40A（Ta），100A（Tc）单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

BSC010N04LS6ATMA1 MOSFET N-CH 40V 40A/100A TDSON Infineon Technologies	14,929 现货	1 : ¥19.46000 剪切带（CT） 5,000 : ¥8.43784 卷带（TR）	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	40 V	40A（Ta），100A（Tc）	4.5V，10V	1mOhm @ 50A， 10V	2.3V @ 250µA	67 nC @ 4.5 V	±20V	4600 pF @ 20 V	-	3W（Ta），150W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	PG-TDSON-8-6	8-PowerTDFN
IRFH5300TRPBF MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8PQFN Infineon Technologies	12,772 现货	1 : ¥12.15000 剪切带（CT） 4,000 : ¥5.03672 卷带（TR）	HEXFET®	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	40A（Ta），100A（Tc）	4.5V，10V	1.4 毫欧 @ 50A，10V	2.35V @ 150µA	120 nC @ 10 V	±20V	7200 pF @ 15 V	-	3.6W（Ta），250W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-PQFN（5x6）	8-PowerVDFN
BSC009NE2LS5IATMA1 MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON Infineon Technologies	5,994 现货	1 : ¥20.44000 剪切带（CT） 5,000 : ¥8.86132 卷带（TR）	OptiMOS™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	25 V	40A（Ta），100A（Tc）	4.5V，10V	0.95 毫欧 @ 30A，10V	2V @ 250µA	49 nC @ 10 V	±16V	3200 pF @ 12 V	-	2.5W（Ta），74W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	PG-TDSON-8-7	8-PowerTDFN
CSD17559Q5 MOSFET N-CH 30V 40A/100A 8VSON Texas Instruments	3,318 现货 1,100 市场	1 : ¥23.32000 剪切带（CT） 2,500 : ¥9.28732 卷带（TR） 229 : ¥9.54376 散装	NexFET™	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	40A（Ta），100A（Tc）	4.5V，10V	1.15 毫欧 @ 40A，10V	1.7V @ 250µA	51 nC @ 4.5 V	±20V	9200 pF @ 15 V	-	3.2W（Ta），96W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-VSON-CLIP（5x6）	8-PowerTDFN
IRFH5250DTRPBF IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL PO International Rectifier	902 市场	不可用对您所选的货币不可用	HEXFET®	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	25 V	40A（Ta），100A（Tc）	4.5V，10V	1.4 毫欧 @ 50A，10V	2.35V @ 150µA	83 nC @ 10 V	±20V	6115 pF @ 13 V	-	3.6W（Ta），156W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-PQFN（5x6）	8-PowerVDFN
AONS62814T N Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0 现货查看交期	3,000 : ¥8.94406 卷带（TR）	AlphaSGT™	卷带（TR）	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	60 V	40A（Ta），100A（Tc）	6V，10V	2.6 毫欧 @ 20A，10V	3.2V @ 250µA	100 nC @ 10 V	±20V	4940 pF @ 40 V	-	8.8W（Ta），258W（Tc）	-55°C ~ 175°C（TJ）	表面贴装型	8-DFN（5x6）	8-PowerSMD，扁平引线
IRFH5300TR2PBF MOSFET N-CH 30V 40A PQFN Infineon Technologies	0 现货	停产	-	剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	30 V	40A（Ta），100A（Tc）	-	1.4 毫欧 @ 50A，10V	2.35V @ 150µA	120 nC @ 10 V	-	7200 pF @ 15 V	-	-	-	表面贴装型	PQFN（5x6）单芯片焊盘	8-PowerVDFN
IRFH5250DTRPBF MOSFET N-CH 25V 40A/100A 8PQFN Infineon Technologies	0 现货	停产	HEXFET®	卷带（TR）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	25 V	40A（Ta），100A（Tc）	4.5V，10V	1.4 毫欧 @ 50A，10V	2.35V @ 150µA	83 nC @ 10 V	±20V	6115 pF @ 13 V	-	3.6W（Ta），156W（Tc）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	8-PQFN（5x6）	8-PowerVDFN
IRFH5250DTR2PBF MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN Infineon Technologies	0 现货	停产	-	剪切带（CT）	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	25 V	40A（Ta），100A（Tc）	-	1.4 毫欧 @ 50A，10V	2.35V @ 150µA	83 nC @ 10 V	-	6115 pF @ 13 V	-	-	-	表面贴装型	8-PQFN（5x6）	8-PowerVDFN