590mA(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
495 毫欧 @ 400mA,4.5V670 毫欧 @ 590mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA(典型值)950mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1.1 nC @ 4.5 V1.54 nC @ 8 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
30.3 pF @ 15 V80 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
240mW(Ta)310mW(Ta),1.67W(Tc)
供应商器件封装
DFN1006B-3SOT-523SOT-883
封装/外壳
3-XFDFNSC-101,SOT-883SOT-523
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-523
DMP21D0UT-7
MOSFET P-CH 20V 590MA SOT523
Diodes Incorporated
281,220
现货
891,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.66248
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
590mA(Ta)
1.8V,4.5V
495 毫欧 @ 400mA,4.5V
700mV @ 250µA(典型值)
1.54 nC @ 8 V
±8V
80 pF @ 10 V
-
240mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SC-101 SOT-883
PMZ550UNEYL
MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
48,211
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.49432
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
590mA(Ta)
1.5V,4.5V
670 毫欧 @ 590mA,4.5V
950mV @ 250µA
1.1 nC @ 4.5 V
±8V
30.3 pF @ 15 V
-
310mW(Ta),1.67W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-883
SC-101,SOT-883
3-XQFN
PMZB550UNEYL
MOSFET N-CH 30V 590MA DFN1006B-3
Nexperia USA Inc.
17,604
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.51389
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
590mA(Ta)
1.5V,4.5V
670 毫欧 @ 590mA,4.5V
950mV @ 250µA
1.1 nC @ 4.5 V
±8V
30.3 pF @ 15 V
-
310mW(Ta),1.67W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DFN1006B-3
3-XFDFN
显示
/ 3

590mA(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。