Nexperia USA Inc. 单 FET，MOSFET

结果 : 1,537
系列
-*TrenchMOS™TrenchPLUS
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-GaNFET（共源共栅氮化镓 FET）GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）SiC（碳化硅结晶体管）
漏源电压（Vdss）
12 V16 V20 V25 V28 V30 V40 V50 V55 V60 V65 V70 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）150mA（Ta）170mA（Ta）173mA（Ta）180mA（Ta）190mA（Ta）190mA（Ta），300mA（Tc）200mA（Ta）210mA（Ta）225mA（Ta）230mA（Ta）240mA
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.5V，4.5V1.8V，4.5V2.4V，10V2.5V2.5V，10V2.5V，4.5V2.5V，8V3V，4.5V4.3V，10V4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.55 毫欧 @ 25A，10V0.57 毫欧 @ 25A，10V0.63 毫欧 @ 25A，10V0.67 毫欧 @ 25A，10V0.7 毫欧 @ 25A，10V0.72 毫欧 @ 25A，10V0.82 毫欧 @ 25A，10V0.85 毫欧 @ 25A，10V0.87 毫欧 @ 25A，10V0.89 毫欧 @ 25A，10V0.9 毫欧 @ 25A，10V0.94 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
400mV @ 1mA（最小）570mV @ 1mA（典型值）600mV @ 1mA（典型值）680mV @ 1mA（典型值）700mV @ 1mA（典型值）900mV @ 250µA950mV @ 1mA950mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 1mA（最小）1V @ 250µA1.05V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.21 nC @ 10 V0.31 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 5 V0.4 nC @ 4 V0.43 nC @ 4.5 V0.44 nC @ 4.5 V0.49 nC @ 4.5 V0.49 nC @ 30 V0.5 nC @ 4 V0.5 nC @ 4.5 V0.51 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V+7V，-1.4V+7V，-6V+8V，-10V+8V，-12V±8V±10V+12V，-20V±12V±15V+16V，-10V±16V+20V，-10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2.195 pF @ 15 V13 pF @ 10 V15 pF @ 30 V17 pF @ 10 V20 pF @ 10 V20 pF @ 30 V20.2 pF @ 30 V21.3 pF @ 10 V22.2 pF @ 30 V23 pF @ 30 V23.2 pF @ 25 V23.6 pF @ 10 V
FET 功能
-温度检测二极管电流检测肖特基二极管（体）肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）
220mW（Ta），1.06W（Tc）250mW（Ta）250mW（Tc）260mW（Ta）260mW（Ta），1.1W（Tc）260mW（Ta），830mW（Tc）265mW（Ta）265mW（Ta），1.33W（Tc）266mW（Ta），1.33W（Tc）270mW（Ta），1.3W（Tc）270mW（Ta），1.5W（Tc）275mW（Ta）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-55°C ~ 185°C（TJ）-40°C ~ 125°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）175°C175°C（TJ）-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
-表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
3-FCLGA（3.2x2.2）4-WLCSP（0.78x0.78）6-HUSON（2x2）6-TSOP6-TSSOP6-WLCSP（1.48x0.98）8-SO8-WLCSP（3.5x2.13）9-WLCSP（1.48x1.48）22-WLCSP（2.1x2.1）25-VQFN (4x6)28-SO
封装/外壳
3-VLGA3-XDFN3-XDFN 裸露焊盘3-XFDFN4-XFBGA，WLCSP6-TSSOP，SC-88，SOT-3636-UDFN 裸露焊盘6-UFDFN 裸露焊盘6-XFBGA，WLCSP8-PowerVDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）8-VDFN 裸露焊盘
库存选项
环境选项
媒体
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
18,391
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.21192
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
190mA（Ta），300mA（Tc）
5V，10V
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW（Ta），1.33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
494,934
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26370
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
190mA（Ta）
5V，10V
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
265mW（Ta），1.33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1,183,405
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.18883
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.4V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
846,735
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33411
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
447,576
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32700
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.4V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
59,406
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.25153
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
350mA（Ta）
5V，10V
2.8 欧姆 @ 200mA，10V
2.1V @ 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW（Ta），3.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-883
SC-101，SOT-883
TO-236AB
BSH105,215
MOSFET N-CH 20V 1.05A TO236AB
Nexperia USA Inc.
