48A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 121
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diotec SemiconductorEPCFairchild SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Microchip TechnologyMicrosemi CorporationNexperia USA Inc.
系列
-AlphaSGT™CoolMOS™ P7CoolSiC™EEFeGaN®HEXFET®HiPerFET™HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Polar3™HiPerFET™, Q Class
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
20 V25 V30 V40 V50 V55 V60 V65 V80 V100 V150 V200 V300 V500 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V4.5V,7V5V5V,10V10V15V,18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4 毫欧 @ 20A,10V4 毫欧 @ 47.2A,10V4 毫欧 @ 51A,10V4.8 毫欧 @ 24A,10V5.2 毫欧 @ 35.4A,10V6 毫欧 @ 15A,5V6.2 毫欧 @ 20A,10V6.5 毫欧 @ 20A,10V6.5 毫欧 @ 31A,10V6.5 毫欧 @ 34A,10V7.1 毫欧 @ 24A,10V7.6 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA(最小)1V @ 250µA1.7V @ 250µA2V @ 1mA2V @ 250µA2.1V @ 200µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.4V @ 200µA2.4V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7.2 nC @ 4.5 V8 nC @ 5 V8.8 nC @ 5 V10 nC @ 4.5 V12 nC @ 4.5 V13.8 nC @ 5 V15.8 nC @ 10 V22 nC @ 10 V23 nC @ 10 V24 nC @ 10 V24.6 nC @ 10 V30.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+6V,-4V+10V,-8V±10V±15V±16V+20V,-12V+20V,-5V+20V,-7V±20V±22V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
580 pF @ 12.5 V979 pF @ 25 V1235 pF @ 15 V1272 pF @ 15 V1300 pF @ 25 V1350 pF @ 25 V1360 pF @ 25 V1480 pF @ 15 V1500 pF @ 10 V1597 pF @ 25 V1620 pF @ 25 V1670 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
830mW(Ta),69W(Tc)1W(Ta),29W(Tc)1W(Ta),33W(Tc)1.8W(Ta)1.8W(Ta),85W(Tc)3W(Ta)29W(Tc)31W(Tc)35W(Tc)35.7W(Tc)37W(Tc)42W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 185°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C175°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
7-QFN(3x5)8-DFN(3.15x3.05)8-DFN(4.9x5.75)8-DFN(5x6)8-PDFN(3.3x3.3)8-PPAK(3.1x3.05)8-PPAK(3.1x3.1)8-QFN(3x3)8-QFN(5x6)8-SOP Advance(5x5)8-VSONP(5x6)D2PAK
封装/外壳
7-PowerWQFN8-PowerBSFN8-PowerSMD,扁平引线8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFNISOTOPPowerPAK® SO-8SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-220-3 全封装,隔离接片
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
121结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 121
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8,854
现货
1 : ¥8.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.00459
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
48A(Tc)
4.5V,10V
9.7 毫欧 @ 15A,4.5V
2.4V @ 200µA
24 nC @ 10 V
±20V
2040 pF @ 20 V
-
69W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
TO-252
SQD50P08-28_GE3
MOSFET P-CH 80V 48A TO252AA
Vishay Siliconix
6,833
现货
1 : ¥21.76000
剪切带(CT)
2,000 : ¥9.82615
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
48A(Tc)
10V
28 毫欧 @ 12.5A,10V
3.5V @ 250µA
145 nC @ 10 V
±20V
6035 pF @ 25 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R060P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 48A D2PAK
Infineon Technologies
2,806
现货
1 : ¥44.58000
剪切带(CT)
1,000 : ¥23.03901
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
48A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 15.9A,10V
4V @ 800µA
67 nC @ 10 V
±20V
2895 pF @ 400 V
-
164W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PG-TO247-3
IPW60R060P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
Infineon Technologies
510
现货
1 : ¥49.01000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
48A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 15.9A,10V
4V @ 800µA
67 nC @ 10 V
±20V
2895 pF @ 400 V
-
164W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
EPC2308ENGRT
EPC2308ENGRT
TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFN
EPC
50,467
现货
1 : ¥51.80000
剪切带(CT)
3,000 : ¥27.51521
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
150 V
48A(Tc)
5V
6 毫欧 @ 15A,5V
2.5V @ 5mA
13.8 nC @ 5 V
+6V,-4V
2103 pF @ 75 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
7-QFN(3x5)
7-PowerWQFN
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH48P20P
MOSFET P-CH 200V 48A TO247
Littelfuse Inc.
301
现货
1 : ¥92.03000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
48A(Tc)
10V
85 毫欧 @ 500mA,10V
4.5V @ 250µA
103 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 25 V
-
462W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
TO-264
IXFK48N50
MOSFET N-CH 500V 48A TO264AA
Littelfuse Inc.
