9A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 124
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Renesas Electronics CorporationRohm SemiconductorSanken Electric USA Inc.STMicroelectronicsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-CoolMOS™HEXFET®OptiMOS™PowerTrench®STripFET™ H6TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSVIU-MOSVIIU-MOSVII-HU-MOSVIII-Hπ-MOSVIIπ-MOSVIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V28 V30 V35 V40 V60 V75 V80 V100 V150 V450 V500 V600 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,4.5V4V,10V4.5V,10V5V6V,10V6.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5.8 毫欧 @ 30A,10V6.7 毫欧 @ 12A,4.5V8 毫欧 @ 14A,10V8.9 毫欧 @ 23.6A,10V9.1 毫欧 @ 27.2A,10V9.5 毫欧 @ 15A,10V9.75 毫欧 @ 15A,10V10 毫欧 @ 13A,10V11 毫欧 @ 12A,10V11 毫欧 @ 14A,10V11 毫欧 @ 9A,4.5V11.3 毫欧 @ 18.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 250µA850mV @ 250µA900mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.2V @ 100µA1.5V @ 1mA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 200µA2V @ 250µA2V @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4 nC @ 10 V4.8 nC @ 4.5 V6.8 nC @ 5 V7 nC @ 10 V8.5 nC @ 4.5 V9.47 nC @ 5 V9.5 nC @ 10 V9.8 nC @ 10 V10 nC @ 5 V10.9 nC @ 4.5 V11 nC @ 10 V11.8 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±8V±10V±12V±15V+20V,-25V±20V20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
227 pF @ 15 V275 pF @ 25 V280 pF @ 25 V430 pF @ 25 V440 pF @ 10 V490 pF @ 20 V540 pF @ 25 V560 pF @ 15 V600 pF @ 75 V620 pF @ 15 V650 pF @ 25 V690 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
610mW(Ta)650mW(Ta)700mW700mW(Ta)700mW(Ta),15W(Tc)700mW(Ta),18W(Tc)700mW(Ta),39W(Tc)730mW(Ta)760mW(Ta),25.5W(Tc)840mW(Ta)930mW(Ta)1W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)6-MCPH6-MicroFET(2x2)6-UDFNB(2x2)8-DFN(3x2)8-DFN(5x6)8-ECH8-PSOP8-SO8-SOIC8-SOP8-SOP Advance(5x5)
封装/外壳
6-PowerUFDFN6-SMD,扁平引线6-UDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
124结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 124
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
4,555
现货
1 : ¥28.00000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
900 V
9A(Ta)
10V
1.3 欧姆 @ 4.5A,10V
4V @ 900µA
46 nC @ 10 V
±30V
2000 pF @ 25 V
-
250W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P(N)
TO-3P-3,SC-65-3
6-DFN2020MD_View 2
PMPB11EN,115
MOSFET N-CH 30V 9A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
81,795
现货
1 : ¥2.55000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.01503
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9A(Ta)
4.5V,10V
14.5 毫欧 @ 9A,10V
2V @ 250µA
20.6 nC @ 10 V
±20V
840 pF @ 10 V
-
1.7W(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
8 SO
DMN4800LSS-13
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Diodes Incorporated
20,265
现货
397,500
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.02419
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9A(Ta)
4.5V,10V
16 毫欧 @ 9A,10V
1.6V @ 250µA
9.47 nC @ 5 V
±25V
798 pF @ 10 V
-
1.46W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
U-DFN2020-6 Type F
DMP2021UFDF-7
MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
Diodes Incorporated
54,206
现货
246,000
工厂
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.00423
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
9A(Ta)
1.5V,4.5V
16 毫欧 @ 7A,4.5V
1V @ 250µA
59 nC @ 8 V
±8V
2760 pF @ 15 V
-
730mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS4C09NT1G
MOSFET N-CH 30V 9A 5DFN
onsemi
3,740
现货
1 : ¥5.83000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.49419
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9A(Ta)
4.5V,10V
5.8 毫欧 @ 30A,10V
2.1V @ 250µA
10.9 nC @ 4.5 V
±20V
1252 pF @ 15 V
-
760mW(Ta),25.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
PowerPAK 1212-8
SIS406DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
13,189
现货
1 : ¥6.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.42228
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9A(Ta)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
28 nC @ 10 V
±25V
1100 pF @ 15 V
-
1.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
DPAK_369C
NVD3055-150T4G-VF01
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
onsemi
4,894
现货
1 : ¥6.40000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.44708
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
9A(Ta)
10V
150 毫欧 @ 4.5A,10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 25 V
-
1.5W(Ta),28.8W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MicroFet 1.6x1.6 Thin
FDME820NZT
MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET
onsemi
11,695
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.94602
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
9A(Ta)
1.8V,4.5V
18 毫欧 @ 9A,4.5V
1V @ 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±12V
865 pF @ 10 V
-
2.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
MicroFet 1.6x1.6 薄型
6-PowerUFDFN
IRF7469TRPBF
MOSFET N-CH 40V 9A 8SO
Infineon Technologies
5,286
现货
1 : ¥8.37000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.45099
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
9A(Ta)
4.5V,10V
17 毫欧 @ 9A,10V
3V @ 250µA
23 nC @ 4.5 V
±20V
2000 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
4,056
现货
1 : ¥10.92000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.96123
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
9A(Ta)
10V
59 毫欧 @ 4.5A,10V
4V @ 200µA
