79A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 22
制造商
Diodes IncorporatedFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesInternational RectifierNexperia USA Inc.onsemi
系列
-HEXFET®OptiMOS™OptiMOS™ 5PowerTrench®TrenchMOS™UniFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V100 V150 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3 毫欧 @ 79A,10V6 毫欧 @ 15A,10V6 毫欧 @ 20A,10V7 毫欧 @ 40A,10V7.6 毫欧 @ 20A,10V8.4 毫欧 @ 47A,10V11 毫欧 @ 9.8A,10V16 毫欧 @ 33A,10V30 毫欧 @ 39.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 1mA2.15V @ 1mA2.3V @ 49µA2.5V @ 250µA3.5V @ 270µA4V @ 100µA4V @ 1mA4V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
16.4 nC @ 5 V20 nC @ 4.5 V24 nC @ 10 V26.2 nC @ 10 V69 nC @ 10 V73 nC @ 10 V104 nC @ 10 V107 nC @ 10 V112 nC @ 10 V206 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1425 pF @ 12 V1650 pF @ 25 V2290 pF @ 50 V2403 pF @ 25 V2700 pF @ 50 V3410 pF @ 25 V4497 pF @ 20 V5697 pF @ 20 V5870 pF @ 25 V14800 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
3.7W(Ta),115W(Tc)3.9W(Ta),119W(Tc)38W(Tc)41W(Tc)55W(Tc)83W(Tc)94.3W(Tc)95W(Tc)110W(Tc)310W(Tc)417W(Tc)463W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAKLFPAK56,Power-SO8PG-TDSON-8-6PG-TO220-FPPowerDI5060-8(UX 类)TO-220-3TO-220ABTO-220F-3TO-252(DPAK)TO-262TO-263(D2PAK)TO-3PN
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-100,SOT-669TO-220-3TO-220-3 整包TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-3P-3,SC-65-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
22结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 22
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB PKG
IRF1018EPBF
MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Infineon Technologies
3,761
现货
1 : ¥10.02000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
79A(Tc)
10V
8.4 毫欧 @ 47A,10V
4V @ 100µA
69 nC @ 10 V
±20V
2290 pF @ 50 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF1018ESTRLPBF
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Infineon Technologies
9,022
现货
1 : ¥13.14000
剪切带(CT)
800 : ¥7.09645
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
79A(Tc)
10V
8.4 毫欧 @ 47A,10V
4V @ 100µA
69 nC @ 10 V
±20V
2290 pF @ 50 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN6R0-30YL,115
MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
3,630
现货
1 : ¥6.16000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.61526
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
79A(Tc)
4.5V,10V
6 毫欧 @ 15A,10V
2.15V @ 1mA
24 nC @ 10 V
±20V
1425 pF @ 12 V
-
55W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y7R6-40E,115
MOSFET N-CH 40V 79A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2,995
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.47182
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
79A(Tc)
5V,10V
6 毫欧 @ 20A,10V
2.1V @ 1mA
16.4 nC @ 5 V
±10V
2403 pF @ 25 V
-
95W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y7R6-40EX
MOSFET N-CH 40V 79A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
1,498
现货
1 : ¥13.38000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.28600
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
79A(Tc)
10V
7.6 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 1mA
26.2 nC @ 10 V
±20V
1650 pF @ 25 V
-
94.3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
MJD32CTF-ON
AUIRF1018ES
AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
International Rectifier
12,661
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
79A(Tc)
10V
8.4 毫欧 @ 47A,10V
4V @ 100µA
69 nC @ 10 V
±20V
2290 pF @ 50 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
FDP79N15
MOSFET N-CH 150V 79A TO220-3
Fairchild Semiconductor
6,035
市场
不可用
对您所选的货币不可用
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
79A(Tc)
10V
30 毫欧 @ 39.5A,10V
5V @ 250µA
73 nC @ 10 V
±30V
3410 pF @ 25 V
-
463W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-263
FDB2532-F085
MOSFET N-CH 150V 79A TO263AB
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
79A(Tc)
6V,10V
16 毫欧 @ 33A,10V
4V @ 250µA
107 nC @ 10 V
±20V
5870 pF @ 25 V
-
310W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PowerDI5060 UX
