FET、MOSFET 阵列

结果 : 6
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计停产在售
配置
2 N-通道(双)N 和 P 沟道
FET 功能
-逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
20V40V60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
600mA,350mA610mA(Ta)800mA3A7.5A(Ta),26A(Tc)10.5A(Ta),29A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
14.5 毫欧 @ 7.5A,10V28 毫欧 @ 5A,10V70 毫欧 @ 3A,4.5V380 毫欧 @ 500mA,4.5V396 毫欧 @ 500mA,4.5V700 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250µA1V @ 250µA1.5V @ 250µA2.2V @ 13µA2.2V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.68nC @ 4.5V1.1nC @ 4.5V2nC @ 4.5V2nC @ 8V4.6nC @ 4.5V8.1nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
43pF @ 10V60pF @ 10V83pF @ 10V324pF @ 10V350pF @ 25V420pF @ 25V
功率 - 最大值
220mW446mW500mW700mW3W(Ta),19W(Tc)3.1W(Ta),23W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳
8-PowerTDFNSOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-563,SOT-666
供应商器件封装
8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)SC-89(SOT-563F)SOT-563FSOT-666SuperSOT™-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果

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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
技术
配置
FET 功能
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率 - 最大值
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
63,622
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.77859
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
610mA(Ta)
396 毫欧 @ 500mA,4.5V
1V @ 250µA
2nC @ 8V
43pF @ 10V
220mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SC-89(SOT-563F)
SOT666
PMDT290UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Nexperia USA Inc.
77,101
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.83944
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
逻辑电平门
20V
800mA
380 毫欧 @ 500mA,4.5V
950mV @ 250µA
0.68nC @ 4.5V
83pF @ 10V
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-666
SG6858TZ
FDC6401N
MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT6
onsemi
19,899
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.01336
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
20V
3A
70 毫欧 @ 3A,4.5V
1.5V @ 250µA
4.6nC @ 4.5V
324pF @ 10V
700mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SuperSOT™-6
8 Power TDFN
NVMFD5C478NLT1G
MOSFET 2N-CH 40V 10.5A 8DFN
onsemi
1,500
现货
1 : ¥13.55000
剪切带(CT)
1,500 : ¥6.42865
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
40V
10.5A(Ta),29A(Tc)
14.5 毫欧 @ 7.5A,10V
2.2V @ 20µA
8.1nC @ 10V
420pF @ 25V
3.1W(Ta),23W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-PowerTDFN
8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
8 Power TDFN
NVMFD5C680NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 7.5A/26A 8DFN
onsemi
7,380
现货
1 : ¥13.71000
剪切带(CT)
1,500 : ¥6.48901
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
MOSFET(金属氧化物)
2 N-通道(双)
-
60V
7.5A(Ta),26A(Tc)
28 毫欧 @ 5A,10V
2.2V @ 13µA
2nC @ 4.5V
350pF @ 25V
3W(Ta),19W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-PowerTDFN
8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)
SOT-563
FDY4000CZ
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A SOT563F
onsemi
0
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.30006
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
MOSFET(金属氧化物)
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
600mA,350mA
700 毫欧 @ 600mA,4.5V
1.5V @ 250µA
1.1nC @ 4.5V
60pF @ 10V
446mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-563,SOT-666
SOT-563F
显示
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FET、MOSFET 阵列


场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。