410mA(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 8
制造商
Diodes IncorporatedMicro Commercial CoMicrochip TechnologyNexperia USA Inc.NXP Semiconductors
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V60 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V4.5V,10V5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.4 欧姆 @ 40mA,10V1.4 欧姆 @ 410mA,4.5V1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V1.5欧姆 @ 40mA,10V3 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250µA1V @ 250µA2V @ 1mA2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.38 nC @ 4.5 V1.2 nC @ 4.5 V2.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
22.6 pF @ 15 V43.2 pF @ 15 V50 pF @ 24 V80 pF @ 40 V
功率耗散(最大值)
100mW310mW(Ta),1.67W(Tc)380mW(Ta)400mW(Ta)470mW(Ta)6.25W(Tc)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DFN1006-3DFN1006B-3SOT-883TO-39X1-DFN1006-3X2-DFN0604-3X2-DFN0606-3
封装/外壳
3-UFDFN3-XFDFNSC-101,SOT-883TO-205AD,TO-39-3 金属罐
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
3-XQFN
PMZB1200UPEYL
MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3
Nexperia USA Inc.
16,401
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.30684
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
410mA(Ta)
1.5V,4.5V
1.4 欧姆 @ 410mA,4.5V
950mV @ 250µA
1.2 nC @ 4.5 V
±8V
43.2 pF @ 15 V
-
310mW(Ta),1.67W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN1006B-3
3-XFDFN
X2-DFN1006-3
DMN62D1SFB-7B
MOSFET N-CH 60V 410MA 3DFN
Diodes Incorporated
137,561
现货
21,990,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.70460
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
410mA(Ta)
4.5V,10V
1.4 欧姆 @ 40mA,10V
2.3V @ 250µA
2.8 nC @ 10 V
±20V
80 pF @ 40 V
-
470mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
TO-39 TO-205AD
2N6660
MOSFET N-CH 60V 410MA TO39
Microchip Technology
3,797
现货
1 : ¥130.54000
-
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
410mA(Ta)
5V,10V
3 欧姆 @ 1A,10V
2V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 24 V
-
6.25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-39
TO-205AD,TO-39-3 金属罐
SC-101 SOT-883
PMZ1200UPEYL
MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
9,776
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.37613
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
410mA(Ta)
1.5V,4.5V
1.4 欧姆 @ 410mA,4.5V
950mV @ 250µA
1.2 nC @ 4.5 V
±8V
43.2 pF @ 15 V
-
310mW(Ta),1.67W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-883
SC-101,SOT-883
ESDLC5V0LTB-TP
2N7002KL3-TP
N-CHANNEL MOSFET DFN1006-3
Micro Commercial Co
5,240
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.58905
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
410mA(Ta)
4.5V,10V
1.5欧姆 @ 40mA,10V
2.3V @ 250µA
2.8 nC @ 10 V
±20V
80 pF @ 40 V
-
100mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN1006-3
SC-101,SOT-883
INFINFBFR843EL3E6327XTSA1
PMZB1200UPEYL
NEXPERIA PMZB1200U - 30V, P-CHAN
NXP Semiconductors
594,195
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
410mA(Ta)
1.5V,4.5V
1.4 欧姆 @ 410mA,4.5V
950mV @ 250µA
1.2 nC @ 4.5 V
±8V
43.2 pF @ 15 V
-
310mW(Ta),1.67W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN1006B-3
3-XFDFN
X2-DFN0604-3
DMN31D5UFO-7B
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0604
Diodes Incorporated
0
现货
480,000
工厂
查看交期
10,000 : ¥0.29544
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
410mA(Ta)
1.5V,4.5V
1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.38 nC @ 4.5 V
±12V
22.6 pF @ 15 V
-
380mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN0604-3
3-XFDFN
X2-DFN0606-3
DMN31D5UFZQ-7B
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
10,000 : ¥0.40212
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
410mA(Ta)
1.5V,4.5V
1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.38 nC @ 4.5 V
±12V
22.6 pF @ 15 V
-
400mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
X2-DFN0606-3
3-XFDFN
显示
/ 8

410mA(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。