DMP4009SPSW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
2,500 : ¥3.68459
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
79A(Tc)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 9.8A,10V
2.5V @ 250µA
112 nC @ 10 V
±20V
5697 pF @ 20 V
-
3.9W(Ta),119W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI5060-8(UX 类)
8-PowerTDFN
PowerDI5060 UX
DMP4009SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
2,500 : ¥3.96205
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
79A(Tc)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 9.8A,10V
2.5V @ 250µA
112 nC @ 10 V
±20V
5697 pF @ 20 V
-
3.9W(Ta),119W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerDI5060-8(UX 类)
8-PowerTDFN
TO-252 D-Pak Top
DMPH4011SK3-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
2,500
工厂
查看交期
2,500 : ¥4.11725
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
79A(Tc)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 9.8A,10V
2.5V @ 250µA
104 nC @ 10 V
±20V
4497 pF @ 20 V
-
3.7W(Ta),115W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252 D-Pak Top
DMPH4011SK3Q-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V TO252 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
5,000
工厂
查看交期
2,500 : ¥4.38775
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
79A(Tc)
4.5V,10V
11 毫欧 @ 9.8A,10V
2.5V @ 250µA
104 nC @ 10 V
±20V
4497 pF @ 20 V
-
3.7W(Ta),115W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB PKG
AUIRF1018E
MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Infineon Technologies
0
现货
1,000 : ¥9.23702
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
79A(Tc)
-
8.4 毫欧 @ 47A,10V
4V @ 100µA
69 nC @ 10 V
-
2290 pF @ 50 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
BSC0805LSATMA1
BSC0805LSATMA1
MOSFET N-CH 100V 79A TDSON-8-6
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
79A(Tc)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 40A,10V
2.3V @ 49µA
20 nC @ 4.5 V
±20V
2700 pF @ 50 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
PG-TO-220-FP
IPA030N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP
Infineon Technologies
0
现货
500 : ¥32.48834
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
79A(Tc)
6V,10V
3 毫欧 @ 79A,10V
3.5V @ 270µA
206 nC @ 10 V
±20V
14800 pF @ 50 V
-
41W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
TO-220F
FDPF79N15
MOSFET N-CH 150V 79A TO220F
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
79A(Tc)
10V
30 毫欧 @ 39.5A,10V
5V @ 250µA
73 nC @ 10 V
±30V
3410 pF @ 25 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
TO-220-3
FDP79N15
MOSFET N-CH 150V 79A TO220-3
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
79A(Tc)
10V
30 毫欧 @ 39.5A,10V
5V @ 250µA
73 nC @ 10 V
±30V
3410 pF @ 25 V
-
463W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-262-3
IRF1018ESLPBF
MOSFET N-CH 60V 79A TO262
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
79A(Tc)
10V
8.4 毫欧 @ 47A,10V
4V @ 100µA
69 nC @ 10 V
±20V
2290 pF @ 50 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-262
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF1018ESPBF
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
79A(Tc)
10V
8.4 毫欧 @ 47A,10V
4V @ 100µA
69 nC @ 10 V
±20V
2290 pF @ 50 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-3P-3,TO-247-3
FDA79N15
MOSFET N-CH 150V 79A TO3PN
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
79A(Tc)
10V
30 毫欧 @ 39.5A,10V
5V @ 250µA
73 nC @ 10 V
±30V
3410 pF @ 25 V
-
417W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PN
TO-3P-3,SC-65-3
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PH6030AL,115
MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
0
现货
在售
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
79A(Tc)
-
6 毫欧 @ 15A,10V
2.15V @ 1mA
24 nC @ 10 V
-
1425 pF @ 12 V
-
-
-
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
AUIRF1018ES
MOSFET N-CH 60V 79A D2PAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
79A(Tc)
10V
8.4 毫欧 @ 47A,10V
4V @ 100µA
69 nC @ 10 V
±20V
2290 pF @ 50 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
/ 22

79A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。