ISOTOP 单 FET,MOSFET

结果 : 17
系列
-MDmesh™MDmesh™ VMESH OVERLAY™PowerMESH™ IISTripFET™STripFET™ IISuperFREDmesh™SuperMESH™
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
100 V200 V500 V550 V600 V650 V800 V900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
26A(Tc)28A(Tc)40A(Tc)45A(Tc)48A(Tc)53A(Tc)70A(Tc)88A(Tc)110A(Tc)130A(Tc)140A(Tc)143A(Tc)180A(Tc)220A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.5 毫欧 @ 125A,10V12 毫欧 @ 70A,10V15 毫欧 @ 69A,10V17 毫欧 @ 65A,10V24 毫欧 @ 50A,10V29 毫欧 @ 42A,10V50 毫欧 @ 30A,10V55 毫欧 @ 30A,10V80 毫欧 @ 27A,10V100 毫欧 @ 24A,10V110 毫欧 @ 22.5A,10V130 毫欧 @ 20A,10V130 毫欧 @ 22.5A,10V180 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.75V @ 1mA4V @ 250µA4.5V @ 150µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
117 nC @ 10 V134 nC @ 10 V204 nC @ 10 V266 nC @ 10 V338 nC @ 10 V363 nC @ 10 V414 nC @ 10 V430 nC @ 10 V434 nC @ 10 V490 nC @ 10 V504 nC @ 10 V660 nC @ 10 V781 nC @ 10 V795 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1770 pF @ 25 V3700 pF @ 25 V3800 pF @ 25 V7300 pF @ 25 V7500 pF @ 25 V7900 pF @ 25 V8825 pF @ 100 V11100 pF @ 25 V11200 pF @ 25 V12000 pF @ 25 V15600 pF @ 100 V18500 pF @ 100 V21000 pF @ 25 V25000 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
360W(Tc)450W(Tc)460W(Tc)494W(Tc)500W(Tc)600W(Tc)672W(Tc)679W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
ISOTOPISOTOP®
库存选项
环境选项
媒体
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17结果
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
ISOTOP
STE53NC50
MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP
STMicroelectronics
87
现货
1 : ¥339.63000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
53A(Tc)
10V
80 毫欧 @ 27A,10V
4V @ 250µA
434 nC @ 10 V
±30V
11200 pF @ 25 V
-
460W(Tc)
150°C(TJ)
底座安装
ISOTOP®
ISOTOP
ISOTOP
STE48NM50
MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP
STMicroelectronics
42
现货
1 : ¥238.90000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
550 V
48A(Tc)
10V
100 毫欧 @ 24A,10V
5V @ 250µA
117 nC @ 10 V
±30V
3700 pF @ 25 V
-
450W(Tc)
150°C(TJ)
底座安装
ISOTOP®
ISOTOP
ISOTOP
STE145N65M5
MOSFET N-CH 650V 143A ISOTOP
STMicroelectronics
25
现货
1 : ¥383.71000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
143A(Tc)
10V
15 毫欧 @ 69A,10V
5V @ 250µA
414 nC @ 10 V
±25V
18500 pF @ 100 V
-
679W(Tc)
150°C(TJ)
底座安装
ISOTOP®
ISOTOP
ISOTOP
STE88N65M5
MOSFET N-CH 650V 88A ISOTOP
STMicroelectronics
0
现货
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10 : ¥282.39900
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
88A(Tc)
10V
29 毫欧 @ 42A,10V
5V @ 250µA
204 nC @ 10 V
±25V
8825 pF @ 100 V
-
494W(Tc)
150°C(TJ)
底座安装
ISOTOP
ISOTOP
ISOTOP
STE40NC60
MOSFET N-CH 600V 40A ISOTOP
STMicroelectronics
0
现货
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10 : ¥294.04800
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
40A(Tc)
10V
130 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
430 nC @ 10 V
±30V
11100 pF @ 25 V
-
460W(Tc)
150°C(TJ)
