4-XFBGA,WLCSP 单 FET,MOSFET

结果 : 17
制造商
Fairchild SemiconductorNexperia USA Inc.onsemi
系列
-PowerTrench®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.1A2.6A(Ta)2.7A(Ta)3.7A(Ta)3.9A(Ta)4A(Ta)4.2A(Tj)4.7A(Ta)5A(Ta)5.4A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,4.5V4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
42 毫欧 @ 3A,4.5V50 毫欧 @ 2A,4.5V65 毫欧 @ 3A,4.5V67 毫欧 @ 3A,4.5V75 毫欧 @ 2A,4.5V78 毫欧 @ 2A,4.5V95 毫欧 @ 3A,4.5V134 毫欧 @ 2A,4.5V140 毫欧 @ 2A,4.5V462 毫欧 @ 300mA,4.5V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
1 nC @ 4.5 V6.2 nC @ 4.5 V8.2 nC @ 4.5 V8.8 nC @ 4.5 V9 nC @ 4.5 V9.8 nC @ 4.5 V10 nC @ 4.5 V15 nC @ 4.5 V17 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
+5.5V,-300mV±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
85 pF @ 15 V335 pF @ 6 V360 pF @ 6 V415 pF @ 6 V420 pF @ 10 V525 pF @ 10 V555 pF @ 10 V685 pF @ 10 V865 pF @ 10 V1000 pF @ 10 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
400mW400mW(Ta)400mW(Ta),12.5W(Tc)1W(Ta)1.3W(Ta)1.7W(Ta)12.5W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 125°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
4-WLCSP(0.78x0.78)4-WLCSP(0.8x0.8)4-WLCSP(1x1)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
17结果
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/ 17
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TEXTISBQ27532YZFR-G1
FDZ3N513ZT
MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP
Fairchild Semiconductor
25,469
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
1.1A
-
462 毫欧 @ 300mA,4.5V
1.5V @ 250µA
1 nC @ 4.5 V
+5.5V,-300mV
85 pF @ 15 V
肖特基二极管(隔离式)
1W(Ta)
-55°C ~ 125°C(TJ)
表面贴装型
4-WLCSP(1x1)
4-XFBGA,WLCSP
WLCSP4
PMCM4402UPEZ
MOSFET P-CH 20V 4WLCSP
Nexperia USA Inc.
6,988
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
9,000 : ¥0.72873
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Tj)
2.5V,4.5V
-
-
6.2 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
400mW
150°C(TJ)
表面贴装型
4-WLCSP(0.78x0.78)
4-XFBGA,WLCSP
WLCSP4
PMCM4401UNEZ
MOSFET N-CH 20V 4WLCSP
Nexperia USA Inc.
46,119
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
9,000 : ¥0.83798
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
5.4A(Tj)
2.5V,4.5V
-
-
6.2 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
400mW
150°C(TJ)
表面贴装型
4-WLCSP(0.78x0.78)
4-XFBGA,WLCSP
PMCM4401UPEZ
PMCM4401UPEZ
MOSFET P-CH 20V 4A 4WLCSP
Nexperia USA Inc.
7,900
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
9,000 : ¥0.82165
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4A(Ta)
1.8V,4.5V
95 毫欧 @ 3A,4.5V
900mV @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
420 pF @ 10 V
-
400mW(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
4-WLCSP(0.78x0.78)
4-XFBGA,WLCSP
WLCSP4
PMCM4401VNEAZ
MOSFET N-CH 12V 4.7A 4WLCSP
Nexperia USA Inc.
118,045
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
9,000 : ¥0.80637
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
4.7A(Ta)
1.5V,4.5V
42 毫欧 @ 3A,4.5V
900mV @ 250µA
9 nC @ 4.5 V
±8V
335 pF @ 6 V
-
400mW(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
4-WLCSP(0.78x0.78)
4-XFBGA,WLCSP
WLCSP4
PMCM4401VPEZ
MOSFET P-CH 12V 3.9A 4WLCSP
Nexperia USA Inc.
