800mA(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 23
制造商
Good-Ark SemiconductorHarris CorporationInfineon TechnologiesLittelfuse Inc.NXP USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-CoolMOS™DepletionPolarTrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产最后售卖在售
漏源电压(Vdss)
20 V30 V60 V100 V500 V600 V650 V1000 V1200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.8V,4.5V10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
300 毫欧 @ 500mA,4.5V480 毫欧 @ 200mA,4.5V800 毫欧 @ 800mA,10V4.6 欧姆 @ 400mA,0V6 欧姆 @ 500mA,10V20 欧姆 @ 400mA,10V20 欧姆 @ 500mA,10V21 欧姆 @ 400mA,0V25 欧姆 @ 400mA,10V25 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA3.9V @ 250µA4V @ 250µA4V @ 50µA4.5V @ 50µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.89 nC @ 4.5 V1 nC @ 4.5 V5 nC @ 10 V7 nC @ 10 V11.3 nC @ 10 V12.7 nC @ 5 V14 nC @ 10 V14.6 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
43 pF @ 25 V75 pF @ 10 V100 pF @ 25 V135 pF @ 25 V200 pF @ 25 V240 pF @ 25 V312 pF @ 25 V325 pF @ 25 V333 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
312mW(Tc)530mW(Tc)1W(Tc)11W(Tc)42W(Tc)50W(Tc)60W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
4-DIP,Hexdip4-HVMDIPPG-TO251-3-11PG-TO251-3-21PG-TO252-3-11SC-75SOT-523TO-220-3TO-252AATO-263(D2PAK)TO-263AA
封装/外壳
4-DIP(0.300",7.62mm)SC-75,SOT-416SOT-523TO-220-3TO-251-3 短引线,IPAKTO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
23结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 23
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252-3
IXTY08N50D2
MOSFET N-CH 500V 800MA TO252
Littelfuse Inc.
14,102
现货
1 : ¥23.56000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
800mA(Tc)
-
4.6 欧姆 @ 400mA,0V
-
12.7 nC @ 5 V
±20V
312 pF @ 25 V
耗尽模式
60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263AB
IXTA08N100D2
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
Littelfuse Inc.
1,362
现货
1 : ¥23.56000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
800mA(Tc)
-
21 欧姆 @ 400mA,0V
-
14.6 nC @ 5 V
±20V
325 pF @ 25 V
耗尽模式
60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IXTA08N120P
MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
Littelfuse Inc.
450
现货
650
工厂
1 : ¥32.76000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
800mA(Tc)
10V
25 欧姆 @ 500mA,10V
4.5V @ 50µA
14 nC @ 10 V
±20V
333 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
IXTP08N100P
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Littelfuse Inc.
265
现货
1 : ¥13.71000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
800mA(Tc)
10V
20 欧姆 @ 500mA,10V
4V @ 50µA
11.3 nC @ 10 V
±20V
240 pF @ 25 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-263AB
IXTA08N50D2
MOSFET N-CH 500V 800MA TO263
Littelfuse Inc.
