39A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 66
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Fairchild SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Microchip TechnologyNexperia USA Inc.NXP SemiconductorsNXP USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Rohm SemiconductorSanken Electric USA Inc.STMicroelectronics
系列
-aMOS™Automotive, AEC-Q101, UltraFET™C3M™CoolMOS™CoolMOS™ P7CoolSiC™CoolSIC™ M1HEXFET®HiPerFET™HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Q ClassMDmesh™ M6POWER MOS 7®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
20 V25 V30 V40 V55 V60 V80 V100 V200 V500 V600 V650 V700 V800 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V4.5V,7V6V,10V10V15V18V20V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.75 毫欧 @ 15A,10V3.9 毫欧 @ 18A,10V7.2 毫欧 @ 15A,10V8.8 毫欧 @ 28.5A,10V10.6 毫欧 @ 10A,10V11.7 毫欧 @ 11A,10V12 毫欧 @ 43A,10V13.6 毫欧 @ 10A,10V15.5 毫欧 @ 10A,10V16.5 毫欧 @ 28A,10V20 毫欧 @ 23A,7V24毫欧 @ 8,2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250µA(最小)1.95V @ 1mA2V @ 1mA2.4V @ 1mA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.5V @ 650µA3V @ 250µA3.5V @ 1.74mA3.5V @ 1.7mA3.6V @ 3.64mA3.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8 nC @ 10 V9.2 nC @ 10 V11 nC @ 10 V11.6 nC @ 4.5 V25.9 nC @ 10 V28 nC @ 18 V31 nC @ 4.5 V33 nC @ 18 V35 nC @ 10 V36 nC @ 10 V37 nC @ 4.5 V38.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±10V±15V±16V+19V,-8V±20V+22V,-4V+22V,-6V+23V,-10V+23V,-5V±25V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
170 pF @ 800 V519 pF @ 15 V562 pF @ 15 V678 pF @ 12 V852 pF @ 500 V930 pF @ 400 V1118 pF @ 400 V1170 pF @ 400 V1175 pF @ 700 V1250 pF @ 20 V1300 pF @ 15 V1450 pF @ 20 V
功率耗散(最大值)
2W(Ta),20W(Tc)3.5W(Ta),7.8W(Tc)3.8W(Ta),107W(Tc)20W(Tc)30W(Tc)32W(Tc)33W(Tc)34W(Tc)37W(Tc)37.9W(Tc)38W(Tc)43W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)175°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-HSMT(3.2x3)8-PDFN(5x6)8-SOICD2PAKISOTOP®ITO-220AB-FLFPAK33LFPAK56,Power-SO8PG-TO247-3-1PG-TO247-3-41PG-TO247-4-3PG-TO263-7-12
封装/外壳
4-PowerTSFN8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)SC-100,SOT-669SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-220-3 全封装,隔离接片TO-220-3 整包TO-247-3TO-247-4TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
66结果
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/ 66
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220F
FDPF39N20
MOSFET N-CH 200V 39A TO220F
onsemi
2,498
现货
1 : ¥17.08000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
39A(Tc)
10V
66 毫欧 @ 19.5A,10V
5V @ 250µA
49 nC @ 10 V
±30V
2130 pF @ 25 V
-
37W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F-3
TO-220-3 整包
8-SOIC
SI4126DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
Vishay Siliconix
1,797
现货
1 : ¥19.54000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.82258
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
39A(Tc)
4.5V,10V
2.75 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
105 nC @ 10 V
±20V
4405 pF @ 15 V
-
3.5W(Ta),7.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
D2PAK SOT404
PSMN057-200B,118
MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
Nexperia USA Inc.
4,834
现货
1 : ¥22.17000
剪切带(CT)
800 : ¥12.39640
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
39A(Tc)
10V
57 毫欧 @ 17A,10V
4V @ 1mA
96 nC @ 10 V
±20V
3750 pF @ 25 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
C3M0045065L
C3M0060065L-TR
SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN
Wolfspeed, Inc.
2,381
现货
1 : ¥113.54000
剪切带(CT)
2,000 : ¥66.90991
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
39A(Tc)
15V
79 毫欧 @ 13.2A,15V
3.6V @ 3.64mA
46 nC @ 15 V
+19V,-8V
1170 pF @ 400 V
-
131W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TOLL
8-PowerSFN
LFPAK33
PSMN013-30MLC,115
MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
Nexperia USA Inc.
2,781
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
1,500 : ¥1.25073
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
39A(Tc)
4.5V,10V
13.6 毫欧 @ 10A,10V
1.95V @ 1mA
8 nC @ 10 V
±20V
519 pF @ 15 V
-
38W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK33
SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK6Y24-40PX
MOSFET P-CH 40V 39A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
10,227
现货
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
1,500 : ¥2.78006
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
39A(Tc)
4.5V,10V
24毫欧 @ 8,2A,10V
3V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
1250 pF @ 20 V
-
66W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
D2PAK SOT404
BUK9640-100A,118
MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Nexperia USA Inc.
