900mA(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 41
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Renesas Electronics Corporation
系列
-HEXFET®PowerTrench®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)带盒(TB)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V60 V100 V150 V350 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,4.5V2.7V,4.5V4V,10V4.5V,10V5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
130 毫欧 @ 900mA,4.5V220 毫欧 @ 900mA,4.5V254 毫欧 @ 900mA,4.5V300 毫欧 @ 1A,10V300 毫欧 @ 400mA,4.5V300 毫欧 @ 900mA,4.5V400 毫欧 @ 900mA,10V450 毫欧 @ 600mA,4.5V460 毫欧 @ 200mA,4.5V460毫欧 @ 700mA,4,5V470 毫欧 @ 900mA,4.5V490 毫欧 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 250µA1.05V @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.25V @ 250µA1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 1mA3V @ 250µA5.5V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.5 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 4.5 V0.93 nC @ 4.5 V0.98 nC @ 4.5 V1.1 nC @ 4.5 V1.16 nC @ 4.5 V1.16 nC @ 15 V1.3 nC @ 4.5 V1.5 nC @ 4.5 V1.6 nC @ 8 V1.65 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±6V±8V±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
37 pF @ 16 V41 pF @ 15 V42 pF @ 16 V50 pF @ 15 V52 pF @ 16 V54 pF @ 15 V65 pF @ 25 V73 pF @ 25 V78 pF @ 25 V81 pF @ 15 V88 pF @ 25 V109 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
275mW(Ta),1.065W(Tc)300mW(Ta)300mW(Ta),4.7W(Tc)342mW(Ta)350mW(Ta)350mW(Ta),5.43W(Tc)360mW(Ta),2,23W(Tc)360mW(Ta),2.7W(Tc)400mW400mW(Ta)470mW(Ta)500mW500mW(Ta)500mW(Ta),4.7W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOPDFN0603-3(SOT8013)DFN0606-3DFN1006B-3E-Line(TO-92 兼容)Micro6™(TSOP-6)SC-59-3SC-70SC-73SOT-23SOT-23-3SOT-323SOT-523SOT-883
封装/外壳
3-PowerUDFN3-UDFN3-XFDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)0201(0603 公制)E-Line-3SC-101,SOT-883SC-70,SOT-323SOT-23-6 细型,TSOT-23-6SOT-523TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
41结果
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/ 41
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
NDS352AP
MOSFET P-CH 30V 900MA SUPERSOT3
onsemi
13,996
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.19737
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
900mA(Ta)
4.5V,10V
300 毫欧 @ 1A,10V
2.5V @ 250µA
3 nC @ 4.5 V
±20V
135 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
ZXM61P02FTA
MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Diodes Incorporated
33,597
现货
384,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.99221
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
900mA(Ta)
2.7V,4.5V
600 毫欧 @ 610mA,4.5V
1.5V @ 250µA
3.5 nC @ 4.5 V
±12V
150 pF @ 15 V
-
625mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
FDV305N
MOSFET N-CH 20V 900MA SOT23
onsemi
32,380
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.87719
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
900mA(Ta)
2.5V,4.5V
220 毫欧 @ 900mA,4.5V
1.5V @ 250µA
1.5 nC @ 4.5 V
±12V
109 pF @ 10 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
ZXMP6A13FTA
MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3
Diodes Incorporated
9,824
现货
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.49528
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
900mA(Ta)
4.5V,10V
400 毫欧 @ 900mA,10V
3V @ 250µA
5.9 nC @ 10 V
±20V
219 pF @ 30 V
-
625mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3731U-7
MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
Diodes Incorporated
102,301
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.33605
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
900mA(Ta)
1.8V,4.5V
460 毫欧 @ 200mA,4.5V
950mV @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
73 pF @ 25 V
-
400mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3731U-13
MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
Diodes Incorporated
6,238
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.19396
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
900mA(Ta)
1.8V,4.5V
460 毫欧 @ 200mA,4.5V
950mV @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
73 pF @ 25 V
-
400mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
DMN2710UW-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
8,594
现货
174,000
工厂
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.37163
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
900mA(Ta)
1.8V,4.5V
450 毫欧 @ 600mA,4.5V
1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±6V
42 pF @ 16 V
-
470mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
3-XDFN
DMN2450UFD-7
MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Diodes Incorporated
17,089
现货
1,473,000
工厂
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.47483
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
900mA(Ta)
1.5V,4.5V
600 毫欧 @ 200mA,4.5V
1V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±12V
52 pF @ 16 V
-
400mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X1-DFN1212-3
3-UDFN
SC-101 SOT-883
PMZ390UNEYL
MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
22,757
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.58290
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
900mA(Ta)
1.5V,4.5V
470 毫欧 @ 900mA,4.5V
950mV @ 250µA
1.3 nC @ 4.5 V
±8V
41 pF @ 15 V
-
350mW(Ta),5.43W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-883
SC-101,SOT-883
DFN0603-3 (SOT8013)
PMX400UPZ
PMX400UP/SOT8013/DFN0603-3
Nexperia USA Inc.
