4.7A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 33
制造商
Diodes IncorporatedFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiTaiwan Semiconductor CorporationToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-FETKY™OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
12 V20 V30 V60 V100 V150 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V1.8V,4V2.5V,4.5V2.5V,8V4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
30 毫欧 @ 5.5A,10V31 毫欧 @ 4.7A,10V31 毫欧 @ 4A,4V32 毫欧 @ 4.7A,4.5V35 毫欧 @ 6.2A,10V36毫欧 @ 4,7A,10V39 毫欧 @ 4.7A,4.5V42 毫欧 @ 3A,4.5V43 毫欧 @ 3A,4.5V45 毫欧 @ 4A,4.5V46 毫欧 @ 4.7A,8V50 毫欧 @ 2A,4.5V50 毫欧 @ 4.7A,10V60 毫欧 @ 4.7A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.2V @ 25µA1.3V @ 250µA1.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.8 nC @ 4.5 V9 nC @ 4.5 V9.8 nC @ 4.5 V10 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V12.4 nC @ 4.5 V12.4 nC @ 10 V12.5 nC @ 4.5 V14 nC @ 10 V16 nC @ 4.5 V20 nC @ 5 V20.5 nC @ 10 V23 nC @ 4.5 V26 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
240 pF @ 25 V335 pF @ 6 V453 pF @ 30 V490 pF @ 10 V625 pF @ 25 V634 pF @ 10 V640 pF @ 10 V654 pF @ 15 V685 pF @ 10 V710 pF @ 25 V860 pF @ 15 V1020 pF @ 10 V1025 pF @ 10 V1820 pF @ 10 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
400mW(Ta),12.5W(Tc)500mW(Ta),8.33W(Tc)510mW(Ta),3.9W(Tc)660mW(Ta),7,5W(Tc)670mW(Ta)700mW(Ta)1.1W(Ta)1.14W(Ta)1.25W(Ta)1.7W(Ta)1.7W(Ta),12.5W(Tc)1.8W2W(Ta)2.5W(Ta),20W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
4-WLCSP(0.78x0.78)4-WLCSP(1x1)6-TSOP8-SO8-TSSOPDFN2020MD-6DPAKPG-TSOP6-6SOT-223-4SOT-23SOT-26TO-236ABTO-252(DPAK)TO-252AA
封装/外壳
3-XDFN4-XFBGA,WLCSP6-UDFN 裸露焊盘8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)SC-74,SOT-457SOT-23-6SOT-23-6 细型,TSOT-23-6TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
33结果
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/ 33
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MFG_TO-236-3,-SC-59,-SOT-23-3
TSM2323CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23
Taiwan Semiconductor Corporation
76,020
现货
1 : ¥6.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.42463
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.7A(Ta)
1.8V,4.5V
39 毫欧 @ 4.7A,4.5V
1V @ 250µA
12.5 nC @ 4.5 V
±8V
1020 pF @ 10 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN40XPEAX
SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Nexperia USA Inc.
3,000
现货
3,000 : ¥0.88140
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.7A(Ta)
2.5V,8V
46 毫欧 @ 4.7A,8V
1.3V @ 250µA
16 nC @ 4.5 V
±12V
1025 pF @ 10 V
-
660mW(Ta),7,5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
MFG_6-TSSOP,-SC-88,-SOT-363,SOT-23-6
TSM3443CX6 RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT26
Taiwan Semiconductor Corporation
42,077
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.07754
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.7A(Ta)
2.5V,4.5V
60 毫欧 @ 4.7A,4.5V
1.4V @ 250µA
9 nC @ 4.5 V
±12V
640 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
TO-236AB
PMV28UNEAR
MOSFET N-CH 20V 4.7A TO236AB
Nexperia USA Inc.
6,220
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.82473
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.7A(Ta)
1.8V,4.5V
32 毫欧 @ 4.7A,4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
490 pF @ 10 V
-
510mW(Ta),3.9W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6-TSOP
PMN40SNAX
MOSFET N-CH 60V 4.7A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
8,968
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.16300
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.7A(Ta)
10V
36毫欧 @ 4,7A,10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
453 pF @ 30 V
-
1.8W
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
SC-74, SOT-457
BSL211SPH6327XTSA1
MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
Infineon Technologies
8,233
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.77712
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.7A(Ta)
2.5V,4.5V
67 毫欧 @ 4.7A,4.5V
1.2V @ 25µA
12.4 nC @ 10 V
±12V
654 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSOP6-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
X2-DFN2015-3
DMP2045UFY4-7
MOSFET P-CH 20V 4.7A X2-DFN2015
Diodes Incorporated
2,357
现货
786,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.62499
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.7A(Ta)
1.5V,4.5V
45 毫欧 @ 4A,4.5V
1V @ 250µA
6.8 nC @ 4.5 V
±8V
634 pF @ 10 V
-
670mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN2015-3
3-XDFN
6-DFN2020MD_View 2
PMPB48EPAX
MOSFET P-CH 30V 4.7A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
2,550
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.99133
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.7A(Ta)
4.5V,10V
50 毫欧 @ 4.7A,10V
2.5V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
860 pF @ 15 V
-
1.7W(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN40XPEAAX
SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Nexperia USA Inc.
