4.3A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 64
制造商
Goford SemiconductorHarris CorporationInfineon TechnologiesInternational RectifieronsemiSanyoSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ CEEHEXFET®OptiMOS™PowerMESH™QFET®SGTTrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)
漏源电压(Vdss)
20 V40 V60 V100 V150 V200 V500 V600 V650 V800 V900 V1000 V1700 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V2.5V,4.5V4V,5V4.5V,10V10V13V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
27 毫欧 @ 2.2A,4.5V51 毫欧 @ 3.2A,10V68 毫欧 @ 2.4A,10V95 毫欧 @ 4.5A,10V400 毫欧 @ 4.3A,10V540 毫欧 @ 2.6A,10V540 毫欧 @ 2.6A,5V540 毫欧 @ 900mA,10V670 毫欧 @ 1A,10V700 毫欧 @ 2A,10V800 毫欧 @ 2.15A,10V800 毫欧 @ 2.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.1V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 100µA3.5V @ 130µA3.5V @ 200µA4V @ 166µA4V @ 1mA4V @ 250µA4.3V @ 640µA4.5V @ 100µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6.1 nC @ 5 V6.7 nC @ 10 V7 nC @ 10 V8.3 nC @ 10 V10 nC @ 4.5 V10 nC @ 10 V10.5 nC @ 10 V12 nC @ 10 V13 nC @ 10 V14 nC @ 20 V15.3 nC @ 10 V29 nC @ 10 V32 nC @ 10 V36 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±12V±20V+25V,-15V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
150 pF @ 1000 V180 pF @ 25 V230 pF @ 25 V231 pF @ 100 V247 pF @ 50 V250 pF @ 25 V260 pF @ 30 V280 pF @ 100 V300 pF @ 10 V328 pF @ 100 V347 pF @ 100 V370 pF @ 20 V550 pF @ 30 V622 pF @ 100 V
功率耗散(最大值)
960mW(Ta),1.7W(Tc)1W(Tc)2W(Ta),36W(Tc)2.5W(Ta),25W(Tc)2.5W(Ta),30W(Tc)3W(Tc)19W(Tc)25W(Tc)25.7W(Tc)29W(Tc)30W(Tc)34W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
D2PAK-7DPAKIPAK(TO-251)PG-TO220-3-31PG-TO251-3PG-TO252-3PG-TO252-3-11PG-TO252-3-313PG-TO252-3-344SOT-23-3SOT-23-3(TO-236)TO-204AA(TO-3)
封装/外壳
TO-204AA,TO-3TO-220-3TO-220-3 全封装,隔离接片TO-220-3 整包TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-247-3TO-251-3 短引线,IPAKTO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-251-3 长引线,IPak,TO-251ABTO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
64结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 64
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
SI2356DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236
Vishay Siliconix
21,878
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.85907
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
4.3A(Tc)
2.5V,10V
51 毫欧 @ 3.2A,10V
1.5V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±12V
370 pF @ 20 V
-
960mW(Ta),1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
3,935
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.89174
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
4.3A(Tc)
13V
950 毫欧 @ 1.2A,13V
3.5V @ 100µA
10.5 nC @ 10 V
±20V
231 pF @ 100 V
-
53W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-344
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D-PAK (TO-252AA)
IRLR110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Vishay Siliconix
17,556
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.05146
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4.3A(Tc)
4V,5V
540 毫欧 @ 2.6A,5V
2V @ 250µA
6.1 nC @ 5 V
±10V
250 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D-PAK (TO-252AA)
IRFR110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Vishay Siliconix
3,375
现货
1 : ¥7.88000
剪切带(CT)
2,000 : ¥3.26085
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4.3A(Tc)
10V
540 毫欧 @ 2.6A,10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-3
STP5NK80Z
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB
STMicroelectronics
200
现货
1 : ¥18.14000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
4.3A(Tc)
10V
2.4 欧姆 @ 2.15A,10V
4.5V @ 100µA
45.5 nC @ 10 V
±30V
910 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
D2PAK-7
NTBG1000N170M1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL
onsemi
495
现货
8,000
工厂
1 : ¥36.86000
剪切带(CT)
800 : ¥22.27135
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1700 V
4.3A(Tc)
20V
1.43 欧姆 @ 2A,20V
4.3V @ 640µA
14 nC @ 20 V
+25V,-15V
150 pF @ 1000 V
-
51W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
TO-247-3 AC EP
IRFPG40PBF
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO247-3
Vishay Siliconix
284
现货
1 : ¥45.07000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1000 V
4.3A(Tc)
10V
3.5 欧姆 @ 2.6A,10V
4V @ 250µA
120 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247AC
TO-247-3
TO-252
IRFR110TRPBF-BE3
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Vishay Siliconix
1,850
现货
1 : ¥5.58000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.95656
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4.3A(Tc)
10V
540 毫欧 @ 2.6A,10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-251AA
IRFU110PBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Vishay Siliconix
2,296
现货
1 : ¥6.49000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4.3A(Tc)
10V
540 毫欧 @ 900mA,10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
D-PAK (TO-252AA)
IRFR110PBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Vishay Siliconix
3,297
现货
1 : ¥7.88000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4.3A(Tc)
10V
540 毫欧 @ 2.6A,10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-251AA
