.3A(Ta)3.4A,2.8A3.4A(Ta),2.8A(Ta)3.7A4.5A,3.5A4.6A(Ta),3.2A(Ta)6.8A,4.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
27 毫欧 @ 6.8A,10V35 毫欧 @ 3A,10V,90 毫欧 @ 3A,10V35 毫欧 @ 5A,4.5V,74 毫欧 @ 3.5A,4.5V58 毫欧 @ 3.4A,10V60 毫欧 @ 3.1A,10V60 毫欧 @ 3.1A,10V,95 毫欧 @ 2.7A,10V72 毫欧 @ 3A,10V,150 毫欧 @ 2A,10V95 毫欧 @ 2.5A,10V1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V2 欧姆 @ 510mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 10µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.68nC @ 4.5V1.5nC @ 10V3.6nC @ 4.5V,5.9nC @ 4.5V4.5nC @ 4.5V6nC @ 10V6.08nC @ 15V6.6nC @ 10V13nC @ 10V13nC @ 10V,9nC @ 10V14nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
20pF @ 25V,66pF @ 25V50pF @ 15V235pF @ 15V282pF @ 15V315pF @ 10V,365pF @ 10V320pF @ 15V,260pF @ 15V369pF @ 10V,440pF @ 10V398pF @ 15V400pF @ 15V400pF @ 15V,420pF @ 15V
功率 - 最大值
445mW700mW700mW(Ta)840mW840mW(Ta)1.136W(Ta)1.4W2W
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-3638-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SOT-23-6SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装
6-TSOP6-TSSOP8-SOSOT-23-6LSOT-26SuperSOT™-6TSOT-26
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果

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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SG6858TZ
NDC7001C
MOSFET N/P-CH 60V 0.51A SSOT6
onsemi
11,368
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.26831
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
60V
510mA,340mA
2 欧姆 @ 510mA,10V
2.5V @ 250µA
1.5nC @ 10V
20pF @ 25V,66pF @ 25V
700mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SuperSOT™-6
Pkg 5540
SI3932DV-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6TSOP
Vishay Siliconix
7,612
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.77239
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
30V
3.7A
58 毫欧 @ 3.4A,10V
2.2V @ 250µA
6nC @ 10V
235pF @ 15V
1.4W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
6-TSOP
SG6858TZ
FDC6333C
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A/2A SSOT6
onsemi
28,676
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.66580
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
2.5A,2A
95 毫欧 @ 2.5A,10V
3V @ 250µA
6.6nC @ 10V
282pF @ 15V
700mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SuperSOT™-6
IRF9389TRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Infineon Technologies
3,092
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
4,000 : ¥1.66378
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
6.8A,4.6A
27 毫欧 @ 6.8A,10V
2.3V @ 10µA
14nC @ 10V
398pF @ 15V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SO
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
128,443
现货
3,816,000
工厂
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48621
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平栅极,4.5V 驱动
30V
3.4A,2.8A
60 毫欧 @ 3.1A,10V
2.3V @ 250µA
13nC @ 10V
400pF @ 15V
840mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
TSOT-26
DMG6602SVTX-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
3,468
现货
9,000
工厂
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.79326
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道互补型
-
30V
3.4A(Ta),2.8A(Ta)
60 毫欧 @ 3.1A,10V,95 毫欧 @ 2.7A,10V
2.3V @ 250µA
13nC @ 10V,9nC @ 10V
400pF @ 15V,420pF @ 15V
840mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
SOT363
NX3008CBKS,115
MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
32,534
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68500
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
350mA,200mA
1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V
1.1V @ 250µA
0.68nC @ 4.5V
50pF @ 15V
445mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
TSOT-26
DMC2053UVTQ-7
MOSFET N/P-CH 20V 4.6A TSOT26
Diodes Incorporated
10,009
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.32320
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道互补型
-
20V
4.6A(Ta),3.2A(Ta)
35 毫欧 @ 5A,4.5V,74 毫欧 @ 3.5A,4.5V
1V @ 250µA
3.6nC @ 4.5V,5.9nC @ 4.5V
369pF @ 10V,440pF @ 10V
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSOT-26
SOT 23-6
SIL3724A-TP
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A SOT23-6L
Micro Commercial Co
5,990
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.01219
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
30V
4.5A,3.5A
35 毫欧 @ 3A,10V,90 毫欧 @ 3A,10V
2.5V @ 250µA
6.08nC @ 15V
315pF @ 10V,365pF @ 10V
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-23-6L
XP2531GY
XP2530AGY
MOSFET N AND P-CH 30V 3.3A 2.3A
YAGEO XSEMI
995
现货
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.90206
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
30V
3.3A(Ta),2.3A(Ta)
72 毫欧 @ 3A,10V,150 毫欧 @ 2A,10V
3V @ 250µA
4.5nC @ 4.5V
320pF @ 15V,260pF @ 15V
1.136W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-26
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。