8.6A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 17
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V40 V60 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,10V1.8V,4.5V2.5V,10V4.5V,10V5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.5 毫欧 @ 7.5A,10V7.2 毫欧 @ 13A,10V9 毫欧 @ 11A,10V14 毫欧 @ 9A,10V14.5 毫欧 @ 14.4A,10V17 毫欧 @ 10A,10V17 毫欧 @ 8.5A,10V19 毫欧 @ 8.6A,4.5V19 毫欧 @ 8A,10V21 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
600mV @ 250µA(最小)900mV @ 250µA1V @ 250µA1.6V @ 250µA2.1V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8.7 nC @ 5 V17.9 nC @ 4.5 V20 nC @ 10 V24 nC @ 4.5 V25.3 nC @ 10 V38.5 nC @ 10 V42 nC @ 4.5 V47 nC @ 10 V48 nC @ 4.5 V190 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
798 pF @ 10 V1031 pF @ 15 V1201 pF @ 20 V1600 pF @ 24 V1810 pF @ 10 V2230 pF @ 15 V2303 pF @ 6 V2563 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
810mW(Ta)850mW(Ta)860mW(Ta)900mW(Ta)1.08W(Ta)1.3W(Ta)1.46W(Ta)1.8W(Ta),15.6W(Tc)1.9W(Ta)2W(Ta)
供应商器件封装
6-TSOP8-SO8-SOIC8-TSSOPDFN2020MD-6POWERDI3333-8PowerPAK® SO-8U-DFN2020-6(E 类)U-DFN2020-6(F 类)
封装/外壳
6-PowerUDFN6-UDFN 裸露焊盘8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)PowerPAK® SO-8SC-74,SOT-457
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
17结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 17
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SI7461DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
36,160
现货
1 : ¥18.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.54468
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8.6A(Ta)
4.5V,10V
14.5 毫欧 @ 14.4A,10V
3V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7461DP-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
24,208
现货
1 : ¥18.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.54468
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
8.6A(Ta)
4.5V,10V
14.5 毫欧 @ 14.4A,10V
3V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerDI3333-8
DMP3008SFGQ-7
MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
26,568
现货
30,000
工厂
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.77138
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.6A(Ta)
4.5V,10V
17 毫欧 @ 10A,10V
2.1V @ 250µA
47 nC @ 10 V
±20V
2230 pF @ 15 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMP3008SFG-7
MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
4,238
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
2,000 : ¥1.32556
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.6A(Ta)
4.5V,10V
17 毫欧 @ 10A,10V
2.1V @ 250µA
47 nC @ 10 V
±20V
2230 pF @ 15 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
8 SO
DMN4800LSSQ-13
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO
Diodes Incorporated
4,524
现货
65,000
工厂
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.43356
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.6A(Ta)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 9A,10V
1.6V @ 250µA
8.7 nC @ 5 V
±25V
798 pF @ 10 V
-
1.46W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerDI3333-8
DMP3008SFGQ-13
MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
5,800
现货
6,000
工厂
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.77137
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.6A(Ta)
4.5V,10V
17 毫欧 @ 10A,10V
2.1V @ 250µA
47 nC @ 10 V
±20V
2230 pF @ 15 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
8 SOIC
NTMS4700NR2G
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
onsemi
0
现货
5,000
市场
2,500 : ¥6.06554
卷带(TR)
-
卷带(TR)
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.6A(Ta)
4.5V,10V
7.2 毫欧 @ 13A,10V
3V @ 250µA
24 nC @ 4.5 V
±20V
1600 pF @ 24 V
-
860mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
6-TSOP
AO6404
MOSFET N-CH 20V 8.6A 6TSOP
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
15,289
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.17414
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
8.6A(Ta)
1.8V,10V
17 毫欧 @ 8.5A,10V
1V @ 250µA
17.9 nC @ 4.5 V
±12V
1810 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
8 SOIC
NTMS4700NR2
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
onsemi
0
现货
35,000
市场
2,500 : ¥6.06554
卷带(TR)
-
卷带(TR)
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.6A(Ta)
4.5V,10V
7.2 毫欧 @ 13A,10V
3V @ 250µA
24 nC @ 4.5 V
±20V
1600 pF @ 24 V
-
860mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8 SOIC
NTMS4937NR2G
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
onsemi
0
现货
56,089
市场
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.6A(Ta)
4.5V,10V
6.5 毫欧 @ 7.5A,10V
2.5V @ 250µA
38.5 nC @ 10 V
±20V
2563 pF @ 25 V
-
810mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
U-DFN2020-6 Type E
DMN4020LFDEQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V U-DFN2020-
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.95799
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
8.6A(Ta)
4.5V,10V
21 毫欧 @ 8A,10V
2.4V @ 250µA
25.3 nC @ 10 V
±20V
1201 pF @ 20 V
-
850mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
6-DFN2020MD_View 2
PMPB14XPZ
PMPB14XP/SOT1220/SOT1220
Nexperia USA Inc.
0
现货
查看交期
3,000 : ¥1.09169
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
8.6A(Ta)
1.8V,4.5V
19 毫欧 @ 8.6A,4.5V
900mV @ 250µA
42 nC @ 4.5 V
±8V
2303 pF @ 6 V
-
1.8W(Ta),15.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
U-DFN2020-6 Type E
DMN4020LFDEQ-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V U-DFN2020-
Diodes Incorporated
0
现货
117,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥1.11057
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
8.6A(Ta)
4.5V,10V
21 毫欧 @ 8A,10V
2.4V @ 250µA
25.3 nC @ 10 V
±20V
1201 pF @ 20 V
-
850mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
U-DFN2020-6 Type F
DMP3025SFDF-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Diodes Incorporated
0
现货
10,000
工厂
查看交期
10,000 : ¥1.51904
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.6A(Ta)
5V,10V
19 毫欧 @ 8A,10V
2.6V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±25V
1031 pF @ 15 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
PowerDI3333-8
DMP3008SFG-13
MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
0
现货
6,000
工厂
查看交期
3,000 : ¥1.71974
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.6A(Ta)
4.5V,10V
17 毫欧 @ 10A,10V
2.1V @ 250µA
47 nC @ 10 V
±20V
2230 pF @ 15 V
-
900mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
U-DFN2020-6 Type F
DMP3025SFDF-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥1.74409
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.6A(Ta)
5V,10V
19 毫欧 @ 8A,10V
2.6V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±25V
1031 pF @ 15 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
8-TSSOP 8-MSOP
SI6404DQ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP
Vishay Siliconix
0
现货
3,000 : ¥9.92541
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
8.6A(Ta)
2.5V,10V
9 毫欧 @ 11A,10V
600mV @ 250µA(最小)
48 nC @ 4.5 V
±12V
-
-
1.08W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-TSSOP
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
显示
/ 17

8.6A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。