GeneSiC Semiconductor 单 FET,MOSFET

结果 : 68
系列
-G2R™G2R™, LoRing™G3R™G3R™, LoRing™LoRing™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产在售
FET 类型
-N 通道
技术
SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
100 V300 V600 V650 V750 V1200 V1700 V3300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A(Tc)3A(Tc)(95°C)4A(Tc)4A(Tc)(165°C)4A(Tc)(95°C)5A(Tc)6A(Tc)(90°C)7A(Tc)(165°C)8A(Tc)8A(Tc)(158°C)8A(Tc)(90°C)9A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V15V,18V20V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
10 毫欧 @ 100A13 毫欧 @ 100A, 18V24 毫欧 @ 60A,15V25 毫欧 @ 50A26 毫欧 @ 75A,15V34 毫欧 @ 45A,18V36 毫欧 @ 50A,15V45 毫欧 @ 35A,18V48 毫欧 @ 35A,15V50 毫欧 @ 40A,20V50 毫欧 @ 20A58 毫欧 @ 40A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.69V @ 10mA2.69V @ 12mA2.69V @ 15mA2.69V @ 2mA2.69V @ 5mA2.69V @ 7.5mA2.7V @ 10mA2.7V @ 15mA2.7V @ 18mA2.7V @ 18mA(典型值)2.7V @ 24mA2.7V @ 2mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
10 nC @ 15 V11 nC @ 20 V12 nC @ 15 V18 nC @ 15 V21 nC @ 20 V23 nC @ 15 V28 nC @ 15 V29 nC @ 15 V47 nC @ 15 V51 nC @ 15 V54 nC @ 15 V88 nC @ 15 V
Vgs(最大值)
+15V,-5V±15V+20V,-10V+20V,-5V+22V,-10V+25V,-10V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
111 pF @ 1000 V139 pF @ 1000 V238 pF @ 1000 V324 pF @ 35 V331 pF @ 800 V334 pF @ 800 V454 pF @ 1000 V720 pF @ 35 V724 pF @ 800 V730 pF @ 800 V854 pF @ 1000 V1272 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值)
15W(Tc)20W(Tc)44W(Tc)47W(Tc)48W(Tc)54W(Tc)64W(Tc)71W(Tc)74W(Tc)75W(Tc)80W(Tc)88W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 225°C(TJ)175°C(TJ)-
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
-SOT-227TO-247TO-247-3TO-247-4TO-247ABTO-257TO-258TO-263-7TO-276TO-46
封装/外壳
-SOT-227-4,miniBLOCTO-247-3TO-247-4TO-257-3TO-258-3,TO-258AATO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CATO-276AATO-46-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
68结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 68
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3
G2R1000MT17D
SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
8,587
现货
1 : ¥44.66000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
5A(Tc)
20V
1.2 欧姆 @ 2A,20V
5.5V @ 500µA
11 nC @ 20 V
+25V,-10V
111 pF @ 1000 V
-
44W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
G3R160MT12D
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
337
现货
1 : ¥53.53000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
22A(Tc)
15V
192 毫欧 @ 10A,15V
2.69V @ 5mA
28 nC @ 15 V
±15V
730 pF @ 800 V
-
123W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
G3R450MT17D
SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
2,790
现货
1 : ¥59.19000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
9A(Tc)
15V
585 毫欧 @ 4A,15V
2.7V @ 2mA
18 nC @ 15 V
±15V
454 pF @ 1000 V
-
88W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
G3R75MT12D
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
3,414
现货
1 : ¥86.20000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
41A(Tc)
15V
90 毫欧 @ 20A,15V
2.69V @ 7.5mA
54 nC @ 15 V
+22V,-10V
1560 pF @ 800 V
-
207W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4 Top
G3R75MT12K
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
598
现货
1 : ¥88.42000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
41A(Tc)
15V
90 毫欧 @ 20A,15V
2.69V @ 7.5mA
54 nC @ 15 V
+22V,-10V
1560 pF @ 800 V
-
207W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
G3R160MT12J-TR
G3R75MT12J-TR
1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
GeneSiC Semiconductor
5,655
现货
1 : ¥90.55000
剪切带(CT)
800 : ¥68.46988
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
38A(Tc)
15V,18V
85 毫欧 @ 20A,18V
2.7V @ 10mA
47 nC @ 15 V
+22V,-10V
1545 pF @ 800 V
-
196W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247-3
G3R160MT17D
SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
803
现货
1 : ¥100.49000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
21A(Tc)
15V
208 毫欧 @ 12A,15V
2.7V @ 5mA
51 nC @ 15 V
±15V
1272 pF @ 1000 V
-
175W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
G3R160MT12J-TR
G3R160MT17J-TR
1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
GeneSiC Semiconductor
1,682
现货
1 : ¥106.56000
剪切带(CT)
800 : ¥81.60586
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
18A(Tc)
15V
224 毫欧 @ 10A,15V
2.7V @ 5mA
29 nC @ 15 V
+15V,-5V
854 pF @ 1000 V
-
145W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247-3
G3R40MT12D
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
1,105
现货
1 : ¥143.01000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
71A(Tc)
15V
48 毫欧 @ 35A,15V
2.69V @ 10mA
106 nC @ 15 V
±15V
2929 pF @ 800 V
-
333W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4 Top
G3R30MT12K
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,489