16,500
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
15,000 : ¥0.72080
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
900mA(Ta)
1.8V,4.5V
500 毫欧 @ 1A,4.5V
900mV @ 250µA
2.4 nC @ 4.5 V
±12V
146 pF @ 10 V
-
500mW(Ta),4.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN0603-3(SOT8013)
0201(0603 公制)
SOT-23-3
ZXMP6A13FQTA
MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23
Diodes Incorporated
11,439
现货
2,430,000
工厂
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.76560
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
900mA(Ta)
4.5V,10V
400 毫欧 @ 900mA,10V
3V @ 250µA
2.9 nC @ 4.5 V
±20V
219 pF @ 30 V
-
625mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TSOT-23-6, TSOT-6
IRF5802TRPBF
MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Infineon Technologies
9,135
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.59853
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
900mA(Ta)
10V
1.2 欧姆 @ 540mA,10V
5.5V @ 250µA
6.8 nC @ 10 V
±30V
88 pF @ 25 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro6™(TSOP-6)
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TO-92
ZVN4310A
MOSFET N-CH 100V 900MA TO92-3
Diodes Incorporated
2,831
现货
20,000
工厂
1 : ¥12.73000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
900mA(Ta)
5V,10V
500 毫欧 @ 3A,10V
3V @ 1mA
-
±20V
350 pF @ 25 V
-
850mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-92
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
3-XDFN
DMN2400UFD-7
MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Diodes Incorporated
8,279
现货
93,000
工厂
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.51440
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
900mA(Ta)
1.5V,4.5V
600 毫欧 @ 200mA,4.5V
1V @ 250µA
500 nC @ 4.5 V
±12V
37 pF @ 16 V
-
400mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X1-DFN1212-3
3-UDFN
3-XQFN
PMZB390UNEYL
MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Nexperia USA Inc.
28,006
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.48027
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
900mA(Ta)
1.5V,4.5V
470 毫欧 @ 900mA,4.5V
950mV @ 250µA
1.3 nC @ 4.5 V
±8V
41 pF @ 15 V
-
350mW(Ta),5.43W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN1006B-3
3-XFDFN
SC-101 SOT-883
PMZ370UNEYL
MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
25,111
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.59859
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
900mA(Ta)
1.8V,4.5V
490 毫欧 @ 500mA,4.5V
1.05V @ 250µA
1.16 nC @ 4.5 V
±8V
78 pF @ 25 V
-
360mW(Ta),2.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-883
SC-101,SOT-883
SBA120CS-AUR1A1XXX
PJE8401_R1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
6,702
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
4,000 : ¥0.54464
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
900mA(Ta)
1.8V,4.5V
130 毫欧 @ 900mA,4.5V
1.2V @ 250µA
5.4 nC @ 4.5 V
±12V
416 pF @ 10 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT-323
DMN2710UWQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
Diodes Incorporated
3,000
现货
126,000
工厂
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.43564
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
900mA(Ta)
1.8V,4.5V
450 毫欧 @ 600mA,4.5V
1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±6V
42 pF @ 16 V
-
470mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
DFN0606-3
PMH400UNEH
MOSFET N-CH 30V 900MA DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
19,455
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.40550
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
900mA(Ta)
1.5V,4.5V
460毫欧 @ 700mA,4,5V
950mV @ 250µA
0.93 nC @ 4.5 V
±8V
4540 pF @ 15 V
-
360mW(Ta),2,23W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN0606-3
3-XFDFN
SC-59-3
DMP2012SN-7
MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
Diodes Incorporated
1,993
现货
111,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.84613
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
900mA(Ta)
2.5V,4.5V
300 毫欧 @ 400mA,4.5V
1.2V @ 250µA
-
±12V
178.5 pF @ 10 V
-
500mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC-73
PMT760EN,115
MOSFET N-CH 100V 900MA SOT223
NXP USA Inc.
0
现货
2,152,230
市场
5,323 : ¥0.43712
散装
-
卷带(TR)
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
900mA(Ta)
4.5V,10V
950 毫欧 @ 800mA,10V
2.5V @ 250µA
3 nC @ 10 V
±20V
160 pF @ 80 V
-
800mW(Ta),6.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-73
TO-261-4,TO-261AA
SC-73
PMT760EN,135
MOSFET N-CH 100V 900MA SOT223
NXP USA Inc.
0
现货
26,824
市场
5,323 : ¥0.43712
散装
-
卷带(TR)
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
900mA(Ta)
4.5V,10V
950 毫欧 @ 800mA,10V
2.5V @ 250µA
3 nC @ 10 V
±20V
160 pF @ 80 V
-
800mW(Ta),6.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-73
TO-261-4,TO-261AA
3 Power UDFN
DMN2400UFDQ-13
MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN
Diodes Incorporated
10,000
现货
10,000 : ¥0.76344
卷带(TR)
-
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
900mA(Ta)
1.5V,4.5V
600 毫欧 @ 200mA,4.5V
1V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±12V
37 pF @ 16 V
-
400mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN1212-3(C 类)
3-PowerUDFN
INFINFBFR843EL3E6327XTSA1
PMZB420UN,315
MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
NXP USA Inc.
116,752
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
900mA(Ta)
1.8V,4.5V
490 毫欧 @ 200mA,4.5V
950mV @ 250µA
0.98 nC @ 4.5 V
±8V
65 pF @ 25 V
-
360mW(Ta),2.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN1006B-3
SC-101,SOT-883
11,137
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.91058
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
900mA(Ta)
4.5V,10V
650 毫欧 @ 900mA,10V
2.5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
448 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 41

900mA(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。