428,787
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.61574
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.05A（Ta）
1.8V，4.5V
200 毫欧 @ 600mA，4.5V
570mV @ 1mA（典型值）
3.9 nC @ 4.5 V
±8V
152 pF @ 16 V
-
417mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
808,211
现货
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.36077
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
350mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
924,897
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37872
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
618,173
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37855
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Tc）
10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSS123,215
MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
289,668
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37730
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
150mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 120mA，10V
2.8V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 25 V
-
250mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSS84,215
MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
198,726
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.41963
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
10V
10 欧姆 @ 130mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
250mW（Tc）
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
PMF170XP,115
MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
Nexperia USA Inc.
79,221
现货
1 : ¥2.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.47171
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1A（Ta）
4.5V
200 毫欧 @ 1A，4.5V
1.15V @ 250µA
3.9 nC @ 4.5 V
±12V
280 pF @ 10 V
-
290mW（Ta），1.67W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
TO-236AB
BSH103,215
MOSFET N-CH 30V 850MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
36,434
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75574
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
850mA（Ta）
2.5V
400 毫欧 @ 500mA，4.5V
400mV @ 1mA（最小）
2.1 nC @ 4.5 V
±8V
83 pF @ 24 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSS138BK,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
459,768
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.47814
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 350mA，10V
1.6V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
56 pF @ 10 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV60ENEAR
MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
Nexperia USA Inc.
37,827
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80459
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
3A（Ta）
4.5V，10V
75 毫欧 @ 3A，10V
2.5V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 20 V
-
615mW（Ta），7.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-DFN2020MD_View 2
BUK6D120-40EX
MOSFET N-CH 40V 2.9A/5.7A 6DFN
Nexperia USA Inc.
44,262
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87259
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2.9A（Ta），5.7A（Tc）
4.5V，10V
120 毫欧 @ 2.9A，10V
2.5V @ 250µA
3.6 nC @ 10 V
±20V
113 pF @ 20 V
-
2W（Ta），7.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
TO-236AB
PMV40UN2R
MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB
Nexperia USA Inc.
404,079
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.72353
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.7A（Ta）
1.8V，4.5V
44 毫欧 @ 3.7A，4.5V
900mV @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±12V
635 pF @ 15 V
-
490mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV20XNER
MOSFET N-CH 30V 5.7A TO236AB
Nexperia USA Inc.
28,048
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.89399
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.7A（Ta）
1.8V，4.5V
23 毫欧 @ 5.7A，4.5V
900mV @ 250µA
18.6 nC @ 4.5 V
±12V
1150 pF @ 15 V
-
510mW（Ta），6.94W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV37ENEAR
MOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB
Nexperia USA Inc.
23,952
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.94254
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3.5A（Ta）
4.5V，10V
49 毫欧 @ 3.5A，10V
2.7V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 30 V
-
710mW（Ta），8.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV213SN,215
MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Nexperia USA Inc.
260,375
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.33850
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.9A（Tc）
10V
250 毫欧 @ 500mA，10V
4V @ 1mA
7 nC @ 10 V
±30V
330 pF @ 20 V
-
280mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV15ENEAR
MOSFET N-CH 30V 6.2A TO236AB
Nexperia USA Inc.
93,796
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.96643
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6.2A（Ta）
4.5V，10V
20 毫欧 @ 5.8A，10V
2.5V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
440 pF @ 15 V
-
700mW（Ta），8.3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV65XP,215
MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Nexperia USA Inc.
257,108
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75319
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
1.8V，4.5V
74 毫欧 @ 2.8A，4.5V
900mV @ 250µA
7.7 nC @ 4.5 V
±12V
744 pF @ 20 V
-
480mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV45EN2R
MOSFET N-CH 30V 4.1A TO236AB
Nexperia USA Inc.
50,185
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.93655
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.1A（Ta）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 4.1A，10V
2V @ 250µA
6.3 nC @ 10 V
±20V
209 pF @ 15 V
-
510mW（Ta），5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV65XPEAR
MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Nexperia USA Inc.
167,652
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.99194
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
2.5V，4.5V
78 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1.25V @ 250µA
9 nC @ 4.5 V
±12V
618 pF @ 10 V
-
480mW（Ta），6.25W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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Nexperia USA Inc. 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。