255
现货
350
工厂
1 : ¥23.56000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
800mA(Tc)
-
4.6 欧姆 @ 400mA,0V
-
12.7 nC @ 5 V
±20V
312 pF @ 25 V
耗尽模式
60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
GSBAT54AT
SSF2320Y
MOSFET, N-CH, SINGLE, 0.8A, 20V,
Good-Ark Semiconductor
20,990
现货
1 : ¥1.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.36235
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Tc)
1.2V,4.5V
300 毫欧 @ 500mA,4.5V
1V @ 250µA
1 nC @ 4.5 V
±8V
75 pF @ 10 V
-
312mW(Tc)
-55°C ~ 150°C
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
TO-251-3 Stub
SPS01N60C3
MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3
Infineon Technologies
0
现货
43,500
市场
停产
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
800mA(Tc)
10V
6 欧姆 @ 500mA,10V
3.9V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
100 pF @ 25 V
-
11W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO251-3-11
TO-251-3 短引线,IPAK
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
IRFD112
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Harris Corporation
1,371
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
800mA(Tc)
10V
800 毫欧 @ 800mA,10V
4V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±20V
135 pF @ 25 V
-
1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
4-DIP,Hexdip
4-DIP(0.300",7.62mm)
ISL9N302AS3
SPS01N60C3BKMA1
0.8A, 600V, N-CHANNEL MOSFET, T
Infineon Technologies
30,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
800mA(Tc)
10V
6 欧姆 @ 500mA,10V
3.9V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
100 pF @ 25 V
-
11W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO251-3-11
TO-251-3 短引线,IPAK
4-DIP
IRFD113
MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
Harris Corporation
52,726
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
800mA(Tc)
10V
800 毫欧 @ 800mA,10V
4V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 25 V
-
1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
4-HVMDIP
4-DIP(0.300",7.62mm)
4-DIP
IRFD113PBF
MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
Vishay Siliconix
2,304
现货
1 : ¥12.07000
管件
-
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
800mA(Tc)
10V
800 毫欧 @ 800mA,10V
4V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 25 V
-
1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
4-HVMDIP
4-DIP(0.300",7.62mm)
TO-220-3
IXTP08N100D2
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO220AB
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥23.56000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
800mA(Tc)
-
21 欧姆 @ 400mA,0V
-
14.6 nC @ 5 V
±20V
325 pF @ 25 V
耗尽模式
60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
IXTP08N50D2
MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥23.56000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
800mA(Tc)
-
4.6 欧姆 @ 400mA,0V
-
12.7 nC @ 5 V
±20V
312 pF @ 25 V
耗尽模式
60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-252-3
IXTY08N100D2
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥31.44000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
800mA(Tc)
-
21 欧姆 @ 400mA,0V
-
14.6 nC @ 5 V
±20V
325 pF @ 25 V
耗尽模式
60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252-3
IXTY08N100P
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Littelfuse Inc.
0
现货
910
工厂
查看交期
350 : ¥14.84497
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
800mA(Tc)
10V
20 欧姆 @ 500mA,10V
4V @ 50µA
11.3 nC @ 10 V
±20V
240 pF @ 25 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
SPD01N60C3BTMA1
MOSFET N-CH 650V 800MA TO252-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
800mA(Tc)
10V
6 欧姆 @ 500mA,10V
3.9V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
100 pF @ 25 V
-
11W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
IXTY08N100P-TRL
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
2,500 : ¥13.53757
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
800mA(Tc)
10V
20 欧姆 @ 400mA,10V
4V @ 50µA
11.3 nC @ 10 V
±20V
240 pF @ 25 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263AB
IXTA08N100P
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
300 : ¥14.27110
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
800mA(Tc)
10V
20 欧姆 @ 500mA,10V
4V @ 50µA
11.3 nC @ 10 V
±20V
240 pF @ 25 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263AB
IXTA08N120P-TRL
MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
Littelfuse Inc.
0
现货
40,800
工厂
查看交期
800 : ¥19.75330
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
800mA(Tc)
10V
25 欧姆 @ 400mA,10V
4.5V @ 50µA
14 nC @ 10 V
±20V
333 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
IXTP08N120P
MOSFET N-CH 1200V 800MA TO220AB
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
300 : ¥20.98783
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
800mA(Tc)
10V
25 欧姆 @ 500mA,10V
4.5V @ 50µA
14 nC @ 10 V
±20V
333 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
EMT3
PMR400UN,115
MOSFET N-CH 30V 800MA SC75
NXP USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
800mA(Tc)
1.8V,4.5V
480 毫欧 @ 200mA,4.5V
1V @ 250µA
0.89 nC @ 4.5 V
±8V
43 pF @ 25 V
-
530mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SC-75
SC-75,SOT-416
PG-TO251-3
SPU01N60C3BKMA1
MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
800mA(Tc)
10V
6 欧姆 @ 500mA,10V
3.9V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
100 pF @ 25 V
-
11W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO251-3-21
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
4-DIP
IRFD113
MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP
Vishay Siliconix
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
800mA(Tc)
10V
800 毫欧 @ 800mA,10V
4V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 25 V
-
1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
4-HVMDIP
4-DIP(0.300",7.62mm)
显示
/ 23

800mA(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。