5.4A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 45
制造商
Diodes IncorporatedDiotec SemiconductorFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageVishay SiliconixYAGEO XSEMI
系列
-DTMOSIVFemtoFET™HEXFET®PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSVIXP3N028E
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
8 V12 V20 V30 V40 V60 V100 V600 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.8V,4.5V2V,10V2.5V,4.5V2.5V,8V2.7V,4.5V4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
17 毫欧 @ 5A,4.5V25 毫欧 @ 7.9A,10V28 毫欧 @ 5.4A,4.5V28 毫欧 @ 5A,10V30 毫欧 @ 5.4A,10V31 毫欧 @ 4A,4.5V31 毫欧 @ 5.8A,10V32 毫欧 @ 4.2A,4.5V32 毫欧 @ 5.8A,10V33 毫欧 @ 5.4A,8V34 毫欧 @ 6A,10V35 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA(最小)900mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.3V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 250µA2V @ 250µA(最小)2.1V @ 250µA2.4V @ 10µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.2 nC @ 4.5 V10 nC @ 4.5 V10 nC @ 10 V10.1 nC @ 10 V10.5 nC @ 10 V11 nC @ 4.5 V11 nC @ 10 V11.5 nC @ 4.5 V11.7 nC @ 10 V14 nC @ 10 V14.3 nC @ 10 V15 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
-6V±6V±8V±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
143 pF @ 10 V380 pF @ 300 V386 pF @ 25 V440 pF @ 20 V453 pF @ 20 V481 pF @ 15 V555 pF @ 5 V628 pF @ 6 V655 pF @ 10 V660 pF @ 30 V710 pF @ 10 V740 pF @ 4 V
功率耗散(最大值)
490mW(Ta)500mW(Ta)660mW(Ta),7,5W(Tc)667mW(Ta),7.5W(Tc)800mW890mW(Ta)1.1W(Ta)1.2W(Ta)1.25W(Ta)1.3W1.3W(Ta)1.4W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
3-PICOSTAR6-QFN(2x2)6-TSOP8-MSOP8-SO8-SOIC8-TSSOP1206-8 ChipFET™DPAKIPAKSOT-223-3SOT-23SOT-23-3TO-220SIS
封装/外壳
3-SMD,扁平引线3-SMD,无引线3-XFDFN6-PowerUDFN8-SMD,扁平引线8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)SC-74,SOT-457SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-220-3 整包TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-251-3 短引线,IPAKTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
45结果
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/ 45
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-223-3
ZXMP3A16GTA
MOSFET P-CH 30V 5.4A SOT223
Diodes Incorporated
12,739
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.30732
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.4A(Ta)
4.5V,10V
45 毫欧 @ 4.2A,10V
1V @ 250µA
29.6 nC @ 10 V
±20V
1022 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN30ENEAX
MOSFET N-CH 40V 5.4A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
20,630
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.93176
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
5.4A(Ta)
4.5V,10V
30 毫欧 @ 5.4A,10V
2.5V @ 250µA
11.7 nC @ 10 V
±20V
440 pF @ 20 V
-
667mW(Ta),7.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
4,574
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.32914
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
5.4A(Ta)
1.2V,4.5V
17 毫欧 @ 5A,4.5V
1V @ 1mA
33 nC @ 4.5 V
±6V
2700 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
UFM
3-SMD,扁平引线
CSDxxxxxF5x
CSD23285F5
MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
Texas Instruments
13,131
现货
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.12898
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
5.4A(Ta)
1.5V,4.5V
35 毫欧 @ 1A,4.5V
950mV @ 250µA
4.2 nC @ 4.5 V
-6V
628 pF @ 6 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
TO-252-2
ZXMP6A16KTC
MOSFET P-CH 60V 5.4A TO252-3
Diodes Incorporated
22,375
现货
117,500
工厂
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.94105
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5.4A(Ta)
10V
85 毫欧 @ 2.9A,10V
1V @ 250µA
24.2 nC @ 10 V
±20V
1021 pF @ 30 V
-
2.11W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
IRF7490TRPBF
MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO
Infineon Technologies
23,613
现货
1 : ¥8.62000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.55060
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
5.4A(Ta)
10V
39 毫欧 @ 3.2A,10V
4V @ 250µA
56 nC @ 10 V
±20V
1720 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SOT-223-3
ZXMN6A09GTA
MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Diodes Incorporated
4,994
现货
57,000
工厂
1 : ¥10.02000
剪切带(CT)
1,000 : ¥4.39578
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5.4A(Ta)
10V
40 毫欧 @ 8.2A,10V
3V @ 250µA
24.2 nC @ 5 V
±20V
1407 pF @ 40 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
7,975
现货
1 : ¥14.29000
剪切带(CT)
2,000 : ¥6.16762
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
5.4A(Ta)
10V
900 毫欧 @ 2.7A,10V
3.7V @ 270µA
10.5 nC @ 10 V
±30V
380 pF @ 300 V
-
60W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8 SO
DMN4034SSS-13
MOSFET N-CH 40V 5.4A 8SO
Diodes Incorporated
9,041
现货
67,500
工厂
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.93955
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
5.4A(Ta)
4.5V,10V
34 毫欧 @ 6A,10V
3V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
453 pF @ 20 V
-
1.56W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
CSDxxxxxF5x
CSD23285F5T
MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
Texas Instruments
2,230
现货
1 : ¥7.96000
剪切带(CT)
250 : ¥5.01880
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
5.4A(Ta)
1.5V,4.5V
35 毫欧 @ 1A,4.5V
950mV @ 250µA
4.2 nC @ 4.5 V
-6V
628 pF @ 6 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-SMD,无引线
SOT-223-3
ZXMN6A09GQTA
MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Diodes Incorporated
1,612
现货
1 : ¥13.22000
剪切带(CT)
1,000 : ¥5.11881
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
5.4A(Ta)
4.5V,10V
40 毫欧 @ 8.2A,10V
3V @ 250µA
24.2 nC @ 10 V
±20V
1407 pF @ 40 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4,TO-261AA
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN30XPEAX
SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Nexperia USA Inc.
