FET、MOSFET 阵列

结果 : 14
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-HEXFET®PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
最后售卖在售
配置
2 N-通道(双)N 和 P 沟道N 和 P 沟道互补型
FET 功能
-逻辑电平栅极,1.2V 驱动逻辑电平栅极,1.5V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V30V,20V60V60V,50V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA170mA170mA(Ta)220mA(Ta),127mA(Ta)350mA,200mA500mA(Ta)700mA,500mA700mA,600mA800mA(Ta)1.07A,845mA4A(Ta)5.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
30 毫欧 @ 5.4A,4.5V39.1 毫欧 @ 2A,4.5V,45 毫欧 @ 3.5A,10V235 毫欧 @ 800mA,4.5V,390 毫欧 @ 800mA,4.5V300 毫欧 @ 700mA,4.5V388 毫欧 @ 600mA,10V390 毫欧 @ 700mA,4.5V400 毫欧 @ 500mA,4.5V,1.2 欧姆 @ 500mA,4.5V450 毫欧 @ 600mA,4.5V1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V,5 欧姆 @ 100mA,4.5V4.5 欧姆 @ 100mA,10V4.5 欧姆 @ 100mA,10V,7.5 欧姆 @ 100mA,10V4.5 欧姆 @ 170mA,10V7.5 欧姆 @ 50mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA1V @ 1mA,1.2V @ 1mA1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.43nC @ 4.5V0.43nC @ 4.5V,0.35nC @ 5V0.68nC @ 4.5V0.74nC @ 4.5V1nC @ 10V1.4nC @ 10V1.4nC @ 4.5V1.5nC @ 10V1.5nC @ 4.5V1.8nC @ 10V3.2nC @ 4.5V,6.7nC @4.5V26nC @ 4.5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
12.3pF @ 15V,12.8pF @ 15V17pF @ 10V17pF @ 10V,36pF @ 25V20pF @ 30V28pF @ 15V38pF @ 10V50pF @ 15V50pF @ 25V55pF @ 10V,100pF @ 10V60.67pF @ 10V67pF @ 10V,38pF @ 10V113pF @ 10V310pF @ 15V,480pF @ 10V1310pF @ 15V
功率 - 最大值
125mW(Ta)150mW(Ta)200mW220mW300mW325mW330mW340mW350mW(Ta)445mW1.3W1.4W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C
封装/外壳
6-SMD,扁平引线6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-XFLGA8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
6-TSOP-F6-TSSOP6-XLLGA(0.9x0.65)ES6Micro8™SC-70-6SC-88(SC-70-6)SOT-363
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果

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/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
29,593
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.52157
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平栅极,1.5V 驱动
20V
800mA(Ta)
235 毫欧 @ 800mA,4.5V,390 毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
1nC @ 10V
55pF @ 10V,100pF @ 10V
150mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
ES6
SOT 363
SI1539CDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Vishay Siliconix
13,532
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.90839
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
700mA,500mA
388 毫欧 @ 600mA,10V
2.5V @ 250µA
1.5nC @ 10V
28pF @ 15V
340mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-70-6
SOT 363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
61,507
现货
372,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.65386
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
1.07A,845mA
450 毫欧 @ 600mA,4.5V
1V @ 250µA
0.74nC @ 4.5V
60.67pF @ 10V
330mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
SOT 363
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
79,549
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.83562
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
115mA
7.5 欧姆 @ 50mA,5V
2V @ 250µA
-
50pF @ 25V
200mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88(SC-70-6)
SOT 363
FDG6332C
MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC88
onsemi
7,863
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.32824
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
700mA,600mA
300 毫欧 @ 700mA,4.5V
1.5V @ 250µA
1.5nC @ 4.5V
113pF @ 10V
300mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-88(SC-70-6)
SOT363
NX7002AKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.17A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
12,902
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.50499
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
60V
170mA
4.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.43nC @ 4.5V
17pF @ 10V
220mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
SOT363
NX6020CAKSX
MOSFET N/P-CH 60V 0.17A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
11,619
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.55422
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
60V,50V
170mA(Ta)
4.5 欧姆 @ 100mA,10V,7.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.43nC @ 4.5V,0.35nC @ 5V
17pF @ 10V,36pF @ 25V
330mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
SOT363
NX138AKSX
MOSFET 2N-CH 60V 0.17A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
7,810
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.52986
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
170mA(Ta)
4.5 欧姆 @ 170mA,10V
1.5V @ 250µA
1.4nC @ 10V
20pF @ 30V
325mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
SOT363
NX3008CBKS,115
MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
32,514
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68500
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
350mA,200mA
1.4 欧姆 @ 350mA,4.5V
1.1V @ 250µA
0.68nC @ 4.5V
50pF @ 15V
445mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
5,978
现货
1 : ¥7.64000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.86100
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
-
30V,20V
4A(Ta)
39.1 毫欧 @ 2A,4.5V,45 毫欧 @ 3.5A,10V
1V @ 1mA,1.2V @ 1mA
3.2nC @ 4.5V,6.7nC @4.5V
310pF @ 15V,480pF @ 10V
1.4W(Ta)
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-SMD,扁平引线
6-TSOP-F
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
PJT7601_R1_00001
20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
Panjit International Inc.
8,421
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.13328
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道互补型
逻辑电平栅极,1.2V 驱动
20V
500mA(Ta)
400 毫欧 @ 500mA,4.5V,1.2 欧姆 @ 500mA,4.5V
1V @ 250µA
1.4nC @ 4.5V
67pF @ 10V,38pF @ 10V
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SOT-363
8-TSSOP 8-MSOP
IRF7530TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Infineon Technologies
565
现货
1 : ¥6.98000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.88961
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
20V
5.4A
30 毫欧 @ 5.4A,4.5V
1.2V @ 250µA
26nC @ 4.5V
1310pF @ 15V
1.3W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
Micro8™
6-XLLGA
NTND31225CZTAG
MOSFET N/P-CH 20V 0.22A 6XLLGA
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.74627
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道互补型
-
20V
220mA(Ta),127mA(Ta)
1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V,5 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
-
12.3pF @ 15V,12.8pF @ 15V
125mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-XFLGA
6-XLLGA(0.9x0.65)
SC-70-6
SI1553CDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 0.7A SC70-6
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.05113
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
700mA,500mA
390 毫欧 @ 700mA,4.5V
1.5V @ 250µA
1.8nC @ 10V
38pF @ 10V
340mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
SC-70-6
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。