62A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	等级	资质	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IRFS4227TRLPBF MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK Infineon Technologies	2,588 现货	1 : ¥28.40000 剪切带（CT） 800 : ¥17.12843 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	62A（Tc）	10V	26 毫欧 @ 46A，10V	5V @ 250µA	98 nC @ 10 V	±30V	4600 pF @ 25 V	-	330W（Tc）	-40°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
FDB2614 MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK onsemi	1,374 现货	1 : ¥37.19000 剪切带（CT） 800 : ¥22.46564 卷带（TR）	PowerTrench®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	62A（Tc）	10V	27 毫欧 @ 31A，10V	5V @ 250µA	99 nC @ 10 V	±30V	7230 pF @ 25 V	-	260W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263（D2PAK）	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
PSMN014-80YLX MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	4,472 现货	1 : ¥8.54000 剪切带（CT） 1,500 : ¥3.73889 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	62A（Tc）	5V，10V	14 毫欧 @ 15A，10V	2.1V @ 1mA	28.9 nC @ 5 V	±20V	4640 pF @ 25 V	-	147W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	LFPAK56，Power-SO8	SC-100，SOT-669
IRLB8721PBF MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB Infineon Technologies	14,302 现货	1 : ¥8.62000 管件	HEXFET®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	62A（Tc）	4.5V，10V	8.7 毫欧 @ 31A，10V	2.35V @ 25µA	13 nC @ 4.5 V	±20V	1077 pF @ 15 V	-	65W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
BUK9Y14-80E,115 MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56 Nexperia USA Inc.	8,162 现货	1 : ¥9.69000 剪切带（CT） 1,500 : ¥4.25214 卷带（TR）	TrenchMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	62A（Tc）	5V	14 毫欧 @ 15A，10V	2.1V @ 1mA	28.9 nC @ 5 V	±10V	4640 pF @ 25 V	-	147W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	LFPAK56，Power-SO8	SC-100，SOT-669
IRFB4510PBF MOSFET N-CH 100V 62A TO220AB Infineon Technologies	2,778 现货	1 : ¥12.64000 管件	HEXFET®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	62A（Tc）	10V	13.5 毫欧 @ 37A，10V	4V @ 100µA	87 nC @ 10 V	±20V	3180 pF @ 50 V	-	140W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
TK6R9P08QM,RQ UMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM Toshiba Semiconductor and Storage	1,629 现货	1 : ¥13.46000 剪切带（CT） 2,500 : ¥3.68994 卷带（TR）	U-MOSX-H	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	80 V	62A（Tc）	6V，10V	6.9 毫欧 @ 31A，10V	3.5V @ 500µA	39 nC @ 10 V	±20V	2700 pF @ 40 V	-	89W（Tc）	175°C	-	-	表面贴装型	DPAK	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
NTBG045N065SC1 SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL onsemi	411 现货 24,000 工厂	1 : ¥95.97000 剪切带（CT） 800 : ¥66.23854 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	62A（Tc）	15V，18V	50 毫欧 @ 25A，18V	4.3V @ 8mA	105 nC @ 18 V	+22V，-8V	1890 pF @ 325 V	-	242W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK-7	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
UF3SC065030B7S 650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C Qorvo	2,635 现货	1 : ¥103.52000 剪切带（CT） 800 : ¥86.81558 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（共源共栅 SiCJFET）	650 V	62A（Tc）	12V	35 毫欧 @ 40A，12V	6V @ 10mA	43 nC @ 12 V	±25V	1500 pF @ 100 V	-	214W（Tc）	175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK-7	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
FDP2614 MOSFET N-CH 200V 62A TO220-3 onsemi	9,397 现货	1 : ¥38.26000 管件	PowerTrench®	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	200 V	62A（Tc）	10V	27 毫欧 @ 31A，10V	5V @ 250µA	99 nC @ 10 V	±30V	7230 pF @ 25 V	-	260W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220-3	TO-220-3
IXTH62N65X2 MOSFET N-CH 650V 62A TO247 Littelfuse Inc.	288 现货	1 : ¥61.24000 管件	Ultra X2	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	62A（Tc）	10V	52 毫欧 @ 31A，10V	4.5V @ 4mA	104 nC @ 10 V	±30V	5940 pF @ 25 V	-	780W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247（IXTH）	TO-247-3
SQW61N65EF-GE3 MOSFET N-CH 650V 62A TO247AD Vishay Siliconix	277 现货	1 : ¥68.30000 管件	E	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	62A（Tc）	-	52 毫欧 @ 32A，10V	4V @ 250µA	344 nC @ 10 V	±30V	7379 pF @ 100 V	-	625W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	通孔	TO-247AD	TO-247-3
