64A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 96
制造商
Diotec SemiconductorFairchild SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesInternational RectifierIXYSLittelfuse Inc.Microchip TechnologyNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiQorvoRenesas Electronics CorporationSTMicroelectronics
系列
-Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7C3M™CoolMOS™CoolSiC™DeepGATE™, STripFET™ VIIEFETKY™HEXFET®HiPerFET™HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Polar3™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
25 V30 V40 V55 V60 V75 V80 V100 V150 V200 V250 V500 V600 V650 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V5V5V,10V6V,10V7.5V,10V8V,10V10V12V15V18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.8 毫欧 @ 32A,10V4.3 毫欧 @ 32A,10V4.5 毫欧 @ 15A,10V4.5 毫欧 @ 64A,10V5.2毫欧 @ 32A,10V5.75 毫欧 @ 20A,10V6.5 毫欧 @ 20A,10V6.5 毫欧 @ 32A,10V6.6 毫欧 @ 50A,10V6.8 毫欧 @ 22A,10V7 毫欧 @ 32A,10V7.3 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA1.7V @ 250µA1.95V @ 1mA2V @ 1mA2.1V @ 1mA2.3V @ 20µA2.3V @ 250µA2.5V @ 130µA2.5V @ 250µA2.6V @ 2mA3V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9.8 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V13 nC @ 4.5 V16.2 nC @ 5 V17.5 nC @ 10 V21 nC @ 10 V31 nC @ 4.5 V33 nC @ 4.5 V35 nC @ 5 V37 nC @ 10 V37.8 nC @ 15 V
Vgs(最大值)
+10V,-8V±10V±12V+15V,-4V±15V±16V±20V+22V,-20V+23V,-10V+23V,-5V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
580 pF @ 12.5 V637 pF @ 25 V870 pF @ 20 V950 pF @ 25 V1093 pF @ 12 V1360 pF @ 15 V1400 pF @ 400 V1420 pF @ 25 V1500 pF @ 30 V1550 pF @ 25 V1650 pF @ 25 V1800 pF @ 30 V
功率耗散(最大值)
960mW(Ta),210W(Tc)2W(Ta),89W(Tc)2.1W(Ta),39.1W(Tc)2.2W(Ta)2.5W(Ta),46W(Tc)3.1W(Ta),89W(Tc)3.8W(Ta),130W(Tc)4.8W(Ta),62.5W(Tc)35W(Tc)38W(Tc)39W(Tc)44.6W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 185°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)175°C-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-PDFN(3.1x3.1)8-PDFN(5x6)8-PPAK(3.1x3.1)8-PPAK(4.89x5.74)8-PQFN(3.3x3.3)8-SOP Advance(5x5)D2PAKD2PAK-7D3PAKDPAKLFPAK33LFPAK56,Power-SO8
封装/外壳
6-PowerVDFN8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN22-PowerBSOP 模块SC-100,SOT-669SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)TO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3TO-247-3 变式TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
96结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 96
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
42,578
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.66418
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
64A(Tc)
4.5V,10V
8.5 毫欧 @ 14A,10V
2.5V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3234 pF @ 15 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PDFN(3.1x3.1)
8-PowerWDFN
8-Power TDFN
BSC065N06LS5ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON
Infineon Technologies
8,884
现货
1 : ¥12.23000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.81627
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
64A(Tc)
4.5V,10V
6.5 毫欧 @ 32A,10V
2.3V @ 20µA
13 nC @ 4.5 V
±20V
1800 pF @ 30 V
-
46W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
TO-220AB Full Pack
IRFI3205PBF
MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB FP
Infineon Technologies
3,343
现货
1 : ¥23.64000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
64A(Tc)
10V
8 毫欧 @ 34A,10V
4V @ 250µA
170 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 25 V
-
63W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB 整包
TO-220-3 整包
TO-220-3
IPP200N25N3GXKSA1
MOSFET N-CH 250V 64A TO220-3
Infineon Technologies
5,898
现货
1 : ¥51.48000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
64A(Tc)
10V
20 毫欧 @ 64A,10V
4V @ 270µA
86 nC @ 10 V
±20V
7100 pF @ 100 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB64N25S320ATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Infineon Technologies
4,985
现货
1 : ¥52.95000
剪切带(CT)
1,000 : ¥27.39324
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
64A(Tc)
10V
20 毫欧 @ 64A,10V
4V @ 270µA
89 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB200N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK
Infineon Technologies
2,172
现货
1 : ¥59.85000
剪切带(CT)
1,000 : ¥33.94828
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
64A(Tc)
10V
20 毫欧 @ 64A,10V
4V @ 270µA
86 nC @ 10 V
±20V
7100 pF @ 100 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
IMBG65R022M1HXTMA1
IMBG65R022M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Infineon Technologies
1,900
现货
1 : ¥137.27000
剪切带(CT)
1,000 : ¥86.91572
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
64A(Tc)
18V
30 毫欧 @ 41.1A,18V
5.7V @ 12.3mA
67 nC @ 18 V
+23V,-5V
2288 pF @ 400 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
C3M0065090J
C3M0040120J1
1200V 40 M SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
441
现货
1 : ¥221.83000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
64A(Tc)
15V
53.5 毫欧 @ 33.3A,15V
3.6V @ 9.2mA
94 nC @ 15 V
+15V,-4V
2900 pF @ 1000 V
-
272W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247 Plus X
IXFX64N50Q3
MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247-3
IXYS
350
现货
1 : ¥226.84000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
64A(Tc)
10V
85 毫欧 @ 32A,10V
6.5V @ 4mA
145 nC @ 10 V
±30V
6950 pF @ 25 V
-
1000W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK6Y14-40PX
