8A(Tj) 单 FET,MOSFET

结果 : 9
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemiRenesas Electronics CorporationSTMicroelectronics
系列
-aMOS5™CoolMOS™STripFET™ F6SuperFET® III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V40 V600 V800 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
16 毫欧 @ 8A,4.5V20.5 毫欧 @ 4A,10V180 毫欧 @ 5.6A,10V600 毫欧 @ 2.1A,10V600 毫欧 @ 4A,10V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA2.5V @ 250µA3.5V @ 250µA3.8V @ 180µA4.7V @ 140µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
11.5 nC @ 10 V15.5 nC @ 10 V17 nC @ 10 V22 nC @ 4.5 V36 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2.195 pF @ 15 V608 pF @ 100 V725 pF @ 400 V743 pF @ 400 V2850 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.7W(Ta)2.9W(Ta)23W(Tc)25W(Tc)27.5W(Tc)28W(Tc)60W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-ECHDFN2020MD-6PG-TO220 整包PowerFlat™(3.3x3.3)TO-220FTO-220FPTO-252(DPAK)TO-262F
封装/外壳
6-UDFN 裸露焊盘8-PowerVDFN8-SMD,扁平引线TO-220-3 整包TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PowerFlat
STL8P4LLF6
MOSFET P-CH 40V POWERFLAT
STMicroelectronics
4,904
现货
1 : ¥8.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.65585
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
8A(Tj)
4.5V,10V
20.5 毫欧 @ 4A,10V
2.5V @ 250µA
22 nC @ 4.5 V
±20V
2850 pF @ 25 V
-
2.9W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(3.3x3.3)
8-PowerVDFN
TO-252 DPAK
NTD600N80S3Z
MOSFET POWER, N-CHANNEL, SUPERFE
onsemi
2,543
现货
5,000
工厂
1 : ¥18.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.37926
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
8A(Tj)
10V
600 毫欧 @ 4A,10V
3.8V @ 180µA
15.5 nC @ 10 V
±20V
725 pF @ 400 V
-
60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
0
现货
查看交期
1 : ¥16.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
8A(Tj)
10V
180 毫欧 @ 5.6A,10V
4.7V @ 140µA
17 nC @ 10 V
±20V
743 pF @ 400 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220 整包
TO-220-3 整包
6-DFN2020MD_View 2
PMPB13XNEAX
PMPB13XNEA/SOT1220/SOT1220
Nexperia USA Inc.
0
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.27572
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8A(Tj)
4.5V
16 毫欧 @ 8A,4.5V
900mV @ 250µA
36 nC @ 4.5 V
±8V
2.195 pF @ 15 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
0
现货
1,000 : ¥6.11778
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
8A(Tj)
10V
600 毫欧 @ 2.1A,10V
3.5V @ 250µA
11.5 nC @ 10 V
±20V
608 pF @ 100 V
-
27.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
0
现货
1,000 : ¥7.52240
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
8A(Tj)
10V
600 毫欧 @ 2.1A,10V
3.5V @ 250µA
11.5 nC @ 10 V
±20V
608 pF @ 100 V
-
23W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-262F
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
TO-220F-3
NTPF600N80S3Z
SF3 800V 600MOHM TO-220F
onsemi
0
现货
查看交期
1,000 : ¥11.56343
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
8A(Tj)
10V
600 毫欧 @ 4A,10V
3.8V @ 180µA
15.5 nC @ 10 V
±20V
725 pF @ 400 V
-
28W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
8-SMD, Flat Lead
ECH8601M-C-TL-HX
MOSFET N-CH 24V 8A ECH8
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
-
-
-
8A(Tj)
-
-
-
-
-
-
-
-
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-ECH
8-SMD,扁平引线
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
-
-
-
8A(Tj)
-
-
-
-
-
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-
-
-
-
-
-
-
-
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8A(Tj) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。