3,623
现货
1 : ¥12.73000
剪切带(CT)
800 : ¥7.12611
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
39A(Tc)
4.5V,10V
39 毫欧 @ 25A,10V
2V @ 1mA
48 nC @ 5 V
±15V
3072 pF @ 25 V
-
158W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
8-HSMT
RQ3P300BHTB1
NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
Rohm Semiconductor
14,219
现货
1 : ¥19.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥8.62407
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
39A(Tc)
6V,10V
15.5 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 1mA
36 nC @ 10 V
±20V
2040 pF @ 50 V
-
32W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSMT(3.2x3)
8-PowerVDFN
IMZA65R048M1HXKSA1
IMZA65R048M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Infineon Technologies
435
现货
1 : ¥61.08000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
39A(Tc)
18V
64 毫欧 @ 20.1A,18V
5.7V @ 6mA
33 nC @ 18 V
+23V,-5V
1118 pF @ 400 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4-3
TO-247-4
TO-247-3 AC EP
IMW65R048M1HXKSA1
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Infineon Technologies
1,138
现货
1 : ¥65.68000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
39A(Tc)
18V
64 毫欧 @ 20.1A,18V
5.7V @ 6mA
33 nC @ 18 V
+23V,-5V
1118 pF @ 400 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO-247N
SCT3060ALGC11
SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Rohm Semiconductor
450
现货
1 : ¥111.98000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
39A(Tc)
18V
78 毫欧 @ 13A,18V
5.6V @ 6.67mA
58 nC @ 18 V
+22V,-4V
852 pF @ 500 V
-
165W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
8-HSMT
RQ3E180BNTB
MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Rohm Semiconductor
5,204
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.83694
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
39A(Tc)
4.5V,10V
3.9 毫欧 @ 18A,10V
2.5V @ 1mA
37 nC @ 4.5 V
±20V
3500 pF @ 15 V
-
2W(Ta),20W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSMT(3.2x3)
8-PowerVDFN
8-HSMT
RQ3G150GNTB
MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT
Rohm Semiconductor
8,829
现货
1 : ¥10.18000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.22178
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
39A(Tc)
10V
7.2 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 1mA
11.6 nC @ 4.5 V
±20V
1450 pF @ 20 V
-
20W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-HSMT(3.2x3)
8-PowerVDFN
TO-220F
AOTF42S60L
MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3F
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
2,010
现货
1 : ¥52.46000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
39A(Tc)
10V
99 毫欧 @ 21A,10V
3.8V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±30V
2154 pF @ 100 V
-
37.9W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
IMBG65R048M1HXTMA1
IMBG65R057M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Infineon Technologies
896
现货
1 : ¥73.48000
剪切带(CT)
1,000 : ¥41.66435
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
39A(Tc)
18V
74 毫欧 @ 16.7A,18V
5.7V @ 5mA
28 nC @ 18 V
+23V,-5V
930 pF @ 400 V
-
161W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
SCT4026DRHRC15
SCT3060ARC14
SICFET N-CH 650V 39A TO247-4L
Rohm Semiconductor
345
现货
1 : ¥122.16000
管件
-
管件
不适用于新设计
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
39A(Tc)
18V
78 毫欧 @ 13A,18V
5.6V @ 6.67mA
58 nC @ 18 V
+22V,-4V
852 pF @ 500 V
-
165W
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
PG-VSON-4
IPL60R085P7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 39A 4VSON
Infineon Technologies
353
现货
1 : ¥40.88000
剪切带(CT)
3,000 : ¥19.07652
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
39A(Tc)
10V
85 毫欧 @ 11.8A,10V
4V @ 590µA
51 nC @ 10 V
±20V
2180 pF @ 400 V
-
154W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-VSON-4
4-PowerTSFN
PG-TO247-3
IPW60R075CPFKSA1
MOSFET N-CH 650V 39A TO247-3
Infineon Technologies
237
现货
1 : ¥64.20000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
39A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 26A,10V
3.5V @ 1.7mA
116 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 100 V
-
313W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
TO-247N
SCT3060ALHRC11
SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Rohm Semiconductor
450
现货
30 : ¥165.71767
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
39A(Tc)
18V
78 毫欧 @ 13A,18V
5.6V @ 6.67mA
58 nC @ 18 V
+22V,-4V
852 pF @ 500 V
-
165W
175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247N
TO-247-3
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y25-80EX
MOSFET N-CH 80V 39A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
1,474
现货
1 : ¥7.88000
剪切带(CT)
1,500 : ¥3.04315
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
39A(Tc)
10V
25 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 1mA
25.9 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 25 V
-
95W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
174
现货
1 : ¥87.52000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
39A(Tc)
10V
75 毫欧 @ 26A,10V
3.5V @ 1.74mA
116 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 100 V
-
313W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
SCT4026DRHRC15
SCT3060ARHRC15
650V, 39A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
446
现货
1 : ¥120.03000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
39A(Tc)
18V
78 毫欧 @ 13A,18V
5.6V @ 6.67mA
58 nC @ 18 V
+22V,-4V
852 pF @ 500 V
-
165W
175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
IRG4RC10UTRPBF
HUF76633S3ST
MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Fairchild Semiconductor
12,648
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
39A(Tc)
4.5V,10V
35 毫欧 @ 39A,10V
3V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±16V
1820 pF @ 25 V
-
145W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
HUF76633P3-F085
MOSFET N-CH 100V 39A TO220-3
onsemi
0
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市场
停产
散装
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
39A(Tc)
4.5V,10V
35 毫欧 @ 39A,10V
3V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±16V
1820 pF @ 25 V
-
145W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
IRG4RC10UTRPBF
HUFA76633S3ST
MOSFET N-CH 100V 39A D2PAK
Fairchild Semiconductor
22,719
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MOSFET(金属氧化物)
100 V
39A(Tc)
4.5V,10V
35 毫欧 @ 39A,10V
3V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±16V
1820 pF @ 25 V
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145W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
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表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
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39A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。