52A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 69
制造商
Fairchild SemiconductorGoford SemiconductorHarris CorporationInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Microchip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiRenesas Electronics CorporationSanken Electric USA Inc.STMicroelectronics
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ CFD7CoolSiC™CoolSiC™ Gen 2FRFET®, SuperFET® IIHEXFET®HiPerFET™HiPerFET™, PolarHiPerFET™, PolarP2™HiPerFET™, Q ClassHiPerFET™, Q2 Class
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
30 V40 V55 V60 V100 V200 V250 V300 V500 V560 V600 V650 V800 V900 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V4.5V,10V5V10V10V,15V15V15V,18V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6.3 毫欧 @ 39A,10V8.5 毫欧 @ 13A,10V10 毫欧 @ 15A,10V10 毫欧 @ 28A,10V12 毫欧 @ 15A,10V12 毫欧 @ 26A,10V12.5 毫欧 @ 20A,10V13.5 毫欧 @ 26A,10V13.8 毫欧 @ 11A,10V14 毫欧 @ 26A,10V14.3 毫欧 @ 26A,10V18 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA2V @ 250µA2.1V @ 1mA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 250µA3.9V @ 2.7mA3.9V @ 3mA4V @ 137µA4V @ 1mA4V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9.8 nC @ 5 V14.3 nC @ 10 V15 nC @ 10 V18 nC @ 10 V28 nC @ 10 V33 nC @ 4.5 V36 nC @ 10 V37 nC @ 10 V39 nC @ 18 V43 nC @ 10 V52 nC @ 15 V53.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±16V+20V,-10V+20V,-7V±20V+23V,-10V+23V,-7V±25V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
817 pF @ 15 V1039 pF @ 25 V1254 pF @ 50 V1300 pF @ 25 V1310 pF @ 800 V1350 pF @ 15 V1423 pF @ 25 V1592 pF @ 25 V1800 pF @ 50 V1900 pF @ 800 V1950 pF @ 25 V2130 pF @ 800 V
FET 功能
-电流检测
功率耗散(最大值)
1W(Ta),50.2W(Tc)1.2W(Ta),56W(Tc)2W(Ta),178W(Tc)3.12W(Ta),250W(Tc)37W(Tc)38.5W(Tc)40W(Tc)58W(Tc)65W(Tc)70W(Tc)71W(Tc)72W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DFN(3.15x3.05)8-PDFN(3.1x3.1)264 MAX™ [L2]D2PAKDPAKISOTOP®LFPAK56,Power-SO8PG-HDSOP-10-1PG-HSOF-8-2PG-TO247-3PG-TO247-3-1PG-TO247-3-41
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN10-PowerSOP 模块PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8 双SC-100,SOT-669SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-220-3 整包TO-220-3(SMT)标片
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
69结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 69
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK-SO-8-Single
SQJ459EP-T2_BE3
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
4,172
现货
1 : ¥10.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.18331
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
52A(Tc)
4.5V,10V
18 毫欧 @ 3.5A,10V
2.5V @ 250µA
108 nC @ 10 V
±20V
4586 pF @ 30 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SQJ459EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
16,682
现货
1 : ¥11.49000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.76620
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
52A(Tc)
4.5V,10V
18 毫欧 @ 3.5A,10V
2.5V @ 250µA
108 nC @ 10 V
±20V
4586 pF @ 30 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PG-TSON-8-3
BSC220N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
Infineon Technologies
11,139
现货
1 : ¥38.01000
剪切带(CT)
5,000 : ¥17.77012
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
52A(Tc)
10V
22 毫欧 @ 52A,10V
4V @ 137µA
43 nC @ 10 V
±20V
3680 pF @ 100 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSON-8-3
8-PowerTDFN
TO-263AB
IXTA52P10P
MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Littelfuse Inc.
1,739
现货
1 : ¥54.35000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
52A(Tc)
10V
50毫欧 @ 52A,10V
4.5V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
2845 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-3P
IXTQ52P10P
MOSFET P-CH 100V 52A TO3P
Littelfuse Inc.