NTH4LN040N65S3H NTH4LN040N65S3H onsemi	394 现货 1,800 工厂	1 : ¥74.79000 管件	SuperFET® III	管件	不适用于新设计	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	650 V	62A（Tc）	10V	40 毫欧 @ 31A，10V	4V @ 6.8mA	132 nC @ 10 V	±30V	6513 pF @ 400 V	-	379W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-4	TO-247-4
TSM060N03PQ33 RGG MOSFET N-CH 30V 62A 8PDFN Taiwan Semiconductor Corporation	12,065 现货	1 : ¥5.42000 剪切带（CT） 5,000 : ¥1.72731 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	62A（Tc）	4.5V，10V	6 毫欧 @ 15A，10V	2.5V @ 250µA	25.4 nC @ 10 V	±20V	1342 pF @ 15 V	-	40W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-PDFN（3.1x3.1）	8-PowerWDFN
XP3N5R0H MOSFET N-CH 30V 62A TO252 YAGEO XSEMI	998 现货	1 : ¥12.81000 剪切带（CT） 3,000 : ¥5.29004 卷带（TR）	XP3N5R0	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	62A（Tc）	4.5V，10V	5 毫欧 @ 4A，10V	3V @ 250µA	36 nC @ 4.5 V	±20V	3200 pF @ 15 V	-	2W（Ta），31.25W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
MCU62N10YHE3-TP POWER MOSFET Micro Commercial Co	5,000 现货	1 : ¥13.30000 剪切带（CT） 5,000 : ¥5.37056 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	62A（Tc）	4.5V，10V	11 毫欧 @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	27.6 nC @ 10 V	±20V	1379 pF @ 50 V	-	94W（Tj）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	TO-252（DPAK）	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
IRF3007STRLPBF MOSFET N CH 75V 62A D2PAK Infineon Technologies	3,395 现货	1 : ¥19.54000 剪切带（CT） 800 : ¥10.92573 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	75 V	62A（Tc）	10V	12.6 毫欧 @ 48A，10V	4V @ 250µA	130 nC @ 10 V	±20V	3270 pF @ 25 V	-	120W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	D2PAK	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
NVBG045N065SC1 SIC MOS D2PAK-7L 650V onsemi	790 现货	1 : ¥138.17000 剪切带（CT） 800 : ¥95.37953 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	650 V	62A（Tc）	15V，18V	50 毫欧 @ 25A，18V	4.3V @ 8mA	105 nC @ 18 V	+22V，-8V	1890 pF @ 325 V	-	242W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	汽车级	AEC-Q101	表面贴装型	D2PAK-7	TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
ISL9N310AS3ST N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor	77,154 市场	不可用对您所选的货币不可用	UltraFET®	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	62A（Tc）	4.5V，10V	10毫欧 @ 62A，10A	3V @ 250µA	48 nC @ 10 V	±20V	1800 pF @ 15 V	-	70W（Ta）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-263AB	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
ISL9N310AP3 N-CHANNEL POWER MOSFET Fairchild Semiconductor	3,211 市场	不可用对您所选的货币不可用	UltraFET®	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	62A（Tc）	4.5V，10V	10毫欧 @ 62A，10A	3V @ 250µA	48 nC @ 10 V	±20V	1800 pF @ 15 V	-	70W（Ta）	-55°C ~ 175°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220AB	TO-220-3
GT060N04D5 N40V,120A,RD<2.8M@10V,VTH1.0V~2. Goford Semiconductor	4,870 现货	1 : ¥5.17000 剪切带（CT） 5,000 : ¥1.85367 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	62A（Tc）	4.5V，10V	5.5 毫欧 @ 30A，10V	2.3V @ 250µA	44 nC @ 10 V	±20V	1276 pF @ 20 V	-	39W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	8-DFN（4.9x5.75）	8-PowerTDFN
GT060N04K MOSFET, N-CH, 40V,54A,TO-252 Goford Semiconductor	2,304 现货	1 : ¥6.24000 剪切带（CT） 2,500 : ¥2.36309 卷带（TR）	SGT	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	62A（Tc）	4.5V，10V	5.5 毫欧 @ 30A，10V	2.3V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	1280 pF @ 20 V	-	70W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	表面贴装型	TO-252	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
GT060N04T MOSFET, N-CH, 40V,60A,TO-220 Goford Semiconductor	260 现货	1 : ¥11.66000 管件	SGT	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	62A（Tc）	4.5V，10V	6 毫欧 @ 30A，10V	2.3V @ 250µA	25 nC @ 10 V	±20V	1280 pF @ 20 V	-	70W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-220	TO-220-3
FDA62N28 MOSFET N-CH 280V 62A TO3PN Fairchild Semiconductor	920 市场	不可用对您所选的货币不可用	UniFET™	管件	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	280 V	62A（Tc）	10V	51 毫欧 @ 31A，10V	5V @ 250µA	100 nC @ 10 V	±30V	4630 pF @ 25 V	-	500W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-3PN	TO-3P-3，SC-65-3
STW70N60DM6-4 MOSFET N-CH 600V 62A TO247-4 STMicroelectronics	150 现货	30 : ¥86.77733 管件	-	管件	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	600 V	62A（Tc）	10V	42 毫欧 @ 31A，10V	4.75V @ 250µA	99 nC @ 10 V	±25V	4360 pF @ 100 V	-	390W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	-	-	通孔	TO-247-4	TO-247-4