71A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 23
制造商
Diodes IncorporatedFairchild SemiconductorGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorInfineon TechnologiesInternational RectifierIXYSMicrochip TechnologyNexperia USA Inc.onsemi
系列
-G3R™HEXFET®HiPerFET™POWER MOS 7®PowerTrench®QFET®SGTUltraFET®UltraFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
20 V30 V60 V80 V100 V200 V500 V1200 V1700 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V4.5V,10V10V15V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.2 毫欧 @ 43A,10V5.5 毫欧 @ 15A,4.5V6.5 毫欧 @ 20A,10V7.5 毫欧 @ 50A,10V8.5 毫欧 @ 40A,10V14 毫欧 @ 71A,10V16 毫欧 @ 35.5A,10V28 毫欧 @ 80A,10V34 毫欧 @ 50A,20V40 毫欧 @ 60A,20V48 毫欧 @ 35A,15V50 毫欧 @ 35.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.95V @ 1mA2.3V @ 1mA(典型值)2.5V @ 250µA2.69V @ 10mA3V @ 250µA4V @ 1.037mA4V @ 150µA4V @ 250µA4V @ 4mA4.3V @ 20mA5V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
19 nC @ 10 V44.5 nC @ 10 V45 nC @ 10 V71 nC @ 10 V106 nC @ 15 V110 nC @ 10 V135 nC @ 10 V164 nC @ 10 V179 nC @ 20 V180 nC @ 10 V200 nC @ 10 V222 nC @ 20 V
Vgs(最大值)
±10V±15V±16V±20V+25V,-10V+25V,-15V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1088 pF @ 15 V1700 pF @ 15 V2230 pF @ 25 V2626 pF @ 50 V2929 pF @ 800 V2980 pF @ 1000 V3250 pF @ 25 V4160 pF @ 800 V4600 pF @ 25 V4685 pF @ 50 V5392 pF @ 10 V10550 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.67W(Ta),3W(Tc)46W(Tc)58W(Tc)70W(Tc)79W(Tc)155W(Tc)160W(Tc)300W(Tc)310W(Tc)333W(Tc)428W(Tc)595W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DFN(4.9x5.75)D2PAK-7ISOPLUS247™ISOTOP®LFPAK56,Power-SO8PG-TO220 整包POWERDI3333-8SOT-227TO-220TO-220-3TO-220ABTO-247-3TO-247-4TO-263(D2PAK)
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNSC-100,SOT-669SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3TO-247-4TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
23结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 23
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247-3
G3R40MT12D
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
GeneSiC Semiconductor
1,004
现货
1 : ¥143.01000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
71A(Tc)
15V
48 毫欧 @ 35A,15V
2.69V @ 10mA
106 nC @ 15 V
±15V
2929 pF @ 800 V
-
333W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4 Top
G3R40MT12K
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-4
GeneSiC Semiconductor
2,850
现货
1 : ¥145.07000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
71A(Tc)
15V
48 毫欧 @ 35A,15V
2.69V @ 10mA
106 nC @ 15 V
±15V
2929 pF @ 800 V
-
333W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-4
TO-247-4
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN6R0-30YLB,115
MOSFET N-CH 30V 71A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2,942
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.36694
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
71A(Tc)
4.5V,10V
6.5 毫欧 @ 20A,10V
1.95V @ 1mA
19 nC @ 10 V
±20V
1088 pF @ 15 V
-
58W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
PowerDI3333-8
DMP26M1UFG-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Diodes Incorporated
1,970
现货
6,000
工厂
1 : ¥6.65000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.53605
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
71A(Tc)
1.5V,4.5V
5.5 毫欧 @ 15A,4.5V
1V @ 250µA
164 nC @ 10 V
±10V
5392 pF @ 10 V
-
1.67W(Ta),3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
IRG4RC10UTRPBF
FDB8876
MOSFET N-CH 30V 71A TO263AB
Fairchild Semiconductor
7,486
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
71A(Tc)
4.5V,10V
8.5 毫欧 @ 40A,10V
2.5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 15 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
IRG4RC10UTRPBF
HUF76437S3S
MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
Fairchild Semiconductor
4,945
市场
不可用
对您所选的货币不可用
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
71A(Tc)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 71A,10V
3V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±16V
2230 pF @ 25 V
-
155W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
IRG4RC10UTRPBF
HUF76437S3ST
MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
Fairchild Semiconductor
27,282
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
71A(Tc)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 71A,10V
3V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±16V
2230 pF @ 25 V
-
155W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
MJD32CTF-ON
HUFA76437S3ST
MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
Fairchild Semiconductor
9,600
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
71A(Tc)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 71A,10V
3V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±16V
2230 pF @ 25 V
-
155W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
INFINFIPAN60R360PFD7SXKSA1