MOSFET P-CH 40V 64A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
480
现货
1 : ¥9.52000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.17764
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
64A(Tc)
4.5V,10V
14毫欧 @ 10,8A,10V
3V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
2300 pF @ 20 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
TO-220AB PKG
IRFZ48NPBF
MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB
Infineon Technologies
3,393
现货
1 : ¥10.43000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
64A(Tc)
10V
14 毫欧 @ 32A,10V
4V @ 250µA
81 nC @ 10 V
±20V
1970 pF @ 25 V
-
130W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
8-Power TDFN
BSC066N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 64A TDSON-8-6
Infineon Technologies
12,020
现货
1 : ¥11.00000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.34090
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
64A(Tc)
6V,10V
6.6 毫欧 @ 50A,10V
3.3V @ 20µA
21 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),46W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFZ48NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
Infineon Technologies
30,562
现货
1 : ¥12.64000
剪切带(CT)
800 : ¥5.30415
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
64A(Tc)
10V
14 毫欧 @ 32A,10V
4V @ 250µA
81 nC @ 10 V
±20V
1970 pF @ 25 V
-
3.8W(Ta),130W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
10,781
现货
1 : ¥15.27000
剪切带(CT)
5,000 : ¥6.61915
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
64A(Tc)
8V,10V
9 毫欧 @ 32A,10V
4.3V @ 1mA
44 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 75 V
-
960mW(Ta),210W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
FDMC007N08LCDC
FDMC007N08LCDC
MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
onsemi
4,987
现货
1 : ¥25.29000
剪切带(CT)
3,000 : ¥12.31389
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
64A(Tc)
4.5V,10V
6.8 毫欧 @ 22A,10V
2.5V @ 130µA
44 nC @ 10 V
±20V
3070 pF @ 40 V
-
57W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PQFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
UF3C120080B7S
UJ4C075023B7S
750V/23MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Qorvo
1,015
现货
1 : ¥118.80000
剪切带(CT)
800 : ¥69.98859
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
750 V
64A(Tc)
12V
29 毫欧 @ 40A,12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1400 pF @ 400 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN6R5-25YLC,115
MOSFET N-CH 25V 64A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
11,480
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.26038
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
64A(Tc)
4.5V,10V
6.5 毫欧 @ 20A,10V
1.95V @ 1mA
17.5 nC @ 10 V
±20V
1093 pF @ 12 V
-
48W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
LFPAK33
BUK9M9R1-40EX
MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
3,194
现货
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.09236
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
64A(Tc)
5V
7.3 毫欧 @ 20A,10V
2.1V @ 1mA
16.2 nC @ 5 V
±10V
2048 pF @ 25 V
-
75W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
PG-TO-220-FP
IPA045N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP
Infineon Technologies
405
现货
1 : ¥23.07000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
64A(Tc)
6V,10V
4.5 毫欧 @ 64A,10V
3.5V @ 150µA
117 nC @ 10 V
±20V
8410 pF @ 50 V
-
39W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH64N10L2
MOSFET N-CH 100V 64A TO247
Littelfuse Inc.
285
现货
1 : ¥72.90000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
64A(Tc)
10V
32 毫欧 @ 32A,10V
4.5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
3620 pF @ 25 V
-
357W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
TO-247 Plus X
IXFX64N60P3
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3
Littelfuse Inc.
967
现货
600
工厂
1 : ¥113.05000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
64A(Tc)
10V
95 毫欧 @ 32A,10V
5V @ 4mA
145 nC @ 10 V
±30V
9900 pF @ 25 V
-
1130W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
TO-220
IXTP64N10L2
MOSFET N-CH 100V 64A TO220AB
Littelfuse Inc.
679
现货
300
工厂
1 : ¥146.96000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
64A(Tc)
10V
32 毫欧 @ 32A,10V
4.5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
3620 pF @ 25 V
-
357W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
TO-247 Plus X
IXFX64N60P
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247-3
Littelfuse Inc.
821
现货
1 : ¥176.35000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
64A(Tc)
10V
96 毫欧 @ 500mA,10V
5V @ 8mA
200 nC @ 10 V
±30V
12000 pF @ 25 V
-
1040W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
D3Pak
MSC040SMA120S/TR
MOSFET SIC 1200 V 40 MOHM TO-268
Microchip Technology
397
现货
1 : ¥214.11000
剪切带(CT)
400 : ¥171.83163
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
64A(Tc)
20V
50 毫欧 @ 40A,20V
2.6V @ 2mA
137 nC @ 20 V
+23V,-10V
1990 pF @ 1000 V
-
303W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-268
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
C3M0065090J-TR
C3M0040120J1-TR
1200V 40 M SIC MOSFET
Wolfspeed, Inc.
1,382
现货
1 : ¥221.83000
剪切带(CT)
800 : ¥129.30443
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
64A(Tc)
15V
53.5 毫欧 @ 33.3A,15V
3.6V @ 9.2mA
94 nC @ 15 V
+15V,-4V
2900 pF @ 1000 V
-
272W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
显示
/ 96

64A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。