860
现货
1 : ¥59.69000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
52A(Tc)
10V
50毫欧 @ 52A,10V
4.5V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
2845 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P
TO-3P-3,SC-65-3
TO-247-3 AD EP
FCH072N60F
MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3
onsemi
70,201
现货
1 : ¥72.99000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
52A(Tc)
10V
72 毫欧 @ 26A,10V
5V @ 250µA
215 nC @ 10 V
±20V
8660 pF @ 100 V
-
481W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
AIMW120R035M1HXKSA1
1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3
Infineon Technologies
172
现货
1 : ¥290.46000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
52A(Tc)
18V
46 毫欧 @ 25A,18V
5.7V @ 10mA
59 nC @ 18 V
+23V,-7V
2130 pF @ 800 V
-
228W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK9Y12-40E,115
MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
4,945
现货
1 : ¥6.16000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.61077
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
52A(Tc)
5V
10 毫欧 @ 15A,10V
2.1V @ 1mA
9.8 nC @ 5 V
±10V
1423 pF @ 25 V
-
65W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
PowerPAK-SO-8-Single
SQJ459EP-T2_GE3
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
3,941
现货
1 : ¥10.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.18331
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
52A(Tc)
4.5V,10V
18 毫欧 @ 3.5A,10V
2.5V @ 250µA
108 nC @ 10 V
±20V
4586 pF @ 30 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK® SO-8 双
PowerPAK-SO-8-Single
SQJ459EP-T1_BE3
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
2,803
现货
1 : ¥10.51000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.33270
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
52A(Tc)
4.5V,10V
18 毫欧 @ 3.5A,10V
2.5V @ 250µA
108 nC @ 10 V
±20V
4586 pF @ 30 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-247-3 HiP
STW52NK25Z
MOSFET N-CH 250V 52A TO247-3
STMicroelectronics
361
现货
1 : ¥53.94000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
250 V
52A(Tc)
10V
45 毫欧 @ 26A,10V
4.5V @ 150µA
160 nC @ 10 V
±30V
4850 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH52P10P
MOSFET P-CH 100V 52A TO247
Littelfuse Inc.
300
现货
1 : ¥66.99000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
52A(Tc)
10V
50毫欧 @ 52A,10V
4.5V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
2845 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
TO-247-3
FCH070N60E
MOSFET N-CH 600V 52A TO247
onsemi
286
现货
1 : ¥82.02000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
52A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 26A,10V
3.5V @ 250µA
166 nC @ 10 V
±20V
4925 pF @ 380 V
-
481W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3 AC EP
IMW120R045M1XKSA1
SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
Infineon Technologies
278
现货
1 : ¥123.80000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
52A(Tc)
15V
59 毫欧 @ 20A,15V
5.7V @ 10mA
52 nC @ 15 V
+20V,-10V
1900 pF @ 800 V
-
228W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
CoolSiC Series
IMZ120R045M1XKSA1
SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
Infineon Technologies
179
现货
1 : ¥128.57000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
52A(Tc)
15V
59 毫欧 @ 20A,15V
5.7V @ 10mA
52 nC @ 15 V
+20V,-10V
1900 pF @ 800 V
电流检测
228W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4-1
TO-247-4
11,910
现货
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.64843
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
52A(Tc)
4.5V,10V
8.5 毫欧 @ 13A,10V
2.5V @ 250µA
14.3 nC @ 10 V
±20V
817 pF @ 15 V
-
37W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-PDFN(3.1x3.1)
8-PowerWDFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y12-40EX
MOSFET N-CH 40V 52A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
4,371
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.03801
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
52A(Tc)
10V
12 毫欧 @ 15A,10V
4V @ 1mA
15 nC @ 10 V
±20V
1039 pF @ 25 V
-
65W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
131
现货
1 : ¥11.41000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
52A(Tc)
10V
13.8 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 300µA
28 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 50 V
-
72W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
MFG_DPAK(TO252-3)
STD52P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 52A DPAK
STMicroelectronics
4,853
现货
1 : ¥13.55000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.58904
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
52A(Tc)
4.5V,10V
12 毫欧 @ 26A,10V
2.5V @ 250µA
33 nC @ 4.5 V
±20V
3350 pF @ 25 V
-
70W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
IXTP52P10P
MOSFET P-CH 100V 52A TO220AB
Littelfuse Inc.
381
现货
400
工厂
1 : ¥52.87000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
52A(Tc)
10V
50毫欧 @ 52A,10V
4.5V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
2845 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-263AB
IXTA52P10P-TRL
MOSFET P-CH 100V 52A TO263
Littelfuse Inc.
2,931
现货
1 : ¥54.35000
剪切带(CT)
800 : ¥34.26003
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
52A(Tc)
10V
50 毫欧 @ 26A,10V
4V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
2845 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-247-3 AD EP
FCH072N60
MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3
onsemi
885
现货
2,700
工厂
1 : ¥74.46000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
52A(Tc)
10V
72 毫欧 @ 26A,10V
3.5V @ 250µA
125 nC @ 10 V
±20V
5890 pF @ 380 V
-
481W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
SOT-227-4, miniBLOC
APL502J
MOSFET N-CH 500V 52A ISOTOP
Microchip Technology
99
现货
1 : ¥488.15000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
52A(Tc)
15V
90 毫欧 @ 26A,12V
4V @ 2.5mA
-
±30V
9000 pF @ 25 V
-
568W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
ISOTOP®
SOT-227-4,miniBLOC
11,890
现货
1 : ¥9.11000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.75774
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
52A(Tc)
10V
14.3 毫欧 @ 26A,10V
4V @ 1mA
37 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 25 V
-
1W(Ta),50.2W(Tc)
150°C
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
x-xSOF-8-1
IPT60R045CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 52A 8HSOF
Infineon Technologies
3,975
现货
1 : ¥59.52000
剪切带(CT)
2,000 : ¥31.64609
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
52A(Tc)
10V
45 毫欧 @ 18A,10V
4.5V @ 900µA
79 nC @ 10 V
±20V
3194 pF @ 400 V
-
270W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
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表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
显示
/ 69

52A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。