3-XFDFN 单 FET,MOSFET

结果 : 191
制造商
Central Semiconductor CorpDiodes IncorporatedMicro Commercial CoNexperia USA Inc.NXP SemiconductorsNXP USA Inc.onsemiRohm SemiconductorTexas Instruments
系列
-FemtoFET™NexFET™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
12 V16 V20 V25 V30 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA(Ta)127mA(Ta)140mA(Ta)145mA(Ta)150mA(Ta)160mA(Ta)200mA(Ta)210mA(Ta)220mA(Ta)224mA(Ta)230mA(Ta)240mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,10V1.2V,4.5V1.2V,5V1.5V,4.5V1.5V,4V1.5V,8V1.8V,2.5V,4.5V1.8V,4.5V1.8V,4V1.8V,8V2.5V,10V2.5V,4.5V2.5V,8V2.7V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
32 毫欧 @ 4A,4.5V35 毫欧 @ 1A,4.5V35 毫欧 @ 900mA,8V39 毫欧 @ 4A,4.5V44 毫欧 @ 500mA,4.5V45 毫欧 @ 1A,4.5V45 毫欧 @ 3.2A,4.5V50 毫欧 @ 4A,4.5V54 毫欧 @ 2.5A,4.5V55 毫欧 @ 3.5A,4.5V58 毫欧 @ 500mA,8V60mOhm @ 500mA,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 100µA900mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 100µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.05V @ 250µA1.1V @ 10µA1.1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.25V @ 250µA1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V0.31 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 5 V0.36 nC @ 4.5 V0.38 nC @ 4.5 V0.4 nC @ 4 V0.4 nC @ 4.5 V0.41 nC @ 4.5 V0.46 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
-20V-12V-8V-6V±6V+7V, -0.2V±8V8V±10V10V±12V12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
7.5 pF @ 10 V9 pF @ 15 V10 pF @ 15 V10.5 pF @ 10 V12 pF @ 10 V12.3 pF @ 15 V12.8 pF @ 15 V14.1 pF @ 15 V14.6 pF @ 16 V15 pF @ 25 V15 pF @ 30 V15.4 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
100mW(Ta)120mW(Ta)125mW(Ta)155mW(Ta)178mW(Ta)250mW250mW(Ta)280mW(Ta)290mW(Ta)300mW(Ta)310mW(Ta),1.67W(Tc)320mW(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
供应商器件封装
3-PICOSTAR3-XDFN(0.42x0.62)3-XLLGA(0.62x0.62)DFN0606-3DFN1006-3DFN1006-3ADFN1006B-3DFN1010-3WDFN2015H4-3DSN1006-3SOT-883(XDFN3)(1x0.6)TLM3D6D8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
191结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 191
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
X2-DFN0606-3
DMN31D5UFZ-7B
MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN
Diodes Incorporated
80,808
现货
110,000
工厂
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.68428
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
220mA(Ta)
1.2V,4.5V
1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±12V
22.2 pF @ 15 V
-
393mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN0606-3
3-XFDFN
CSDxxxxxF3x
CSD15380F3
MOSFET N-CH 20V 500MA 3PICOSTAR
Texas Instruments
38,346
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.52674
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
500mA(Ta)
2.8V,8V
1190 毫欧 @ 100mA,8V
1.35V @ 2.5µA
0.281 nC @ 10 V
10V
10.5 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
CSDxxxxF4T
CSD17381F4
MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
Texas Instruments
24,118
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68111
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
3.1A(Ta)
1.8V,4.5V
109 毫欧 @ 500mA,8A
1.1V @ 250µA
1.35 nC @ 4.5 V
12V
195 pF @ 15 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
SBR 3-DFN
DMN2990UFA-7B
MOSFET N-CH 20V 510MA 3DFN
Diodes Incorporated
34,550
现货
5,000,000
工厂
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.95582
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
510mA(Ta)
1.2V,4.5V
990 毫欧 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±8V
27.6 pF @ 16 V
-
400mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN0806-3
3-XFDFN
CSDxxxxF4T
CSD23381F4T
MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR
Texas Instruments
3,569
现货
1,000
市场
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
250 : ¥4.33640
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
2.3A(Ta)
1.8V,4.5V
175 毫欧 @ 500mA,4.5V
1.2V @ 250µA
1.14 nC @ 6 V
-8V
236 pF @ 6 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
X2-DFN1006-3
DMN2992UFB4Q-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Diodes Incorporated
8,906
现货
1 : ¥1.40000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.19088
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
830mA(Ta)
1.8V,4.5V
990 毫欧 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.41 nC @ 4.5 V
±8V
15.6 pF @ 16 V
-
380mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
DFN0606-3
NX7002BKHH
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
29,561
现货
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.27355
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
350mA(Ta)
4.5V,10V
2.8 欧姆 @ 200mA,10V
2.1V @ 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
22.2 pF @ 30 V
-
380mW(Ta),2.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN0606-3
3-XFDFN
NX138AKHH
NX138AKHH
NX138AKH/SOT8001/DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
28,878
现货
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.27355
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
260mA(Ta)
2.5V,10V
4.2 欧姆 @ 190mA,10V
1.5V @ 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
15 pF @ 30 V
-
360mW(Ta),2.3W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN0606-3
3-XFDFN
X2-DFN1006-3
DMN2451UFB4Q-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Diodes Incorporated
7,935
现货
90,000
工厂
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.27355
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.3A(Ta)
1.8V,4.5V
400 毫欧 @ 600mA,4.5V
1V @ 250µA
6.4 nC @ 10 V
±12V
32 pF @ 16 V
-
660mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
X2-DFN1006-3
DMN32D2LFB4-7
MOSFET N-CH 30V 300MA 3DFN
Diodes Incorporated
160,776
现货
1,488,000
工厂
1 : ¥2.38000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.96980
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