7 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 75 V
-
700mW(Ta),39W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
13,396
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.08497
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
9A(Ta)
10V
59 毫欧 @ 4.5A,10V
4V @ 200µA
7 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 75 V
-
1.6W(Ta),42W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
X1-DFN1616-6
DMN2020UFCL-7
MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6
Diodes Incorporated
4,896
现货
918,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.07636
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
9A(Ta)
1.8V,4.5V
14 毫欧 @ 9A,4.5V
900mV @ 250µA
21.5 nC @ 4.5 V
±10V
1788 pF @ 10 V
-
610mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X1-DFN1616-6(E 类)
6-PowerUFDFN
6-DFN2020MD_View 2
PMPB10XNEZ
MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
17,534
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.09951
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
9A(Ta)
1.8V,4.5V
14 毫欧 @ 9A,4.5V
900mV @ 250µA
34 nC @ 4.5 V
±12V
2175 pF @ 10 V
-
1.7W(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
DPAK_369C
NTD3055-150T4G
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
onsemi
4,930
现货
7,500
工厂
1 : ¥6.90000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.86584
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
9A(Ta)
10V
150 毫欧 @ 4.5A,10V
4V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 25 V
-
1.5W(Ta),28.8W(Tj)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
5,890
现货
1 : ¥10.75000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.77913
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
9A(Ta)
6.5V,10V
22 毫欧 @ 4.5A,10V
4V @ 100µA
12 nC @ 10 V
±20V
710 pF @ 30 V
-
700mW(Ta),18W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance(3.3x3.3)
8-PowerVDFN
8-SOIC
RXH090N03TB1
4V DRIVE NCH MOSFET: MOSFETS ARE
Rohm Semiconductor
1,662
现货
1 : ¥11.17000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.61792
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9A(Ta)
4V,10V
17 毫欧 @ 9A,10V
2.5V @ 1mA
6.8 nC @ 5 V
±20V
440 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
RRH090P03TB1
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Rohm Semiconductor
2,240
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.72064
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9A(Ta)
4V,10V
15.4 毫欧 @ 9A,10V
2.5V @ 1mA
30 nC @ 5 V
±20V
3000 pF @ 10 V
-
650mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
RRH090P03GZETB
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Rohm Semiconductor
1,094
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.22912
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9A(Ta)
4V,10V
15.4 毫欧 @ 9A,10V
2.5V @ 1mA
56 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 10 V
-
650mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
RRS090P03HZGTB
AUTOMOTIVE PCH -30V -9A POWER MO
Rohm Semiconductor
2,041
现货
1 : ¥13.05000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.48004
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9A(Ta)
4V,10V
15.4 毫欧 @ 9A,10V
2.5V @ 1mA
30 nC @ 5 V
±20V
3000 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
R6004KNXC7G
R8009KNXC7G
HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Rohm Semiconductor
1,808
现货
1 : ¥23.15000
剪切带(CT)
1,000 : ¥15.36260
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
9A(Ta)
10V
600 毫欧 @ 4.5A,10V
4.5V @ 5mA
27 nC @ 10 V
±20V
900 pF @ 100 V
-
59W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FM
TO-220-3 整包
MCM1206-TP
MCM1567-TP
MOSFET P-CH 20V 9A DFN2020-6J
Micro Commercial Co
30,687
现货
1 : ¥5.99000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.27693
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
9A(Ta)
2.5V,4.5V
18 毫欧 @ 6.7A,4.5V
1V @ 250µA
34 nC @ 4.5 V
±12V
2760 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN2020-6J
6-WDFN 裸露焊盘
8-SMD, Flat Lead
ECH8310-TL-H
MOSFET P-CH 30V 9A 8ECH
onsemi
2,500
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.93862
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
9A(Ta)
4V,10V
17 毫欧 @ 4.5A,10V
-
28 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 10 V
-
1.5W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-ECH
8-SMD,扁平引线
R6004KNXC7G
R6509ENXC7G
650V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Rohm Semiconductor
994
现货
1 : ¥8.37000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
9A(Ta)
10V
585 毫欧 @ 2.8A,10V
4V @ 230µA
24 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 25 V
-
48W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FM
TO-220-3 整包
R6004KNXC7G
R6509KNXC7G
650V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Rohm Semiconductor
3,990
现货
1 : ¥14.94000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
9A(Ta)
10V
585 毫欧 @ 2.8A,10V
5V @ 230µA
16.5 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 25 V
-
48W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FM
TO-220-3 整包
R6004KNXC7G
R6009ENXC7G
600V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Rohm Semiconductor
975
现货
1 : ¥15.43000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
9A(Ta)
10V
535 毫欧 @ 2.8A,10V
4V @ 1mA
23 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 25 V
-
48W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FM
TO-220-3 整包
显示
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9A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。