6,000
现货
3,000 : ¥1.03249
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.4A(Ta)
2.5V,8V
33 毫欧 @ 5.4A,8V
1.3V @ 250µA
16 nC @ 4.5 V
±12V
1025 pF @ 10 V
-
660mW(Ta),7,5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
TSOT-26
DMP3045LVT-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
Diodes Incorporated
2,799
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.99850
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.4A(Ta)
4.5V,10V
42 毫欧 @ 4.9A,10V
2.1V @ 250µA
14.3 nC @ 10 V
±20V
749 pF @ 15 V
-
1.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
8-TSSOP
SI6426DQ
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Fairchild Semiconductor
23,244
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.4A(Ta)
2.5V,4.5V
35 毫欧 @ 5.4A,4.5V
1.5V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
710 pF @ 10 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-TSSOP
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
IRF9335TRPBF
MOSFET P-CH 30V 5.4A 8SO
Infineon Technologies
628
现货
1 : ¥5.91000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.25450
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.4A(Ta)
4.5V,10V
59 毫欧 @ 5.4A,10V
2.4V @ 10µA
14 nC @ 10 V
±20V
386 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
XP3P055N
XP3N028EN
MOSFET N-CH 30V 5.4A SOT23
YAGEO XSEMI
681
现货
1 : ¥5.09000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.72450
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.4A(Ta)
4.5V,10V
28 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
11.5 nC @ 4.5 V
±20V
1330 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
75
现货
1 : ¥14.29000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
5.4A(Ta)
10V
900 毫欧 @ 2.7A,10V
3.7V @ 270µA
10.5 nC @ 10 V
±30V
380 pF @ 300 V
-
60W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK
TO-251-3 短引线,IPAK
TO-220SIS
TK5A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220SIS
Toshiba Semiconductor and Storage
0
现货
查看交期
50 : ¥12.96660
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
5.4A(Ta)
10V
900 毫欧 @ 2.7A,10V
3.7V @ 270µA
10.5 nC @ 10 V
±30V
380 pF @ 300 V
-
30W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220SIS
TO-220-3 整包
SOT-23-3
DMP1070U-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Diodes Incorporated
0
现货
在售
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
5.4A(Ta)
1.8V,4.5V
31 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 250µA
11.5 nC @ 4.5 V
±8V
143 pF @ 10 V
-
890mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3032L-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.48955
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.4A(Ta)
4.5V,10V
31 毫欧 @ 5.8A,10V
2V @ 250µA
10.1 nC @ 10 V
±20V
481 pF @ 15 V
-
800mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMP1070U-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
0
现货
在售
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
5.4A(Ta)
1.8V,4.5V
31 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 250µA
11.5 nC @ 4.5 V
±8V
143 pF @ 10 V
-
890mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMP1070UQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Diodes Incorporated
0
现货
在售
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
5.4A(Ta)
1.8V,4.5V
31 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 250µA
11.5 nC @ 4.5 V
±8V
143 pF @ 10 V
-
890mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3032LQ-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.58478
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.4A(Ta)
4.5V,10V
31 毫欧 @ 5.8A,10V
2V @ 250µA
10.1 nC @ 10 V
±20V
481 pF @ 15 V
-
800mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3032L-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
3,000 : ¥0.61193
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
5.4A(Ta)
4.5V,10V
31 毫欧 @ 5.8A,10V
2V @ 250µA
10.1 nC @ 10 V
±20V
481 pF @ 15 V
-
800mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
PMV30UN2VL
MOSFET N-CH 20V 5.4A TO236AB
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卷带(TR)
卷带(TR)
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N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.4A(Ta)
1.2V,4.5V
32 毫欧 @ 4.2A,4.5V
900mV @ 250µA
11 nC @ 4.5 V
±12V
655 pF @ 10 V
-
490mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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5.4A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。