300mA(Ta)
1.8V,4V
1.2 欧姆 @ 100mA,4V
1.2V @ 250µA
-
±10V
39 pF @ 3 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
CSDxxxxF4T
CSD13381F4
MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Texas Instruments
469,110
现货
1 : ¥2.46000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.43988
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
2.1A(Ta)
1.8V,4.5V
180 毫欧 @ 500mA,4.5V
1.1V @ 250µA
1.4 nC @ 4.5 V
8V
200 pF @ 6 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
X2-DFN1006-3
DMN2300UFB4-7B
MOSFET N-CH 20V 1.3A 3DFN
Diodes Incorporated
413,254
现货
1 : ¥2.46000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.40433
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.3A(Ta)
1.5V,4.5V
175 毫欧 @ 300mA,4.5V
950mV @ 250µA
1.6 nC @ 4.5 V
±8V
64.3 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
3-Picostar
CSD25481F4
MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
Texas Instruments
69,180
现货
1 : ¥2.46000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.55299
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
2.5A(Ta)
1.8V,4.5V
88 毫欧 @ 500mA,8V
1.2V @ 250µA
0.913 nC @ 4.5 V
-12V
189 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
X2-DFN1006-3
DMN2450UFB4-7R
MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Diodes Incorporated
4,512
现货
1 : ¥2.46000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.40896
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1A(Ta)
1.8V,4.5V
400 毫欧 @ 600mA,4.5V
900mV @ 250µA
1.3 nC @ 10 V
±12V
56 pF @ 16 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
CSDxxxxF4T
CSD23381F4
MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR
Texas Instruments
253,493
现货
1 : ¥2.55000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.45116
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
2.3A(Ta)
1.8V,4.5V
175 毫欧 @ 500mA,4.5V
1.2V @ 250µA
1.14 nC @ 4.5 V
-8V
236 pF @ 6 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
3-XQFN
NX7002BKMBYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3
Nexperia USA Inc.
36,888
现货
1 : ¥2.55000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.33072
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
350mA(Ta)
5V,10V
2.8 欧姆 @ 200mA,10V
2.1V @ 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
350mW(Ta),3.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN1006B-3
3-XFDFN
3-XQFN
PMZB600UNELYL
MOSFET N-CH 20V 600MA DFN1006B-3
Nexperia USA Inc.
249,378
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.39031
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
600mA(Ta)
1.2V,4.5V
620 毫欧 @ 600mA,4.5V
950mV @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
21.3 pF @ 10 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN1006B-3
3-XFDFN
X2-DFN1006-3
DMP31D0UFB4-7B
MOSFET P-CH 30V 540MA 3DFN
Diodes Incorporated
123,721
现货
160,000
工厂
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.80867
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
540mA(Ta)
1.8V,4.5V
1 欧姆 @ 400mA,4.5V
1.1V @ 250µA
0.9 nC @ 4.5 V
±8V
76 pF @ 15 V
-
460mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
DFN0606-3
PMH950UPEH
MOSFET P-CH 20V 530MA DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
56,725
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.39263
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
530mA(Ta)
1.2V,4.5V
1.4 欧姆 @ 500mA,4.5V
950mV @ 250µA
0.5 nC @ 4 V
±8V
36 pF @ 10 V
-
370mW(Ta),2.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN0606-3
3-XFDFN
DFN0606-3
PMH600UNEH
MOSFET N-CH 20V 800MA DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
6,333
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.34467
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.2V,4.5V
620 毫欧 @ 600mA,4.5V
950mV @ 250µA
0.31 nC @ 4.5 V
±8V
21.3 pF @ 10 V
-
370mW(Ta),2.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN0606-3
3-XFDFN
DFN0606-3
PMH1200UPEH
MOSFET P-CH 30V 520MA DFN0606-3
Nexperia USA Inc.
30,098
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.40550
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
520mA(Tc)
1.5V,4.5V
1.6 欧姆 @ 410mA,4.5V
950mV @ 250µA
1 nC @ 5 V
±10V
33 pF @ 15 V
-
380mW(Ta),2.8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN0606-3
3-XFDFN
X2-DFN1006-3
DMN2005LP4K-7
MOSFET N-CH 20V 200MA 3DFN
Diodes Incorporated
29,368
现货
1,125,000
工厂
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.60306
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
200mA(Ta)
1.5V,4V
1.5 欧姆 @ 10mA,4V
900mV @ 100µA
-
±10V
41 pF @ 3 V
-
400mW(Ta)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN1006-3
3-XFDFN
3-Picostar
CSD13383F4
MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Texas Instruments
1,009,614
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.61560
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
2.9A(Ta)
2.5V,4.5V
44 毫欧 @ 500mA,4.5V
1.25V @ 250µA
2.6 nC @ 4.5 V
±10V
291 pF @ 6 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
VML0604
RV3C002UNT2CL
MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
Rohm Semiconductor
166,365
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.84151
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
150mA(Ta)
1.5V,4.5V
2 欧姆 @ 150mA,4.5V
1V @ 100µA
-
±10V
12 pF @ 10 V
-
100mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
VML0604
3-XFDFN
3-XQFN
PMZB1200UPEYL
MOSFET P-CH 30V 410MA DFN1006B-3
Nexperia USA Inc.
17,401
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.30684
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
410mA(Ta)
1.5V,4.5V
1.4 欧姆 @ 410mA,4.5V
950mV @ 250µA
1.2 nC @ 4.5 V
±8V
43.2 pF @ 15 V
-
310mW(Ta),1.67W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN1006B-3
3-XFDFN
显示
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3-XFDFN 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。