HUF76437P3
N-CHANNEL POWER MOSFET
Fairchild Semiconductor
3,200
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
71A(Tc)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 71A,10V
3V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±16V
2230 pF @ 25 V
-
155W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
G30N04D3
GT52N10D5
N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
Goford Semiconductor
12,080
现货
1 : ¥12.31000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.35989
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
71A(Tc)
4.5V,10V
7.5 毫欧 @ 50A,10V
2.5V @ 250µA
44.5 nC @ 10 V
±20V
2626 pF @ 50 V
-
79W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-DFN(4.9x5.75)
8-PowerTDFN
TO-220AB Full Pack
IRFI3306GPBF
MOSFET N-CH 60V 71A TO220
Infineon Technologies
0
现货
14,716
市场
停产
-
散装
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
71A(Tc)
10V
4.2 毫欧 @ 43A,10V
4V @ 150µA
135 nC @ 10 V
±20V
4685 pF @ 50 V
-
46W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220
TO-220-3 整包
IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL
IRFI3306GPBF
IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL
International Rectifier
494
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
71A(Tc)
10V
4.2 毫欧 @ 43A,10V
4V @ 1.037mA
135 nC @ 10 V
±20V
4685 pF @ 50 V
-
46W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
PG-TO220 整包
TO-220-3 整包
D2PAK-7
NTBG028N170M1
SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER
onsemi
56
现货
1 : ¥296.95000
剪切带(CT)
800 : ¥205.68650
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1700 V
71A(Tc)
20V
40 毫欧 @ 60A,20V
4.3V @ 20mA
222 nC @ 20 V
+25V,-15V
4160 pF @ 800 V
-
428W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
PowerDI3333-8
DMP26M1UFG-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥2.53606
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
71A(Tc)
1.5V,4.5V
5.5 毫欧 @ 15A,4.5V
1V @ 250µA
164 nC @ 10 V
±10V
5392 pF @ 10 V
-
1.67W(Ta),3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
TO-263
HUFA76437S3ST
MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
onsemi
0
现货
800 : ¥8.78356
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
71A(Tc)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 71A,10V
3V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±16V
2230 pF @ 25 V
-
155W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263
HUF76437S3ST
MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
onsemi
0
现货
800 : ¥8.87941
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
71A(Tc)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 71A,10V
3V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±16V
2230 pF @ 25 V
-
155W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
SOT-227-4, miniBLOC
APT50M50JLL
MOSFET N-CH 500V 71A ISOTOP
Microchip Technology
0
现货
查看交期
20 : ¥430.85050
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
71A(Tc)
10V
50 毫欧 @ 35.5A,10V
5V @ 5mA
200 nC @ 10 V
±30V
10550 pF @ 25 V
-
595W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
ISOTOP®
SOT-227-4,miniBLOC
TO-220-3
HUFA76437P3
MOSFET N-CH 60V 71A TO220-3
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
71A(Tc)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 71A,10V
3V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±16V
2230 pF @ 25 V
-
155W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-263
HUF76437S3S
MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
71A(Tc)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 71A,10V
3V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±16V
2230 pF @ 25 V
-
155W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263
HUFA76437S3S
MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
71A(Tc)
4.5V,10V
14 毫欧 @ 71A,10V
3V @ 250µA
71 nC @ 10 V
±16V
2230 pF @ 25 V
-
155W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
FQP90N08
MOSFET N-CH 80V 71A TO220-3
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
71A(Tc)
10V
16 毫欧 @ 35.5A,10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±25V
3250 pF @ 25 V
-
160W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-247-ISOPLUS-EP-(R)
IXFR80N20Q
MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247
IXYS
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
71A(Tc)
10V
28 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 4mA
180 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 25 V
-
310W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
ISOPLUS247™
TO-247-3
SOT-227-4, miniBLOC
APT50MC120JCU2
MOSFET N-CH 1200V 71A SOT227
Microchip Technology
0
现货
在售
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
71A(Tc)
20V
34 毫欧 @ 50A,20V
2.3V @ 1mA(典型值)
179 nC @ 20 V
+25V,-10V
2980 pF @ 1000 V
-
300W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
底座安装
SOT-227
SOT-227-4,miniBLOC
显示
/ 23

71A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。