IRLU110PBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Vishay Siliconix
7,032
现货
1 : ¥8.29000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4.3A(Tc)
4V,5V
540 毫欧 @ 2.6A,5V
2V @ 250µA
6.1 nC @ 5 V
±10V
250 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
D-PAK (TO-252AA)
IRLR110PBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Vishay Siliconix
345
现货
1 : ¥10.18000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4.3A(Tc)
4V,5V
540 毫欧 @ 2.6A,5V
2V @ 250µA
6.1 nC @ 5 V
±10V
250 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220FP
STP5NK80ZFP
MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220FP
STMicroelectronics
926
现货
1 : ¥20.61000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
4.3A(Tc)
10V
2.4 欧姆 @ 2.15A,10V
4.5V @ 100µA
45.5 nC @ 10 V
±30V
910 pF @ 25 V
-
30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-252
IRFR110PBF-BE3
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Vishay Siliconix
2,961
现货
1 : ¥5.58000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4.3A(Tc)
-
540 毫欧 @ 2.6A,10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SIHD4N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 4.3A DPAK
Vishay Siliconix
1,985
现货
1 : ¥9.77000
散装
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
4.3A(Tc)
10V
1.27 欧姆 @ 2A,10V
4V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±30V
622 pF @ 100 V
-
69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
IRFR110TRLPBF-BE3
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Vishay Siliconix
2,995
现货
1 : ¥10.92000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.52738
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4.3A(Tc)
-
540 毫欧 @ 2.6A,10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB Full Pack
IRFI9630GPBF
MOSFET P-CH 200V 4.3A TO220-3
Vishay Siliconix
2,025
现货
1 : ¥15.27000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
4.3A(Tc)
10V
800 毫欧 @ 2.6A,10V
4V @ 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
700 pF @ 25 V
-
35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3 全封装,隔离接片
TO252-3
IPD40DP06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 4.3A TO252-3
Infineon Technologies
2,301
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.77535
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
4.3A(Tc)
10V
400 毫欧 @ 4.3A,10V
4V @ 166µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
260 pF @ 30 V
-
19W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
IRFR110TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Vishay Siliconix
2,990
现货
1 : ¥10.92000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.10490
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4.3A(Tc)
10V
540 毫欧 @ 2.6A,10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
IPAK (TO-251)
SIHU4N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK
Vishay Siliconix
2,995
现货
1 : ¥12.73000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
4.3A(Tc)
10V
1.27 欧姆 @ 2A,10V
4V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±30V
622 pF @ 100 V
-
69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
IPAK(TO-251)
TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
D2PAK-7
NVBG1000N170M1
SIC 1700V MOS 1O IN TO263-7L
onsemi
1,569
现货
6,400
工厂
1 : ¥49.67000
剪切带(CT)
800 : ¥32.36500
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiC(碳化硅结晶体管)
1700 V
4.3A(Tc)
20V
1.43 欧姆 @ 2A,20V
4.3V @ 640µA
14 nC @ 20 V
+25V,-15V
150 pF @ 1000 V
-
51W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
PG-TO251-3
IPU50R950CEAKMA1
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Infineon Technologies
0
现货
163,349
市场
停产
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
4.3A(Tc)
13V
950 毫欧 @ 1.2A,13V
3.5V @ 100µA
10.5 nC @ 10 V
±20V
231 pF @ 100 V
-
53W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO251-3
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
PG-TO251-3
IPU50R950CEBKMA1
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251-3
Infineon Technologies
0
现货
5,380
市场
Digi-Key 停止提供
散装
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
4.3A(Tc)
13V
950 毫欧 @ 1.2A,13V
3.5V @ 100µA
10.5 nC @ 10 V
±20V
231 pF @ 100 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO251-3
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-251-3 Stub
IPS65R1K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251
Infineon Technologies
0
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市场
Digi-Key 停止提供
管件
管件
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N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
4.3A(Tc)
10V
1 欧姆 @ 1.5A,10V
3.5V @ 200µA
15.3 nC @ 10 V
±20V
328 pF @ 100 V
-
37W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251
TO-251-3 短引线,IPAK
IRFU110
IRFU110
4.7A 100V 0.540 OHM N-CHANNEL
Harris Corporation
2,825
市场
不可用
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-
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4.3A(Tc)
10V
540 毫欧 @ 900mA,10V
4V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 25 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
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4.3A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。