15,679
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
9,000 : ¥0.80637
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
3.9A(Ta)
1.8V,4.5V
65 毫欧 @ 3A,4.5V
900mV @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
415 pF @ 6 V
-
400mW(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
4-WLCSP(0.78x0.78)
4-XFBGA,WLCSP
4-WFBGA, FCBGA
FDZ661PZ
MOSFET P-CH 20V 2.6A 4WLCSP
onsemi
6,582
现货
1 : ¥6.49000
剪切带(CT)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.6A(Ta)
1.5V,4.5V
140 毫欧 @ 2A,4.5V
1.2V @ 250µA
8.8 nC @ 4.5 V
±8V
555 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
4-WLCSP(0.8x0.8)
4-XFBGA,WLCSP
FDZ375P
FDZ372NZ
MOSFET N-CH 20V 4.7A 4WLCSP
Fairchild Semiconductor
978,106
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.7A(Ta)
-
50 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 250µA
9.8 nC @ 4.5 V
-
685 pF @ 10 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
4-WLCSP(1x1)
4-XFBGA,WLCSP
4-WFBGA, FCBGA
FDZ375P
MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
onsemi
0
现货
5,119
市场
停产
卷带(TR)
散装
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.7A(Ta)
1.5V,4.5V
78 毫欧 @ 2A,4.5V
1.2V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±8V
865 pF @ 10 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
4-WLCSP(1x1)
4-XFBGA,WLCSP
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDZ451PZ
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Fairchild Semiconductor
9,569
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.6A(Ta)
1.5V,4.5V
140 毫欧 @ 2A,4.5V
1.2V @ 250µA
8.8 nC @ 4.5 V
±8V
555 pF @ 10 V
-
400mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
4-WLCSP(0.8x0.8)
4-XFBGA,WLCSP
FDZ663P - FDZ663P - MOSFET P-CHA
FDZ663P
FDZ663P - FDZ663P - MOSFET P-CHA
Fairchild Semiconductor
60,000
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.7A(Ta)
1.5V,4.5V
134 毫欧 @ 2A,4.5V
1.2V @ 250µA
8.2 nC @ 4.5 V
±8V
525 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
4-WLCSP(0.8x0.8)
4-XFBGA,WLCSP
FDZ375P
FDZ661PZ
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Fairchild Semiconductor
106,670
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.6A(Ta)
1.5V,4.5V
140 毫欧 @ 2A,4.5V
1.2V @ 250µA
8.8 nC @ 4.5 V
±8V
555 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
4-WLCSP(0.8x0.8)
4-XFBGA,WLCSP
FDZ375P
FDZ375P
MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
Fairchild Semiconductor
4,885
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.7A(Ta)
1.5V,4.5V
78 毫欧 @ 2A,4.5V
1.2V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±8V
865 pF @ 10 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
4-WLCSP(1x1)
4-XFBGA,WLCSP
4-WLCSP
PMCM440VNEZ
MOSFET N-CH 12V 3.9A 4WLCSP
Nexperia USA Inc.
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
3.9A(Ta)
4.5V
67 毫欧 @ 3A,4.5V
900mV @ 250µA
8.2 nC @ 4.5 V
±8V
360 pF @ 6 V
-
400mW(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
4-WLCSP(0.78x0.78)
4-XFBGA,WLCSP
4-WFBGA, FCBGA
FDZ371PZ
MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
3.7A(Ta)
1.5V,4.5V
75 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±8V
1000 pF @ 10 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
4-WLCSP(1x1)
4-XFBGA,WLCSP
4-WFBGA, FCBGA
FDZ663P
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4WLCSP
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.7A(Ta)
1.5V,4.5V
134 毫欧 @ 2A,4.5V
1.2V @ 250µA
8.2 nC @ 4.5 V
±8V
525 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
4-WLCSP(0.8x0.8)
4-XFBGA,WLCSP
MOSFET N-CHANNEL 12V 5A 4WLCSP
PMCM440VNE/S500Z
MOSFET N-CHANNEL 12V 5A 4WLCSP
Nexperia USA Inc.
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
5A(Ta)
1.5V,4.5V
67 毫欧 @ 3A,4.5V
900mV @ 250µA
8.2 nC @ 4.5 V
±8V
360 pF @ 6 V
-
12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
4-WLCSP(0.78x0.78)
4-XFBGA,WLCSP
显示
/ 17

4-XFBGA,WLCSP 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。