底座安装
ISOTOP®
ISOTOP
ISOTOP
STE70NM60
MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
100 : ¥341.45240
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
70A(Tc)
10V
55 毫欧 @ 30A,10V
5V @ 250µA
266 nC @ 10 V
±30V
7300 pF @ 25 V
-
600W(Tc)
150°C(TJ)
底座安装
ISOTOP®
ISOTOP
ISOTOP
STE110NS20FD
MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
110A(Tc)
10V
24 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
504 nC @ 10 V
±20V
7900 pF @ 25 V
-
500W(Tc)
150°C(TJ)
底座安装
ISOTOP®
ISOTOP
ISOTOP
STE180NE10
MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
180A(Tc)
10V
6 欧姆 @ 40A,10V
4V @ 250µA
795 nC @ 10 V
±20V
21000 pF @ 25 V
-
360W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
ISOTOP®
ISOTOP
ISOTOP
STE250NS10
MOSFET N-CH 100V 220A ISOTOP
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
220A(Tc)
10V
5.5 毫欧 @ 125A,10V
4V @ 250µA
900 nC @ 10 V
±20V
31000 pF @ 25 V
-
500W(Tc)
150°C(TJ)
底座安装
ISOTOP®
ISOTOP
ISOTOP
STE26NA90
MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP
STMicroelectronics
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
26A(Tc)
10V
300 毫欧 @ 13A,10V
3.75V @ 1mA
660 nC @ 10 V
±30V
1770 pF @ 25 V
-
450W(Tc)
150°C(TJ)
底座安装
ISOTOP®
ISOTOP
ISOTOP
STE48NM60
MOSFET N-CH 650V 48A ISOTOP
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
48A(Tc)
10V
110 毫欧 @ 22.5A,10V
5V @ 250µA
134 nC @ 10 V
±30V
3800 pF @ 25 V
-
450W(Tc)
150°C(TJ)
底座安装
ISOTOP®
ISOTOP
ISOTOP
STE70NM50
MOSFET N-CH 500V 70A ISOTOP
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
70A(Tc)
10V
50 毫欧 @ 30A,10V
5V @ 250µA
266 nC @ 10 V
±30V
7500 pF @ 25 V
-
600W(Tc)
150°C(TJ)
底座安装
ISOTOP®
ISOTOP
ISOTOP
STE40NK90ZD
MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
40A(Tc)
10V
180 毫欧 @ 20A,10V
4.5V @ 150µA
826 nC @ 10 V
±30V
25000 pF @ 25 V
-
600W(Tc)
-65°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
ISOTOP®
ISOTOP
ISOTOP
STE30NK90Z
MOSFET N-CH 900V 28A ISOTOP
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
28A(Tc)
10V
260 毫欧 @ 14A,10V
4.5V @ 150µA
490 nC @ 10 V
±30V
12000 pF @ 25 V
-
500W(Tc)
-65°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
ISOTOP®
ISOTOP
ISOTOP
STE45NK80ZD
MOSFET N-CH 800V 45A ISOTOP
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
45A(Tc)
10V
130 毫欧 @ 22.5A,10V
4.5V @ 150µA
781 nC @ 10 V
±30V
26000 pF @ 25 V
-
600W(Tc)
-65°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
ISOTOP®
ISOTOP
ISOTOP
STE140NF20D
MOSFET N-CH 200V 140A ISOTOP
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
140A(Tc)
10V
12 毫欧 @ 70A,10V
4V @ 250µA
338 nC @ 10 V
±20V
11100 pF @ 25 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
ISOTOP
ISOTOP
ISOTOP
STE139N65M5
MOSFET N-CH 650V 130A ISOTOP
STMicroelectronics
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
130A(Tc)
10V
17 毫欧 @ 65A,10V
5V @ 250µA
363 nC @ 10 V
±25V
15600 pF @ 100 V
-
672W(Tc)
150°C(TJ)
底座安装
ISOTOP
ISOTOP
显示
/ 17

ISOTOP 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。