300mA(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 108
制造商
Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesLittelfuse Inc.Micro Commercial CoNexperia USA Inc.NXP USA Inc.onsemiPanasonic Electronic ComponentsPanjit International Inc.Renesas Electronics Corporation
系列
-CoolMOS™OptiMOS™TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)带盒(TB)散装
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
16 V20 V25 V30 V50 V60 V75 V100 V200 V240 V300 V400 V500 V600 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.8V,2.7V1.8V,4.5V1.8V,4V1.8V,5V2.4V,10V2.5V,10V2.5V,4.5V2.7V,4.5V2.8V4V,10V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
800 毫欧 @ 400mA,10V1 欧姆 @ 300mA,10V1 欧姆 @ 300mA,4V1.1 欧姆 @ 300mA,4.5V1.2 欧姆 @ 100mA,4V1.2 欧姆 @ 300mA,10V1.2 欧姆 @ 300mA,4.5V1.4 欧姆 @ 500mA,10V1.5 欧姆 @ 100mA,10V1.5 欧姆 @ 200mA,4.5V1.6 欧姆 @ 500mA,10V1.6欧姆 @ 100mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 100µA900mV @ 1mA1V @ 1mA1V @ 1mA(最小)1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.3V @ 1mA1.5V @ 1mA1.8V @ 1mA2V @ 1mA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.35 nC @ 4.5 V0.36 nC @ 10 V0.38 nC @ 4.5 V0.4 nC @ 4.5 V0.44 nC @ 4.5 V0.5 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 10 V0.7 nC @ 4.5 V0.72 nC @ 4.5 V0.72 nC @ 10 V0.8 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±5V±8V8V±10V±12V±15V15V±20V20V±30V±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
10 pF @ 0 V15 pF @ 25 V18 pF @ 25 V20 pF @ 10 V20 pF @ 25 V20 pF @ 30 V21.5 pF @ 15 V22 pF @ 10 V22 pF @ 25 V24 pF @ 10 V25 pF @ 10 V30 pF @ 20 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散(最大值)
100mW(Ta)150mW(Ta)200mW200mW(Ta)225mW(Ta)250mW(Ta)270mW(Ta)280mW(Ta)300mW(Ta)300mW(Ta),4.7W(Tc)350mW350mW(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 110°C(TA)150°C150°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
3-DFN(1x0.6)8-SODFN0603-3(SOT8013)DFN1006-3DFN1006B-3EMT3PG-SOT223-4PG-SOT23PG-SOT23-POSC-70-3(SOT323)SC-70-6SMT3
封装/外壳
3-UFDFN3-XFDFN6-TSSOP,SC-88,SOT-3636-VSSOP,SC-88,SOT-3638-SOIC(0.154",3.90mm 宽)0201(0603 公制)SC-101,SOT-883SC-70,SOT-323SC-75,SOT-416SOT-523SOT-723TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
108结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 108
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
106,489
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.40272
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
3 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN2005K-7
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Diodes Incorporated
682,698
现货
261,000
工厂
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.57387
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
300mA(Ta)
1.8V,2.7V
1.7 欧姆 @ 200mA,2.7V
900mV @ 100µA
-
±10V
-
-
350mW(Ta)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
819,267
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.39032
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
2 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Vishay Siliconix
497,758
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.39032
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
2 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
MMBF0201NLT1G
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
onsemi
12,491
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.74211
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
1 欧姆 @ 300mA,10V
2.4V @ 250µA
-
±20V
45 pF @ 5 V
-
225mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
MMBT7002K
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Diotec Semiconductor
3,393
现货
1 : ¥1.15000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.19575
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
3 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
110,324
现货
1 : ¥1.48000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.29446
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
1.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
SSM
SC-75,SOT-416
TO-236AB
PMBF170,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
237,748
现货
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.36586
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
2V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
830mW(Tc)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
PMBF170,235
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
74,894
现货
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.29145
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
2V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
830mW(Tc)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
X2-DFN1006-3
DMN32D2LFB4-7
MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
Diodes Incorporated
160,766
现货
1,488,000
工厂
1 : ¥2.38000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.96980
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
300mA(Ta)
1.8V,4V
1.2 欧姆 @ 100mA,4V
1.2V @ 250µA
-
±10V
39 pF @ 3 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
2SA2018TL
RUE003N02TL
MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3
Rohm Semiconductor
81,143
现货
1 : ¥2.38000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.52171
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
300mA(Ta)
1.8V,4V
1 欧姆 @ 300mA,4V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
EMT3
SC-75,SOT-416
SOT-23-3
DMN53D0U-7
MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23
Diodes Incorporated
106,964
现货
390,000
工厂
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.44806
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
300mA(Ta)
1.8V,5V
2 欧姆 @ 50mA,5V
1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±12V
37.1 pF @ 25 V
-
520mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
DMN601WK-7
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
Diodes Incorporated
49,846
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.50753
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
2 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
ISS17EP06LMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
59,326
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.78004
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
1.7 欧姆 @ 300mA,10V
2V @ 34µA
1.79 nC @ 10 V
±20V
55 pF @ 30 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SC-70-3
MMBF2201NT1G
MOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3
onsemi
23,373
现货
114,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.78510
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
1 欧姆 @ 300mA,10V
2.4V @ 250µA
-
±20V
45 pF @ 5 V
-
150mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
SOT-523
DMN601TK-7
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-523
Diodes Incorporated
39,214
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.79326
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
5V,10V
2 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
150mW(Ta)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
1,079
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54874
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
2.5V,10V
4 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
1.1 nC @ 4.5 V
±20V
51 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
VMT3 Pkg
RUM003N02T2L
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
Rohm Semiconductor
21,142
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.80846
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
300mA(Ta)
1.8V,4V
1 欧姆 @ 300mA,4V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VMT3
SOT-723
SOT-23-3
DMP32D4S-7
MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23
Diodes Incorporated
29,498
现货
213,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.70136
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
2.4 欧姆 @ 300mA,10V
2.4V @ 250µA
1.2 nC @ 10 V
±20V
51.16 pF @ 15 V
-
370mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
UMT3
RJU003N03FRAT106
MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
Rohm Semiconductor
29,281
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.72728
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
300mA(Ta)
2.5V,4.5V
1.1 欧姆 @ 300mA,4.5V
1.5V @ 1mA
-
±12V
24 pF @ 10 V
-
200mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
UMT3
SC-70,SOT-323
27,513
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
15,000 : ¥0.63601
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
800 毫欧 @ 400mA,10V
2.5V @ 250µA
1.1 nC @ 10 V
±20V
39 pF @ 30 V
-
300mW(Ta),4.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN0603-3(SOT8013)
0201(0603 公制)
TO-236AB
BSH201,215
MOSFET P-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
16,165
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.89273
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
2.5 欧姆 @ 160mA,10V
1V @ 1mA(最小)
3 nC @ 10 V
±20V
70 pF @ 48 V
-
417mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMN601K-7
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Diodes Incorporated
104,743
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.65386
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
5V,10V
2 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
UMT3
RJU003N03T106
MOSFET N-CH 30V 300MA UMT3
Rohm Semiconductor
60,114
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.67389
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
300mA(Ta)
2.5V,4.5V
1.1 欧姆 @ 300mA,4.5V
1.5V @ 1mA
-
±12V
24 pF @ 10 V
-
200mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
UMT3
SC-70,SOT-323
4,790
现货
1 : ¥1.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.31520
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Ta)
4.5V,10V
2.5 欧姆 @ 300mA,10V
2.5V @ 250µA
1.65 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 30 V
-
357mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
/ 108

300mA(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。