780mA(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorInfineon Technologies
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,4.5V2.7V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
450 毫欧 @ 300mA,4.5V600 毫欧 @ 610mA,4.5V990 毫欧 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250A1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.41 nC @ 4.5 V3.6 nC @ 4.45 V3.6 nC @ 4.5 V5.2 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±8V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
31 pF @ 15 V97 pF @ 15 V146 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
446mW(Ta)520mW(Ta)540mW(Ta)
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23SOT-723X1-DFN1006-3
封装/外壳
3-UFDFNSOT-723TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML6302TRPBF
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23
Infineon Technologies
194,995
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.94213
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
780mA(Ta)
2.7V,4.5V
600 毫欧 @ 610mA,4.5V
1.5V @ 250µA
3.6 nC @ 4.45 V
±12V
97 pF @ 15 V
-
540mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
X2-DFN1006-3
DMN2990UFB-7B
MOSFET N-CH 20V 780MA 3DFN
Diodes Incorporated
10,000
现货
2,260,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.37066
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
780mA(Ta)
1.8V,4.5V
990 毫欧 @ 100mA,4.5V
1V @ 250A
0.41 nC @ 4.5 V
±8V
31 pF @ 15 V
-
520mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
S3134K
GSFF0308
MOSFET, N-CH, SINGLE, 780MA, 30V
Good-Ark Semiconductor
15,890
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.43118
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
780mA(Ta)
2.5V,4.5V
450 毫欧 @ 300mA,4.5V
1.2V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±12V
146 pF @ 15 V
-
446mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-723
SOT-723
SOT-23-3
IRLML6302GTRPBF
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23-3
Infineon Technologies
0
现货
6,817
市场
查看交期
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
6,000 : ¥0.86567
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
780mA(Ta)
2.7V,4.5V
600 毫欧 @ 610mA,4.5V
1.5V @ 250µA
3.6 nC @ 4.5 V
±12V
97 pF @ 15 V
-
540mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6302TR
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
Infineon Technologies
0
现货
停产
-
剪切带(CT)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
780mA(Ta)
-
600 毫欧 @ 610mA,4.5V
1.5V @ 250µA
3.6 nC @ 4.45 V
-
97 pF @ 15 V
-
-
-
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 5

780mA(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。