FET、MOSFET 阵列

结果 : 13
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
-OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
配置
2 N-通道(双)2 个 P 沟道(双)N 和 P 沟道N 和 P 沟道互补型
FET 功能
-逻辑电平栅极,4.5V 驱动逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V30V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA,200mA220mA(Ta)220mA(Ta),127mA(Ta)500mA,360mA600mA1.03A1.03A,700mA1.1A,700mA1.34A,1.14A2.3A,2A3.4A,2.5A3.7A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
57 毫欧 @ 2.3A,10V65 毫欧 @ 3.4A,4.5V68 毫欧 @ 3.7A,4.5V400 毫欧 @ 600mA,4.5V460 毫欧 @ 200mA,4.5V480 毫欧 @ 200mA,5V620 毫欧 @ 600mA,4.5V750 毫欧 @ 430mA,4.5V1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V,5 欧姆 @ 100mA,4.5V1.7 欧姆 @ 500mA,10V2.7 欧姆 @ 300mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 11µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.3nC @ 4.5V0.5nC @ 4.5V0.62nC @ 4.5V0.7nC @ 4.5V0.74nC @ 4.5V0.9nC @ 4.5V1.5nC @ 10V3.8nC @ 4.5V6nC @ 4.5V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
12.3pF @ 15V,12.8pF @ 15V12.5pF @ 15V21.3pF @ 10V27pF @ 30V30pF @ 25V,25pF @ 25V37.1pF @ 10V59.76pF @ 16V60.67pF @ 16V65.9pF @ 25V275pF @ 15V320pF @ 10V340pF @ 10V
功率 - 最大值
125mW125mW(Ta)260mW(Ta),1.3W(Tc)265mW380mW390mW450mW500mW530mW700mW1.1W1.12W
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-VDFN 裸露焊盘6-XFDFN 裸露焊盘6-XFLGASC-74,SOT-457SOT-23-6SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-563,SOT-666SOT-963
供应商器件封装
6-MicroFET(2x2)6-TSOP6-TSSOP6-XLLGA(0.9x0.65)DFN1010B-6PG-TSOP6-6SOT-26SOT-563SOT-963X2-DFN1310-6(B 类)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果

显示
/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
434,419
现货
2,034,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.85997
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
60V
500mA,360mA
1.7 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.3nC @ 4.5V
30pF @ 25V,25pF @ 25V
450mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
6-TSOP
AO6604
MOSFET N/P-CH 20V 3.4A 6TSOP
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
148,638
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.39422
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道互补型
逻辑电平栅极,4.5V 驱动
20V
3.4A,2.5A
65 毫欧 @ 3.4A,4.5V
1V @ 250µA
3.8nC @ 4.5V
320pF @ 10V
1.1W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-74,SOT-457
6-TSOP
FDMAxxxxxZ
FDMA1028NZ
MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 6MICROFET
onsemi
15,900
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.11359
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
3.7A
68 毫欧 @ 3.7A,4.5V
1.5V @ 250µA
6nC @ 4.5V
340pF @ 10V
700mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-VDFN 裸露焊盘
6-MicroFET(2x2)
SOT 26
DMC2700UDM-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
Diodes Incorporated
1,187,037
现货
4,932,000
工厂
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.42068
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
1.34A,1.14A
400 毫欧 @ 600mA,4.5V
1V @ 250µA
0.74nC @ 4.5V
60.67pF @ 16V
1.12W
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6
SOT-26
SOT 563
DMG1023UV-7
MOSFET 2P-CH 20V 1.03A SOT563
Diodes Incorporated
756,406
现货
993,000
工厂
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.63624
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
20V
1.03A
750 毫欧 @ 430mA,4.5V
1V @ 250µA
0.62nC @ 4.5V
59.76pF @ 16V
530mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
6DFN
PMDXB600UNEZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
12,505
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.50441
卷带(TR)
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
600mA
620 毫欧 @ 600mA,4.5V
950mV @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
21.3pF @ 10V
265mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-XFDFN 裸露焊盘
DFN1010B-6
SOT363
NX6008NBKSX
MOSFET 2N-CH 60V 0.22A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
27,485
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48540
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
220mA(Ta)
2.7 欧姆 @ 300mA,4.5V
900mV @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
27pF @ 30V
260mW(Ta),1.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
6-TSSOP
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
153,451
现货
2,373,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.57289
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
1.03A,700mA
480 毫欧 @ 200mA,5V
900mV @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
37.1pF @ 10V
450mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563
6DFN
PMDXB600UNELZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
6,611
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.56559
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
20V
600mA
620 毫欧 @ 600mA,4.5V
950mV @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
21.3pF @ 10V
380mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-XFDFN 裸露焊盘
DFN1010B-6
SOT-963_527AD
NTUD3169CZT5G
MOSFET N/P-CH 20V 0.22A SOT963
onsemi
47,792
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
8,000 : ¥1.11315
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
220mA,200mA
1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
-
12.5pF @ 15V
125mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-963
SOT-963
SC-74, SOT-457
BSL308CH6327XTSA1
MOSFET N/P-CH 30V 2.3A TSOP6-6
Infineon Technologies
18,267
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.93657
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道互补型
逻辑电平栅极,4.5V 驱动
30V
2.3A,2A
57 毫欧 @ 2.3A,10V
2V @ 11µA
1.5nC @ 10V
275pF @ 15V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
PG-TSOP6-6
X2-DFN1310-6
DMC3730UFL3-7
MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310
Diodes Incorporated
8,017
现货
63,000
工厂
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.86118
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道互补型
-
30V
1.1A,700mA
460 毫欧 @ 200mA,4.5V
950mV @ 250µA
0.9nC @ 4.5V
65.9pF @ 25V
390mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-XFDFN 裸露焊盘
X2-DFN1310-6(B 类)
6-XLLGA
NTND31225CZTAG
MOSFET N/P-CH 20V 0.22A 6XLLGA
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.74625
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道互补型
-
20V
220mA(Ta),127mA(Ta)
1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V,5 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
-
12.3pF @ 15V,12.8pF @ 15V
125mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-XFLGA
6-XLLGA(0.9x0.65)
显示
/ 13

FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。