3,000
现货
3,000 : ¥0.88140
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.7A(Ta)
2.5V,8V
46 毫欧 @ 4.7A,8V
1.3V @ 250µA
16 nC @ 4.5 V
±12V
1025 pF @ 10 V
-
660mW(Ta),7,5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
IRG4RC10UTRPBF
IRFR110ATM
N-CHANNEL POWER MOSFET
Fairchild Semiconductor
4,197
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4.7A(Ta)
10V
400 毫欧 @ 2.35A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
240 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),20W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
34,318
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.7A(Ta)
4.5V,10V
31 毫欧 @ 4.7A,10V
3V @ 250µA
20.5 nC @ 10 V
±20V
625 pF @ 25 V
-
1.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4,TO-261AA
WLCSP4
PMCM4401VNEAZ
MOSFET N-CH 12V 4.7A 4WLCSP
Nexperia USA Inc.
118,045
现货
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
9,000 : ¥0.80637
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
4.7A(Ta)
1.5V,4.5V
42 毫欧 @ 3A,4.5V
900mV @ 250µA
9 nC @ 4.5 V
±8V
335 pF @ 6 V
-
400mW(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
4-WLCSP(0.78x0.78)
4-XFBGA,WLCSP
Automotive, AEC-Q101 Series
PMN40UPE,115
MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP
Nexperia USA Inc.
0
现货
30,000
市场
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.7A(Ta)
1.8V,4.5V
43 毫欧 @ 3A,4.5V
950mV @ 250µA
23 nC @ 4.5 V
±8V
1820 pF @ 10 V
-
500mW(Ta),8.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-TSOP
SC-74,SOT-457
FDZ375P
FDZ372NZ
MOSFET N-CH 20V 4.7A 4WLCSP
Fairchild Semiconductor
978,106
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.7A(Ta)
-
50 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 250µA
9.8 nC @ 4.5 V
-
685 pF @ 10 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
4-WLCSP(1x1)
4-XFBGA,WLCSP
IRG4RC10UTRPBF
FDD2570
MOSFET N-CH 150V 4.7A TO252
Fairchild Semiconductor
84,908
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
4.7A(Ta)
6V,10V
80 毫欧 @ 4.7A,10V
4V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±20V
1907 pF @ 75 V
-
3.2W(Ta),70W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SC-74, SOT-457
BSL211SP
MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
Infineon Technologies
0
现货
3,000 : ¥1.41140
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.7A(Ta)
2.5V,4.5V
67 毫欧 @ 4.7A,4.5V
1.2V @ 25µA
12.4 nC @ 4.5 V
±12V
654 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSOP6-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SC-74, SOT-457
BSL211SPT
MOSFET P-CH 20V 4.7A TSOP-6
Infineon Technologies
0
现货
3,000 : ¥1.41140
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.7A(Ta)
2.5V,4.5V
67 毫欧 @ 4.7A,4.5V
1.2V @ 25µA
12.4 nC @ 4.5 V
±12V
654 pF @ 15 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSOP6-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
TSCR421CX6 RFG
TSM3443CX6
-20V, -4.7A, SINGLE P-CHANNEL PO
Taiwan Semiconductor Corporation
0
现货
查看交期
12,000 : ¥2.55391
卷带(TR)
-
卷带(TR)
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.7A(Ta)
2.5V,4.5V
60 毫欧 @ 4.7A,4.5V
1.4V @ 250µA
9 nC @ 4.5 V
±12V
640 pF @ 10 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.7A(Ta)
1.8V,4V
31 毫欧 @ 4A,4V
-
-
±12V
1020 pF @ 10 V
-
700mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TSM
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6-DFN2020MD_View 2
PMPB48EP,115
MOSFET P-CH 30V 4.7A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.05767
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.7A(Ta)
4.5V,10V
50 毫欧 @ 4.7A,10V
2.5V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
860 pF @ 15 V
-
1.7W(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
8-TSSOP 8-MSOP
SI6435ADQ-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
Vishay Siliconix
0
现货
停产
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.7A(Ta)
-
30 毫欧 @ 5.5A,10V
1V @ 250µA(最小)
20 nC @ 5 V
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
8-TSSOP
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
8-TSSOP 8-MSOP
SI6435ADQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
Vishay Siliconix
0
现货
停产
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.7A(Ta)
-
30 毫欧 @ 5.5A,10V
1V @ 250µA(最小)
20 nC @ 5 V
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装型
8-TSSOP
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
IRF7321D2TRPBF
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.7A(Ta)
4.5V,10V
62 毫欧 @ 4.9A,10V
1V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
710 pF @ 25 V
肖特基二极管(隔离式)
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7321D2TR
MOSFET P-CH 30V 4.7A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
4,000 : ¥8.13883
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.7A(Ta)
4.5V,10V
62 毫欧 @ 4.9A,10V
1V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
710 pF @ 25 V
肖特基二极管(隔离式)
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
Pkg 5540
SI3483DV-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 4.7A 6TSOP
Vishay Siliconix
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.7A(Ta)
4.5V,10V
35 毫欧 @ 6.2A,10V
3V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
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1.14W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
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表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
显示
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4.7A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。