现货
1 : ¥184.97000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
90A(Tc)
15V
36 毫欧 @ 50A,15V
2.69V @ 12mA
155 nC @ 15 V
±15V
3901 pF @ 800 V
-
400W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-3
G3R45MT17D
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
991
现货
1 : ¥268.71000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
61A(Tc)
15V
58 毫欧 @ 40A,15V
2.7V @ 8mA
182 nC @ 15 V
±15V
4523 pF @ 1000 V
-
438W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4 Top
G3R45MT17K
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
779
现货
1 : ¥271.50000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
61A(Tc)
15V
58 毫欧 @ 40A,15V
2.7V @ 8mA
182 nC @ 15 V
±15V
4523 pF @ 1000 V
-
438W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R20MT12K
SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,056
现货
1 : ¥296.29000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
128A(Tc)
15V
24 毫欧 @ 60A,15V
2.69V @ 15mA
219 nC @ 15 V
±15V
5873 pF @ 800 V
-
542W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R12MT12K
1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
GeneSiC Semiconductor
366
现货
1 : ¥509.09000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
157A(Tc)
15V,18V
13 毫欧 @ 100A, 18V
2.7V @ 50mA
288 nC @ 15 V
+22V,-10V
9335 pF @ 800 V
-
567W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R20MT17K
SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
1,058
现货
1 : ¥880.09000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
124A(Tc)
15V
26 毫欧 @ 75A,15V
2.7V @ 15mA
400 nC @ 15 V
±15V
10187 pF @ 1000 V
-
809W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
GA100JT12-227
G3R20MT17N
SIC MOSFET N-CH 100A SOT227
GeneSiC Semiconductor
158
现货
1 : ¥1,112.10000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
100A(Tc)
15V
26 毫欧 @ 75A,15V
2.7V @ 15mA
400 nC @ 15 V
±15V
10187 pF @ 1000 V
-
523W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
G2R50MT33K
G2R50MT33K
3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
GeneSiC Semiconductor
288
现货
1 : ¥2,427.39000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
3300 V
63A(Tc)
20V
50 毫欧 @ 40A,20V
3.5V @ 10mA(典型值)
340 nC @ 20 V
+25V,-10V
7301 pF @ 1000 V
-
536W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-3
G3R350MT12D
SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
8,506
现货
1 : ¥38.91000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
11A(Tc)
15V
420 毫欧 @ 4A,15V
2.69V @ 2mA
12 nC @ 15 V
±15V
334 pF @ 800 V
-
74W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
G3R160MT12J-TR
G3R160MT12J-TR
1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
GeneSiC Semiconductor
4,698
现货
1 : ¥59.60000
剪切带(CT)
800 : ¥44.74354
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
19A(Tc)
15V,18V
180 毫欧 @ 10A,18V
2.7V @ 5mA
23 nC @ 15 V
+22V,-10V
724 pF @ 800 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247-4 Top
G3R60MT07K
750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
GeneSiC Semiconductor
1,703
现货
1 : ¥85.38000
管件
管件
在售
-
SiCFET(碳化硅)
750 V
-
-
-
-
-
+20V,-10V
-
-
-
-
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-4 Top
G3R40MT12K
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
2,870
现货
1 : ¥145.07000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
71A(Tc)
15V
48 毫欧 @ 35A,15V
2.69V @ 10mA
106 nC @ 15 V
±15V
2929 pF @ 800 V
-
333W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
GA100JT12-227
G3R20MT12N
SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
GeneSiC Semiconductor
217
现货
1 : ¥461.39000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
105A(Tc)
15V
24 毫欧 @ 60A,15V
2.69V @ 15mA
219 nC @ 15 V
+20V,-10V
5873 pF @ 800 V
-
365W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
TO-247-3
G3R60MT07D
750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
GeneSiC Semiconductor
2,868
现货
1 : ¥83.25000
管件
管件
在售
-
SiCFET(碳化硅)
750 V
-
-
-
-
-
+20V,-10V
-
-
-
-
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
G3R160MT12J-TR
G3R350MT12J-TR
1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF
GeneSiC Semiconductor
719
现货
1 : ¥45.24000
剪切带(CT)
800 : ¥33.24991
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1200 V
10A(Tc)
15V,18V
395 毫欧 @ 4A,18V
2.7V @ 2mA
10 nC @ 15 V
+22V,-10V
331 pF @ 800 V
-
64W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
G2R1000MT17J-TR
G2R1000MT17J-TR
1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
GeneSiC Semiconductor
620
现货
1 : ¥52.87000
剪切带(CT)
800 : ¥39.32518
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1700 V
5A(Tc)
20V
1.2 欧姆 @ 2A,20V
4V @ 2mA
11 nC @ 20 V
+20V,-5V
139 pF @ 1000 V
-
44W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
显示
/ 68

GeneSiC Semiconductor 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。