58A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 79
制造商
Diodes IncorporatedFairchild SemiconductorGoford SemiconductorInfineon TechnologiesInternational RectifierInventchipIXYSLittelfuse Inc.Microchip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiSTMicroelectronics
系列
-CoolSiC™FRFET®, SuperFET® IIIHEXFET®HiPerFET™Linear L2™MDmesh™ VOptiMOS™OptiMOS™ 3POWER MOS 7®POWER MOS 8™POWER MOS V®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
30 V40 V50 V55 V60 V80 V100 V200 V250 V500 V600 V650 V1200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V4.5V,10V6V,10V10V15V18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.1 毫欧 @ 29A,10V4.4 毫欧 @ 29A,10V5 毫欧 @ 15A,10V5.1 毫欧 @ 10A,10V5.4 毫欧 @ 29A,10V6.3 毫欧 @ 14A,10V6.8 毫欧 @ 29A,10V7.35 毫欧 @ 14A,10V7.5 毫欧 @ 16A,10V8 毫欧 @ 31A,10V8.7毫欧 @ 10.7A,10V8.9 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.35V @ 25µA2.4V @ 500µA2.5V @ 250µA2.5V @ 500µA3V @ 250µA3.2V @ 6mA3.5V @ 1mA3.5V @ 250µA3.5V @ 46µA3.5V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
16 nC @ 4.5 V19 nC @ 10 V22.9 nC @ 10 V29 nC @ 10 V34 nC @ 10 V35 nC @ 10 V36 nC @ 10 V38 nC @ 10 V39 nC @ 10 V46 nC @ 10 V48 nC @ 18 V48.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V+20V,-16V+20V,-2V+20V,-5V±20V+25V,-10V+25V,-15V±25V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1230 pF @ 15 V1311 pF @ 25 V1350 pF @ 15 V1450 pF @ 15 V1633 pF @ 25 V1643 pF @ 400 V1730 pF @ 25 V1762 pF @ 800 V2170 pF @ 25 V2288 pF @ 400 V2450 pF @ 20 V2500 pF @ 50 V
功率耗散(最大值)
1.8W2W(Ta),50W(Tc)3.6W(Ta),31.2W(Tc)4.3W(Ta),125W(Tc)4.6W(Ta),46W(Tc)35W(Tc)36W(Tc)41W(Tc)48W(Tc)55W(Tc)63W(Tc)68W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)175°C-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-PDFN(5x6)8-PQFN(5x6)D2PAKD2PAK-7DPAKI-PAK(LF701)I2PAKISOTOP®LFPAK56,Power-SO8PG-TO-251-3-21PG-TO218-3-1PG-TO220-3
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8 双SC-100,SOT-669SOT-227-4,miniBLOCTO-218-3TO-220-3TO-220-3 整包TO-247-3TO-247-3 变式TO-247-4TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-252-4,DPak(3 引线 + 接片)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
79结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 79
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
18,770
现货
1 : ¥8.87000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.67904
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
58A(Tc)
4.5V,10V
3.1 毫欧 @ 29A,10V
2.4V @ 500µA
60 nC @ 10 V
±20V
4670 pF @ 20 V
-
87W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRF60R217
MOSFET N-CH 60V 58A DPAK
Infineon Technologies
22,234
现货
1 : ¥10.67000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.41532
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
58A(Tc)
6V,10V
9.9 毫欧 @ 35A,10V
3.7V @ 50µA
66 nC @ 10 V
±20V
2170 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
3,331
现货
1 : ¥11.08000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.59060
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
58A(Tc)
4.5V,10V
4.4 毫欧 @ 29A,10V
2.5V @ 500µA
48.2 nC @ 10 V
±20V
3280 pF @ 30 V
-
87W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB123N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
Infineon Technologies
5,510
现货
1 : ¥14.53000
剪切带(CT)
1,000 : ¥6.91298
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
58A(Tc)
6V,10V
12.3 毫欧 @ 46A,10V
3.5V @ 46µA
35 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 50 V
-
94W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PowerPAK SO-8
SI7884BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,555
现货
1 : ¥15.76000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.11872
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
58A(Tc)
4.5V,10V
7.5 毫欧 @ 16A,10V
3V @ 250µA
77 nC @ 10 V
±20V
3540 pF @ 20 V
-
4.6W(Ta),46W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
IMW65R030M1HXKSA1
IMW65R030M1HXKSA1
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Infineon Technologies
256
现货
1 : ¥109.19000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
58A(Tc)
18V
42 毫欧 @ 29.5A,18V
5.7V @ 8.8mA
48 nC @ 18 V
+20V,-2V
1643 pF @ 400 V
-
197W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
T-MAX Pkg
APL502B2G
MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
Microchip Technology
86
现货
1 : ¥450.23000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
58A(Tc)
15V
90 毫欧 @ 29A,12V
4V @ 2.5mA
-
±30V
9000 pF @ 25 V
-
730W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
T-MAX™ [B2]
TO-247-3 变式
TO-264 PKG
APL502LG
MOSFET N-CH 500V 58A TO264
Microchip Technology
30
现货
1 : ¥450.23000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
58A(Tc)
15V
90 毫欧 @ 29A,12V
4V @ 2.5mA
-
±30V
9000 pF @ 25 V
-
730W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-264 [L]
TO-264-3,TO-264AA
PowerPAK SO-8
SIRA14DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,714
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.07371
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
58A(Tc)
4.5V,10V
5.1 毫欧 @ 10A,10V
2.2V @ 250µA
29 nC @ 10 V
+20V,-16V
1450 pF @ 15 V
-
3.6W(Ta),31.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y13-40B,115
MOSFET N-CH 40V 58A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
3,770
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.23034
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
58A(Tc)
10V
13 毫欧 @ 25A,10V
4V @ 1mA
19 nC @ 10 V
±20V
1311 pF @ 25 V
-
85W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
D2PAK SOT404
BUK7613-60E,118
MOSFET N-CH 60V 58A D2PAK
Nexperia USA Inc.
