8.8A（Tc）单 FET，MOSFET

显示

/ 36

制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

SUD09P10-195-GE3 MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252 Vishay Siliconix	24,748 现货	1 : ¥6.81000 剪切带（CT） 2,000 : ¥2.82959 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	8.8A（Tc）	4.5V，10V	195 毫欧 @ 3.6A，10V	2.5V @ 250µA	34.8 nC @ 10 V	±20V	1055 pF @ 50 V	-	2.5W（Ta），32.1W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
SUD09P10-195-BE3 MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK Vishay Siliconix	3,923 现货	1 : ¥6.81000 剪切带（CT） 2,000 : ¥2.82959 卷带（TR）	TrenchFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	8.8A（Tc）	4.5V，10V	195 毫欧 @ 3.6A，10V	2.5V @ 250µA	34.8 nC @ 10 V	±20V	1055 pF @ 50 V	-	2.5W（Ta），32.1W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR9024TRPBF MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK Vishay Siliconix	9,215 现货	1 : ¥10.18000 剪切带（CT） 2,000 : ¥4.20256 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	8.8A（Tc）	10V	280 毫欧 @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	570 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），42W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFU9024PBF MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA Vishay Siliconix	3,034 现货	1 : ¥12.81000 管件	-	管件	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	8.8A（Tc）	10V	280 毫欧 @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	570 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），42W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-251AA	TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
IRFR9024PBF MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK Vishay Siliconix	3,837 现货	1 : ¥15.35000 管件	-	管件	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	8.8A（Tc）	10V	280 毫欧 @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	570 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），42W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR9024TRLPBF MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK Vishay Siliconix	3,257 现货	1 : ¥15.35000 剪切带（CT） 3,000 : ¥6.90368 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	8.8A（Tc）	10V	280 毫欧 @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	570 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），42W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR9024TRPBF-BE3 MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK Vishay Siliconix	3,468 现货	1 : ¥10.18000 剪切带（CT） 2,000 : ¥4.20256 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	8.8A（Tc）	10V	280 毫欧 @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	570 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），42W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFP440PBF MOSFET N-CH 500V 8.8A TO247-3 Vishay Siliconix	110 现货	1 : ¥26.60000 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	8.8A（Tc）	10V	850 毫欧 @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	150W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247AC	TO-247-3
SIHFR9024TR-GE3 MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK Vishay Siliconix	1,276 现货	1 : ¥6.98000 剪切带（CT） 2,000 : ¥2.64676 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	8.8A（Tc）	10V	280 毫欧 @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	570 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），42W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
FQPF9N25CYDTU MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3 onsemi	0 现货	停产	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	8.8A（Tc）	10V	430 毫欧 @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±30V	710 pF @ 25 V	-	38W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220F-3（Y 型）	TO-220-3 全封装，成形引线
FQB9N25CTM MOSFET N-CH 250V 8.8A D2PAK Fairchild Semiconductor	3,222 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	8.8A（Tc）	10V	430 毫欧 @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±30V	710 pF @ 25 V	-	3.13W（Ta），74W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
FQI9N25CTU MOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK Fairchild Semiconductor	2,000 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	8.8A（Tc）	10V	430 毫欧 @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±30V	710 pF @ 25 V	-	3.13W（Ta），74W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-262（I2PAK）	TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
IRFP440 MOSFET N-CH 500V 8.8A TO247-3 Harris Corporation	1,892 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	8.8A（Tc）	10V	850 毫欧 @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	150W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247AC	TO-247-3
IRF244 N-CHANNEL POWER MOSFET Harris Corporation	39,062 市场	不可用对您所选的货币不可用	-	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	8.8A（Tc）	10V	280 毫欧 @ 8A，10V	4V @ 250µA	59 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	125W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-3	TO-204AA，TO-3
FQPF9N25CYDTU MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3 Fairchild Semiconductor	1,000 市场	不可用对您所选的货币不可用	QFET®	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	250 V	8.8A（Tc）	10V	430 毫欧 @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	35 nC @ 10 V	±30V	710 pF @ 25 V	-	38W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220F-3（Y 型）	TO-220-3 全封装，成形引线
GS-065-008-6-L-MR GS-065-008-6-L-MR Infineon Technologies Canada Inc.	0 现货查看交期	1 : ¥44.97000 剪切带（CT） 250 : ¥28.85756 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	GaNFET（氮化镓）	700 V	8.8A（Tc）	6V	235 毫欧 @ 2.2A，6V	2.6V @ 1.7mA	1.6 nC @ 6 V	+7V，-10V	54 pF @ 400 V	-	-	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-PDFN（5x6）	8-PowerVDFN
PML260SN,118 MOSFET N-CH 200V 8.8A DFN3333-8 Nexperia USA Inc.	0 现货	停产	TrenchMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	8.8A（Tc）	6V，10V	294 毫欧 @ 2.6A，10V	4V @ 1mA	13.3 nC @ 10 V	±20V	657 pF @ 30 V	-	50W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DFN3333-8	8-VDFN 裸露焊盘
IRFR9024PBF-BE3 P-CHANNEL 60V Vishay Siliconix	0 现货查看交期	3,000 : ¥6.90368 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	8.8A（Tc）	10V	280 毫欧 @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	570 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），42W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252AA	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR9024TR MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK Vishay Siliconix	0 现货	2,000 : ¥15.93786 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	8.8A（Tc）	10V	280 毫欧 @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	570 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），42W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR9024TRL MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK Vishay Siliconix	0 现货	3,000 : ¥15.93786 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	8.8A（Tc）	10V	280 毫欧 @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	570 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），42W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRFR9024TRR MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK Vishay Siliconix	0 现货	3,000 : ¥15.93786 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	8.8A（Tc）	10V	280 毫欧 @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	570 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），42W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
GS-065-008-6-L-TR GS-065-008-6-L-TR Infineon Technologies Canada Inc.	0 现货查看交期	3,000 : ¥21.89772 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	N 通道	GaNFET（氮化镓）	700 V	8.8A（Tc）	6V	235 毫欧 @ 2.2A，6V	2.6V @ 1.7mA	1.6 nC @ 6 V	+7V，-10V	54 pF @ 400 V	-	-	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-PDFN（5x6）	8-PowerVDFN
IRFP440 MOSFET N-CH 500V 8.8A TO247-3 Vishay Siliconix	0 现货	停产	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	500 V	8.8A（Tc）	10V	850 毫欧 @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	63 nC @ 10 V	±20V	1300 pF @ 25 V	-	150W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247AC	TO-247-3
IRF744 MOSFET N-CH 450V 8.8A TO220AB Vishay Siliconix	0 现货	停产	-	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	450 V	8.8A（Tc）	10V	630 毫欧 @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	80 nC @ 10 V	±20V	1400 pF @ 25 V	-	125W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IRFR9024 MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK Vishay Siliconix	0 现货	停产	-	管件	停产	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	8.8A（Tc）	10V	280 毫欧 @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	19 nC @ 10 V	±20V	570 pF @ 25 V	-	2.5W（Ta），42W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63