789
现货
1 : ¥213.95000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
48A(Tc)
10V
100 毫欧 @ 24A,10V
4V @ 8mA
270 nC @ 10 V
±20V
8400 pF @ 25 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-264AA(IXFK)
TO-264-3,TO-264AA
171
现货
1 : ¥328.31000
管件
管件
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
2000 V
48A(Tc)
15V,18V
64 毫欧 @ 20A,18V
5.5V @ 12.1mA
82 nC @ 18 V
+20V,-7V
-
-
348W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4-U04
TO-247-4
PowerPak SO-8L
SQJ418EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 48A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
4,685
现货
1 : ¥9.36000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.86186
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
48A(Tc)
10V
14 毫欧 @ 10A,10V
3.5V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-220-3
NDP6060L
MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3
onsemi
1,548
现货
1 : ¥24.30000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
48A(Tc)
5V,10V
20 毫欧 @ 24A,10V
2V @ 250µA
60 nC @ 5 V
±16V
2000 pF @ 25 V
-
100W(Tc)
-65°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-247-3 AC EP
SIHG052N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 48A TO247AC
Vishay Siliconix
493
现货
1 : ¥53.28000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
48A(Tc)
10V
52 毫欧 @ 23A,10V
5V @ 250µA
101 nC @ 10 V
±30V
3380 pF @ 100 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
8-Power TDFN
CSD17551Q5A
MOSFET N-CH 30V 48A 8VSON
Texas Instruments
6,880
现货
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.08800
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
48A(Tc)
4.5V,10V
8.8 毫欧 @ 11A,10V
2.2V @ 250µA
7.2 nC @ 4.5 V
±20V
1272 pF @ 15 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(5x6)
8-PowerTDFN
4,989
现货
1 : ¥9.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.03193
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
48A(Tc)
4.5V,10V
4.8 毫欧 @ 24A,10V
2.1V @ 200µA
22 nC @ 10 V
±20V
1975 pF @ 15 V
-
830mW(Ta),69W(Tc)
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
PowerPAK-SO-8-Single
SQJ418EP-T1_BE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Vishay Siliconix
9,000
现货
1 : ¥9.36000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.86186
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
48A(Tc)
10V
14 毫欧 @ 10A,10V
3.5V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-220-3
NDP6060
MOSFET N-CH 60V 48A TO220-3
onsemi
648
现货
1 : ¥22.58000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
48A(Tc)
10V
25 毫欧 @ 24A,10V
4V @ 250µA
70 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 25 V
-
100W(Tc)
-65°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-263AB
IXTA48P05T
MOSFET P-CH 50V 48A TO263
Littelfuse Inc.
923
现货
1 : ¥25.29000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
48A(Tc)
10V
30 毫欧 @ 24A,10V
4.5V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±15V
3660 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-252-3
IXTY48P05T
MOSFET P-CH 50V 48A TO252
Littelfuse Inc.
483
现货
1 : ¥32.76000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
48A(Tc)
10V
30 毫欧 @ 24A,10V
4.5V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±15V
3660 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
IXTP48N20T
MOSFET N-CH 200V 48A TO220AB
Littelfuse Inc.
948
现货
1 : ¥33.09000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
48A(Tc)
10V
50 毫欧 @ 24A,10V
4.5V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±30V
3000 pF @ 25 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
PG-TO-220-FP
IPA60R060P7XKSA1
MOSFET N-CHANNEL 600V 48A TO220
Infineon Technologies
390
现货
1 : ¥44.58000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
48A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 15.9A,10V
4V @ 800µA
67 nC @ 10 V
±20V
2895 pF @ 400 V
-
29W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
TO-220AB
SIHP052N60EF-GE3
MOSFET EF SERIES TO-220AB
Vishay Siliconix
934
现货
1 : ¥54.92000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
48A(Tc)
10V
52 毫欧 @ 23A,10V
5V @ 250µA
101 nC @ 10 V
±30V
3380 pF @ 100 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
PowerPAK-10X12
SIHK045N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
Vishay Siliconix
1,806
现货
1 : ¥55.33000
剪切带(CT)
2,000 : ¥40.93614
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
48A(Tc)
10V
49 毫欧 @ 17A,10V
5V @ 250µA
98 nC @ 10 V
±30V
4013 pF @ 100 V
-
278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK®10 x 12
8-PowerBSFN
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH48N65X2
MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Littelfuse Inc.
259
现货
1 : ¥83.41000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
48A(Tc)
10V
68 毫欧 @ 24A,10V
4.5V @ 4mA
77 nC @ 10 V
±30V
4420 pF @ 25 V
-
660W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
TO-268
IXTT48P20P
MOSFET P-CH 200V 48A TO268
Littelfuse Inc.
390
现货
1 : ¥119.29000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
48A(Tc)
10V
85 毫欧 @ 500mA,10V
4.5V @ 250µA
103 nC @ 10 V
±20V
5400 pF @ 25 V
-
462W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3,D3PAK(2 引线 + 凸片),TO-268AA
LFPAK33
BUK7M12-40EX
MOSFET N-CH 40V 48A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
1,383
现货
1 : ¥6.73000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.00423
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
48A(Tc)
10V
12 毫欧 @ 15A,10V
4V @ 1mA
15.8 nC @ 10 V
±20V
979 pF @ 25 V
-
55W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
TO-220-3
IPP60R060P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3
Infineon Technologies
500
现货
50 : ¥35.31520
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
48A(Tc)
10V
60 毫欧 @ 15.9A,10V
4V @ 800µA
67 nC @ 10 V
±20V
2895 pF @ 400 V
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164W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
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通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
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48A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。