3,800
现货
1 : ¥12.40000
剪切带(CT)
800 : ¥6.93893
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
58A(Tc)
10V
13 毫欧 @ 15A,10V
4V @ 1mA
22.9 nC @ 10 V
±20V
1730 pF @ 25 V
-
96W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3
NTHL050N65S3HF
MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3
onsemi
394
现货
1 : ¥111.65000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
58A(Tc)
10V
50 毫欧 @ 29A,10V
5V @ 1.7mA
125 nC @ 10 V
±30V
5017 pF @ 400 V
-
378W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
PowerPAK-SO-8-Single
SQJ868EP-T1_BE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
5,988
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.90523
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
58A(Tc)
10V
7.35 毫欧 @ 14A,10V
3.5V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2450 pF @ 20 V
-
48W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
PowerPak® SO-8
SQJ858AEP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,732
现货
1 : ¥9.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.01692
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
58A(Tc)
4.5V,10V
6.3 毫欧 @ 14A,10V
2.5V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2450 pF @ 20 V
-
48W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak® SO-8
SQJ858AEP-T1_BE3
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
3,000
现货
1 : ¥10.84000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.48212
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
58A(Tc)
-
6.3 毫欧 @ 14A,10V
2.5V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
2450 pF @ 20 V
-
48W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7884BDP-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,930
现货
1 : ¥23.07000
剪切带(CT)
3,000 : ¥11.23140
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
58A(Tc)
4.5V,10V
7.5 毫欧 @ 16A,10V
3V @ 250µA
77 nC @ 10 V
±20V
3540 pF @ 20 V
-
4.6W(Ta),46W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-247-3
NVHL050N65S3HF
MOSFET N-CH 650V 58A TO247-3
onsemi
436
现货
1 : ¥61.82000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
58A(Tc)
10V
50 毫欧 @ 29A,10V
5V @ 1.7mA
119 nC @ 10 V
±30V
4880 pF @ 400 V
-
403W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 HiP
STW69N65M5-4
MOSFET N-CH 650V 58A TO247-4L
STMicroelectronics
395
现货
1 : ¥63.71000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
58A(Tc)
10V
45 毫欧 @ 29A,10V
5V @ 250µA
143 nC @ 10 V
±25V
6420 pF @ 100 V
-
330W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-3P-3 Full Pack
STFW69N65M5
MOSFET N-CH 650V 58A ISOWATT
STMicroelectronics
195
现货
1 : ¥111.16000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
58A(Tc)
10V
45 毫欧 @ 29A,10V
5V @ 250µA
143 nC @ 10 V
±25V
6420 pF @ 100 V
-
79W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PF
TO-3P-3 整包
TO-247-4
NVH4L040N120SC1
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
onsemi
364
现货
900
工厂
1 : ¥145.64000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
58A(Tc)
20V
56毫欧 @ 35A,20V
4,3V @ 10mA
106 nC @ 20 V
+25V,-15V
1762 pF @ 800 V
-
319W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
PowerPAK-SO-8L
SQRS152ELP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Vishay Siliconix
2,692
现货
1 : ¥8.95000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.69321
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
58A(Tc)
4.5V,10V
5 毫欧 @ 15A,10V
2.2V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1633 pF @ 25 V
-
35W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8SW
PowerPAK® SO-8
TO-247-3 HiP
STW69N65M5
MOSFET N-CH 650V 58A TO247
STMicroelectronics
485
现货
1 : ¥67.65000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
58A(Tc)
10V
45 毫欧 @ 29A,10V
5V @ 250µA
143 nC @ 10 V
±25V
6420 pF @ 100 V
-
330W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4
NVH4L050N65S3F
SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247-4L
onsemi
420
现货
450
工厂
1 : ¥97.86000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
58A(Tc)
10V
50 毫欧 @ 29A,10V
5V @ 1.7mA
123.8 nC @ 10 V
±30V
4855 pF @ 400 V
-
403W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-3
NVH050N65S3F
SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247
onsemi
443
现货
2,250
工厂
1 : ¥116.91000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
58A(Tc)
10V
50 毫欧 @ 29A,10V
5V @ 1.7mA
123 nC @ 10 V
±30V
5404 pF @ 400 V
-
403W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
NVHL050N65S3F
SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247
onsemi
450
现货
450
工厂
1 : ¥117.40000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
58A(Tc)
10V
50 毫欧 @ 29A,10V
5V @ 1.7mA
123 nC @ 10 V
±30V
5404 pF @ 400 V
-
403W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
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58A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。